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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]传感器件及其制造方法-CN201910251254.3有效
发明人： 杨辰雄;郑钧文;朱家骅;陈恩湛 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：微机电系统(MEMS)麦克风包括第一膜，第二膜，设置在第一膜和第二膜之间的第三膜，设置在第一膜和第三膜之间并由第一壁围绕的第一腔体，设置在第二膜和第三膜之间并被第二壁围绕的第二腔体，并且一个或多个第一支撑件设置在第一腔体中并连接第一膜和第三膜。本发明实施例涉及传感器件及其制造方法。
传感器件及其制造方法

[发明专利]微机电系统装置-CN201910279019.7在审
发明人： 杨辰雄;郑钧文;朱家骅;陈恩湛 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明实施例涉及微机电系统装置。一种微机电系统装置包含：第一层及第二层，其包含相同材料；第三层，其放置于所述第一层与所述第二层之间；第一气隙，其分隔开所述第一层与所述第三层；第二气隙，其分隔开所述第二层与所述第三层；多个第一柱，所述多个第一柱暴露于所述第一气隙且被布置成与所述第一层及所述第三层接触；多个第二柱，所述多个第二柱暴露于所述第二气隙且被布置成与所述第二层及所述第三层接触。
微机系统装置

[发明专利]传感器件及其制造方法-CN201811446622.1在审
发明人： 杨辰雄;郑钧文;李久康 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种传感器件包括微机电系统(MEMS)力传感器和电容式加速传感器。在制造传感器件的方法中，在第一衬底的前表面上方准备MEMS力传感器的传感器部分。传感器部分包括压阻式元件和前电极。在第一衬底的后表面上形成底部电极和第一电极。具有电极焊盘和第二电极的第二衬底附接至第一衬底的底部，从而使得底部电极连接至电极焊盘，并且第一电极面对第二电极，其中，在第一电极和第二电极之间具有间隔。本发明实施例涉及传感器件及其制造方法。
传感器件衬底第二电极第一电极底部电极电极焊盘力传感器传感器电容式加速传感器制造微机电系统后表面前表面前电极压阻式附接

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201610804266.0在审
发明人：周正三;林志旻;杨辰雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：半导体结构包括第一衬底、第二衬底、位于第一衬底上方并且位于第一衬底和第二衬底之间的第一感测结构、穿过第二衬底延伸的通孔以及位于第二衬底上方的第二感测结构，并且该第二感测结构包括与通孔电连接的互连结构以及至少部分地覆盖互连结构的感测材料。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]制作悬浮结构的方法-CN200610166759.2无效
发明人：康育辅;杨辰雄 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2006-12-14 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作悬浮结构的方法。首先在基底的正面依序形成图案化的第一牺牲层以及图案化的第二牺牲层，形成覆盖前述的牺牲层的结构层，并进行剥离工艺，移除第二牺牲层以定义结构层的图案，接着在结构层下方形成贯穿孔，最后再移除第一牺牲层，使位于贯穿孔上方的结构层悬空，形成悬浮结构。
制作悬浮结构方法

[发明专利]制作悬浮结构的方法-CN200610100646.2无效
发明人：康育辅;杨辰雄 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2006-06-30 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种制作悬浮结构的方法。首先，提供基底，基底上包括加热硬化的图案化光致抗蚀剂层。之后，蚀刻硬化的图案化光致抗蚀剂层，使图案化光致抗蚀剂层具有预定的侧壁形状。接着在部分的基底与部分的图案化光致抗蚀剂层上方形成结构层，随后再进行干式蚀刻工艺以移除图案化光致抗蚀剂层，使结构层成为悬浮结构。
制作悬浮结构方法

[发明专利]具有被动元件的连接模块构造及其制造方法-CN200610080133.X无效
发明人：许渊钦;杨辰雄 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2006-05-09 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有被动元件的连接模块构造及其制造方法，所述连接模块包含一基板、一连接线布局、至少一被动元件以及至少一芯片置放区，其中所述连接线布局形成于所述基板上，所述被动元件形成于所述连接线布局上，与所述连接线布局电连接，所述芯片放置区形成于所述基板上，与所述连接线布局位于基板上的不同区域，其中所述被动元件的尺寸可进行调整以产生所述连接模块所需的阻值，所述芯片置放区的连接电路、数量以及分布位置可根据需求动态调整，使得所述模块的尺寸得以缩小。
具有被动元件连接模块构造及其制造方法

