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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]三维动态随机存取存储器及其形成方法-CN202180071909.4在审
发明人：姜昌錫;知彦北島;康宋坤;弗雷德里克·费什伯恩;李吉镛;妮琴·K·英吉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：该第二介电层从该第一开口被回刻，而形成第一侧向凹部。栅极结构形成于该第一侧向凹部中并且设置在该半导体层的一部分上。第二开口形成为穿过该膜堆叠，该第二开口从形成该第一开口处侧向设置。该半导体层的该部分从该第二开口被回刻，而形成第二侧向凹部。电容器形成于设置有该第二侧向凹部的区域中，且接触该半导体层的该部分。
三维动态随机存取存储器及其形成方法

[发明专利]NOR闪存的制造方法-CN201410137219.6在审
发明人：周俊;黄建冬;洪齐元 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：该方法包括：提供前端结构，所述前端结构包括浅沟槽隔离和图形化的浮栅；利用干法刻蚀工艺对所述浅沟槽隔离进行回刻，去除位于浮栅之间的部分；形成ONO层及控制栅。本发明中利用干法刻蚀，避免了回刻时的侧向过度刻蚀，从而使得浅沟槽隔离具有较佳的形貌，优化了栅耦合系数。
nor 闪存制造方法

[发明专利]以ONO作为硬质掩膜层形成浅沟槽结构的方法-CN201010251565.9有效
发明人：杨华;姚嫦娲 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-08-12 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种以ONO作为硬质掩膜层形成浅沟槽结构的方法，包括如下步骤：(1)在硅基板上依次淀积底部氧化膜、氮化膜和顶部氧化膜，形成ONO结构；(2)刻蚀形成浅沟槽；(3)氮化膜回刻；(4)氧化膜侧向开口形成；(5)清洗及形成衬底氧化膜淀积，获得沟槽顶部的圆滑倒角；(6)氧化膜淀积；(7)氧化膜回刻形成有源区的侧壁保护；(8)根据器件要求进行注入；(9)顶部和侧壁的氧化膜刻蚀，控制有源区氧化膜侧向刻蚀；(10
ono 作为硬质掩膜层形成沟槽结构方法

[发明专利]浅沟槽隔离制备方法-CN200910057282.8无效
发明人：杨华;姚嫦娲 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-05-20 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离制备方法，包括以下步骤：1.在硅衬底上依次成长衬底氧化膜、氮化膜和顶部氧化膜形成硬质掩膜层；2.刻蚀硬质掩膜层，到硅衬底上；3.采用光刻的方法进行浅沟槽刻蚀；4.以顶部氧化膜层作为掩膜层对氮化膜层进行侧向回刻本发明在传统的硬质掩膜层上增加了一层顶部氧化膜，在对氮化膜进行回刻时可以作为氮化膜的掩膜层，减少氮化膜回刻引起的高度不均匀的问题，并且避免在STI的角上形成空洞。
沟槽隔离制备方法

[发明专利]一种提升效率的光阻回刻方法及装置-CN202211329748.7在审
发明人：杨磊 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升效率的光阻回刻方法及装置，通过将原有光阻回刻制程中需要在不同污染等级的两个刻蚀腔中分别进行的第一回刻步骤和第二回刻步骤合并在同一个刻蚀腔中连续完成，并建立了一个包含第一回刻步骤和第二回刻步骤的完整光阻回刻制程的新工艺菜单，从而能够按照新工艺菜单在同一个刻蚀腔中完成完整的光阻回刻制程，可在保证原有第一回刻步骤的刻蚀结果稳定性基础上，省略原本需要在第一回刻步骤和第二回刻步骤之间进行剩余光阻厚度测量的步骤，并可节约晶圆传送时间，同时还能避免原本在第一回刻步骤与第二回刻步骤之间可能发生的超等待时间的风险，明显缩短了工艺流程，提高了光阻回刻的整体效率。
一种提升效率光阻回刻方法装置

[发明专利]一种多晶硅回刻方法-CN201711120397.8在审
发明人：丁佳;曹俊;蒋方圆;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种多晶硅回刻方法，涉及晶片生产技术领域，尤其涉及一种多晶硅的回刻方法。提供了一种在回刻过程中速率均匀、多晶硅中间和边缘距离小、多晶残留少的多晶硅回刻方法。包括如下步骤1）在硅本体表面生长氧化层，在氧化层表面生长多晶硅层；2）多晶硅层表面生长自然氧化层；3）回刻自然氧化层，采用cf4回刻氧化层；4）回刻多晶硅层；5）回刻硅本体上沟槽内的多晶硅层，完毕。本发明保持了在整个回刻过程中的回刻速率相对均匀，避免在回刻时对硅本体的损伤，同时能够有效减少多晶硅的残留，产品废品率低。
一种多晶硅回刻方法