[发明专利]晶片级封装方法及其结构-CN200610080134.4无效
发明人： 杨辰雄 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2006-05-09 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种整合式晶片封装结构，包含一芯片，至少一个被动元件，一介面层，一绝缘层，至少一连接线，一内部连接垫以及一保护层。该芯片包含一表面连接垫、一内部连接垫以及一电路元件，该被动元件形成于所述芯片的一侧，所述介面层增加所述被动元件与该芯片间结合力，该绝缘层覆盖该芯片的另一侧部分表面，所述连接线覆盖所述绝缘层部分表面以及该内部连接垫，用以与所述内部连接垫电连接，所述保护层用以提供所述芯片保护。
晶片封装方法及其结构

[发明专利]切割晶片的方法-CN200610004129.5无效
发明人： 杨辰雄 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2006-02-21 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片，并在该晶片的正面形成正面切割道图案。接着在该晶片的背面形成对应于该正面切割道图案的背面切割道图案。随后将该晶片贴附于可扩张膜上，并进行裂片工艺，利用拉撑该可扩张膜以使该晶片断裂而形成多个管芯。
切割晶片方法

[发明专利]进行双面工艺的方法-CN200510126925.1无效
发明人： 杨辰雄 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2005-11-28 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种进行双面工艺的方法。首先，提供一晶片，且该晶片的正面包含有一结构图案。接着在该结构图案上界定多条正面切割道，再在该等正面切割道内填入一填充层。随后利用一黏着层将该结构图案与一承载晶片接合，并在该晶片的背面界定多条背面切割道。最后移除所述正面切割道内的填充层。
进行双面工艺方法

[发明专利]制作压力传感器的方法-CN200510113600.X无效
发明人：邵世丰;杨辰雄 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2005-10-13 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作压力传感器的方法。所述方法包括提供一硅覆绝缘晶片，其包含有一单晶硅层、一绝缘层与一硅基材料层，且单晶硅层包含有一压力敏感元件。去除对应于压力敏感元件的硅基材料层与绝缘层，以形成一腔体。提供一接合基底，并利用一接合层接合硅基材料层与接合基底。
制作压力传感器方法

[发明专利]检测光学编码器组件码盘的偏心和上下运动的方法和系统-CN200610127062.4无效
发明人：谢强山;杨辰雄;戴力冲 -专利权人：安华高科技ECBUIP（新加坡）私人有限公司
申请日： 2006-09-26 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： G01D18/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种对码盘的旋转运动进行测量的系统和方法，其中，对码盘的旋转运动进行测量，所述旋转运动包括由码盘的非旋转运动引起的误差分量；对码盘的所述非旋转运动进行测量；通过用测得的码盘非旋转运动来抵消测得的码盘旋转运动中的误差分量，而为码盘的旋转运动产生经过误差校正的测量结果。当码盘的非旋转运动超过阈值时，还可以产生表示需要维护的信号。
检测光学编码器组件偏心上下运动方法系统

[发明专利]薄化晶片的方法-CN200510083342.5无效
发明人： 杨辰雄 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2005-07-12 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：首先，提供一晶片，且该晶片包括一正面与一背面。接着提供一承载晶片，并利用一接合媒介将该晶片的该背面与该承载晶片接合。随后进行一晶片薄化工艺，自该晶片的该正面薄化该晶片。最后去除该接合媒介以分离该晶片与该承载晶片。
晶片方法

[发明专利]晶片切割方法-CN200510077940.1无效
发明人： 杨辰雄 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2005-06-15 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片切割方法。首先提供一器件晶片，且该器件晶片由下而上依序包含有一衬底层与一器件层。随后利用第一掩模图案去除未被该第一掩模图案保护的该器件层。接着在该器件层的表面形成一中间层，并将该中间层的表面贴附于一承载晶片上。接着利用一第二掩模图案去除未被该第二掩模图案保护的该衬底层。最后将该中间层与该承载晶片分离，并将该衬底层贴附于一扩张膜上，同时去除该中间层。
晶片切割方法

[发明专利]晶片切割的方法-CN200510078053.6无效
发明人： 杨辰雄;邵世丰;张宏达 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2005-06-14 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片切割的方法。首先，提供一元件晶片，并于该元件晶片的上表面形成一中介层。接着提供一承载晶片，并将该中介层固定于该承载晶片的表面。之后进行一切割工艺，以使该元件晶片形成多个晶粒，且此时该些晶粒仍固定于该中介层上。再后将该承载晶片自该中介层的表面移除，并将该些晶粒贴附于一扩张膜上，并去除该中介层。
晶片切割方法

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