[发明专利]一种车辆侧向碰撞保护的方法、装置及设备-CN201710295580.5有效
发明人：孙成智;沈佳;王涛 -专利权人：上海汽车集团股份有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： B60W30/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种车辆侧向碰撞保护的方法、装置及设备，该方法包括：获取第一时刻车辆侧向障碍物与车辆之间的第一距离值和第二时刻车辆侧向障碍物与车辆之间的第二距离值；由所述第一距离值和所述第二距离值的距离差与所述第二时刻和所述第一时刻的时间差，获得所述车辆侧向障碍物靠近车辆的速度；根据所述车辆侧向障碍物靠近车辆的速度和所述第二距离值，获得所述车辆与所述车辆侧向障碍物的预计碰撞时间；若预计碰撞时间小于预设的时间阈值，控制车身抬升。由此可见，根据计算出的预计碰撞时间的判断可以有效地识别侧向碰撞，并且通过抬升车身高度的方式有效地降低侧向碰撞时车壁的穿透性，从而保护乘客的人身安全。
一种车辆侧向碰撞保护方法装置设备

[发明专利]一种塑料板雕刻专用夹具-CN201911365959.4在审
发明人：杭兴根 -专利权人：嘉善恒达塑料电器有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： B26D7/02 文献下载
摘要：本发明涉及塑料加工领域，具体涉及一种塑料板雕刻专用夹具，包括夹具板、水平顶起机构、侧向夹紧机构、顶板、雕刻机、第一刻度板和第二刻度板，第一刻度板位于夹具板靠近过夹具固定机构的一侧，第二刻度板与侧向夹紧机构传动连接，侧向夹紧机构固定安装在夹具板的顶部，水平顶起机构和顶板分别位于夹具板相互对称的两侧，且顶板和水平顶起机构均与夹具板可拆卸连接，该塑料板雕刻专用夹具，通过夹具板、水平顶起机构、侧向夹紧机构、顶板、雕刻机、第一刻度板和第二刻度板的共同作用，进而使得塑料板的倾斜面与雕刻机工作面平行，进而避免了使用注塑加工的方法，而且使得雕刻机便于加工斜面上的图案，实现了高质量要求的塑料图案加工。
一种塑料板雕刻专用夹具

[实用新型]一种用于晶体硅片的回刻装置-CN201620427498.4有效
发明人：周军;晏文春;党继东 -专利权人：盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于晶体硅片的回刻装置，包括回刻槽、HF承载槽和H₂O₂承载槽，还设有控温槽，所述HF承载槽设于控温槽之内；所述HF承载槽的顶部通过气体导管和H₂O₂承载槽联通；H₂O₂承载槽与回刻槽通过管道联通；回刻槽和HF承载槽不联通。本实用新型通过在HF承载槽外围设置控温槽，控制HF的挥发性，再使用压缩干燥空气携带挥发的HF气体进入到H₂O₂液体中，形成了浓度稳定的回刻液，最终稳定地控制了回刻浓度
一种用于晶体硅片装置

[发明专利]一种用于差动制动系统的路感优化控制方法-CN202310363231.8在审
发明人：张琳;孟强;陈虹;余荣杰;洪金龙 -专利权人：同济大学
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： B60W30/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于差动制动系统的路感优化控制方法，包括以下步骤：基于车辆模型和非线性轮胎模型估计当前车辆的轮胎侧向力；利用车辆模型预测无差扭工况下的下一时刻的车辆状态；利用添加附加横摆力矩的改进车辆模型预测差扭工况下的下一时刻的车辆状态；基于预测的差扭工况和无差扭工况下的下一时刻的车辆状态，利用非线性轮胎模型分别计算两种工况下的下一时刻的轮胎侧向力，相减获得单步前轮胎侧向力变化预测值，并基于时间进行积分计算，得到轮胎侧向力持续变化量；基于轮胎侧向力持续变化量修正转向助力电机期望力矩。
一种用于差动制动系统优化控制方法

[发明专利]一种通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常的方法-CN201110232277.3有效
发明人：黄海;吕煜坤;任昱;曾林华;刘斌 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-08-15 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明一种通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常的方法，其中，包括以下工艺：在介质膜中进行刻蚀，形成位于介质膜中的多个通孔；介质膜上面涂覆一层光刻胶，并且光刻胶还填充在多个通孔中；对光刻胶进行回刻直至介质膜上方的光刻胶完全移除，同时测量此刻回刻过程中的回刻时间；以及根据回刻时间的终结点来判断通孔的内径大小或深度是否异常。本发明一种通过光刻胶回刻反应终结点来判断孔深和孔径形貌是否正常的方法，有效的使通过检测光刻胶回刻所反应的终结点时间的方法来对孔的深度和孔的形貌是否正常进行判断。
一种通过光刻胶回刻反应终结判断孔径形貌是否正常方法

[实用新型]高精度红外线对正装置-CN202122442929.8有效
发明人：杨冬玉;郭峰;赵胜利;张成柏;韩方伟;刘海峰;张强;盛洲;张弛;曲首国 -专利权人：三峡新能源调兵山风电有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01C15/00 文献下载
摘要：一种高精度红外线对正装置，它包括吸附支撑、侧向支撑调整机构和水平调整机构，通过侧向支撑调整机构的侧向臂两端与吸附支撑的支撑臂和水平调整机构的调节杆连接，红外线发射器与调节杆一端连接的夹持头连接，磁铁座与轮毂吸附位于零刻度线附近，旋转支撑臂调节整体高度，侧向转动侧向臂粗调倾角，旋转调节杆微调水平距离，转动夹持头调整入射角，使红外线发射器发射的红外光线朝向轮毂的零刻度线，在叶片清零操作过程中，有利于轮毂和叶片两者的零刻度线相互对齐
高精度红外线装置

[发明专利]一种多层膜结构的半导体栅工艺处理方法-CN02137736.7无效
发明人：肖胜安;汪激洋;吴志丹;陈菊英;任昱 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2002-10-31 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明是一种多层膜结构的栅工艺处理方法，具体是在栅成长之后首先成长一层掺磷浓度低的多晶硅，然后再生成一层浓度高的多晶硅，在沟槽全部填满后，再生成一层掺磷浓度低或不掺磷的多晶硅，然后进行回刻。第一层掺磷低的多晶硅在回刻后表面比较平整，以保证栅附近在回刻后不出现凹陷，使栅不受到损伤。在第三层低掺磷或不掺磷多晶硅的回刻速率低，减少回刻后沟槽中心的凹陷深度，使之在后来成长金属膜时不形成空洞。同时通过调整第一，第二层多晶硅的掺磷浓度和厚度，可以保证在回刻后获得同等的栅极电阻。
一种多层膜结构半导体工艺处理方法

[发明专利]屏蔽栅功率MOSFET器件及其制作方法-CN201810757764.3在审
发明人：颜树范 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明还公开了一种屏蔽栅功率MOSFET器件制作方法，准备一外延基片，对所述外延基片进行沟槽光刻刻蚀，形成沟槽；在沟槽中形成侧壁介电层；在已经形成的侧壁介电层中进行屏蔽栅填充并回刻至外延基片表面；对屏蔽栅继续进行回刻，使屏蔽栅回刻至外延基片表面以下；在沟槽内进行第二介电层填充并回刻至外延基片表面以下；在沟槽内和外延基片的表面淀积控制栅，屏蔽栅引出处淀积的控制栅向沟槽两侧填充；对控制栅进行回刻，使控制栅回刻至外延基片表面
外延基片屏蔽栅回刻控制栅功率MOSFET器件介电层填充侧壁制作表面淀积淀积光刻

[实用新型]一种栅工艺处理中的多层膜结构-CN02261131.2无效
发明人：肖胜安;汪激洋;吴志丹;陈菊英;任昱 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2002-10-31 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：第一层掺磷低的多晶硅在回刻后表面比较平整，以保证栅附近在回刻后不出现凹陷，使栅不受到损伤。在第三层低掺磷或不掺磷多晶硅的回刻速率低，减少回刻后沟槽中心的凹陷深度，使之在后来成长金属膜时不形成空洞。同时通过调整第一，第二层多晶硅的掺磷浓度和厚度，可以保证在回刻后获得同等的栅极电阻。
一种工艺处理中的多层膜结构

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