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[发明专利]屏蔽栅功率器件及其制备方法-CN202211505604.2有效
发明人：高学;柴展;罗杰馨;栗终盛 -专利权人：上海功成半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种屏蔽栅功率器件及其制备方法。屏蔽栅功率器件包括：半导体层；沟槽，位于半导体层内；屏蔽栅介质层，位于沟槽内；屏蔽栅介质层包括第一屏蔽栅介质层和第二屏蔽栅介质层；第一屏蔽栅介质层位于沟槽的底部；第二屏蔽栅介质层位于第一屏蔽栅介质层的上表面；第一屏蔽栅介质层包括高k介质层；屏蔽栅极，位于第二屏蔽栅介质层内；栅介质层，至少位于屏蔽栅极裸露的表面和沟槽裸露的侧壁；栅极，位于沟槽内，且位于屏蔽栅极的上方。本发明的屏蔽栅功率器件中，通过在屏蔽栅极下方增设高k介质层作为第一屏蔽栅介质层，可以显著提高器件的耐压，确保器件不会轻易在沟槽的底部被击穿。
屏蔽功率器件及其制备方法

[发明专利]带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件及其制造方法-CN202110897248.2在审
发明人：颜树范 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件及其制造方法。器件包括：有源区和终端保护区，终端保护区位于有源区的外周；终端保护区中形成沟槽型屏蔽栅结构；沟槽型屏蔽栅结构，包括：屏蔽栅沟槽，屏蔽栅沟槽从终端保护区位置处的基底层上表面向下延伸；屏蔽栅氧化层，屏蔽栅氧化层依照带有屏蔽栅沟槽的终端保护区表面形貌，覆盖在终端保护区位置处的基底层表面，在屏蔽栅沟槽位置处形成屏蔽栅多晶硅容置空间；屏蔽栅多晶硅结构，屏蔽栅多晶硅结构包括填充在屏蔽栅多晶硅容置空间中的第一屏蔽栅多晶硅部，和覆盖在屏蔽栅氧化层上的第二屏蔽栅多晶硅部，第二屏蔽栅多晶硅部与第一屏蔽栅多晶硅部连为一体。
带有沟槽屏蔽结构半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种防止翘曲的屏蔽栅MOSFET版图-CN201921456755.7有效
发明人：陆怀谷 -专利权人：深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种防止翘曲的屏蔽栅MOSFET版图，适用于屏蔽栅MOSFET半导体光刻工艺，连接金属层通过沟道分割为屏蔽栅区域、屏蔽栅左侧区域、屏蔽栅右侧区域；有源区沟槽层设有若干X方向有源区沟槽，上述X方向有源区沟槽横贯屏蔽栅左侧区域、屏蔽栅区域、屏蔽栅右侧区域；栅极沟槽层设有若干栅极沟槽，上述栅极沟槽连贯横贯屏蔽栅区域的X方向有源区沟槽；上述屏蔽栅MOSFET版图还包括沟槽连接孔，上述沟槽连接孔连通屏蔽栅区域的X方向有源区沟槽和栅极沟槽，上述有源区沟槽层还设有若干Y方向有源区沟槽，上述Y方向有源区沟槽在屏蔽栅左侧区域、屏蔽栅右侧区域和X方向有源区沟槽交叉。有益效果是屏蔽栅MOSFET半导体光刻工艺中防止晶圆翘曲。
一种防止屏蔽 mosfet 版图

[发明专利]屏蔽栅功率半导体器件及制备方法-CN202310172780.7在审
发明人：徐真逸;杨飞;吴凯;张广银;朱阳军 -专利权人：江苏芯长征微电子集团股份有限公司;南京芯长征科技有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种屏蔽栅功率半导体器件及制备方法。其屏蔽栅结构包括沟槽栅多晶硅以及位于所述沟槽栅多晶硅正下方的第一屏蔽栅多晶硅；在元胞沟槽内，还包括位于第一屏蔽栅多晶硅一侧的第二屏蔽栅多晶硅以及位于第一屏蔽栅多晶硅另一侧的第三屏蔽栅多晶硅，其中，第一屏蔽栅多晶硅的下端部位于第二屏蔽栅多晶硅以及第三屏蔽栅多晶硅相应下端部的下方；沟槽栅多晶硅与栅极金属欧姆接触，第一屏蔽栅多晶硅与源极金属欧姆接触；将第二屏蔽栅多晶硅或第三屏蔽栅多晶硅中的一个配置处于浮空状态，第二屏蔽栅多晶硅或第三屏蔽栅多晶硅中的另一个配置与沟槽栅多晶硅保持等电位
屏蔽功率半导体器件制备方法

[发明专利]一种屏蔽栅型MOSFET器件及其制作方法、电子产品-CN202010204225.4有效
发明人：董建新;钟添宾;岳瑞芳 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2020-03-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开一种屏蔽栅型MOSFET器件及其制作方法、电子产品，涉及电学技术领域，以提高屏蔽栅MOSFET的开关速度，降低开关损耗，从而扩展屏蔽栅MOSFET的应用范围。该屏蔽栅型MOSFET器件包括肖特基二极管和屏蔽栅MOSFET。肖特基二极管和屏蔽栅MOSFET的耐压差值小于或等于预设差值；肖特基二极管的阳极和屏蔽栅MOSFET的屏蔽电极均与屏蔽栅MOSFET的源电极电连接，肖特基二极管的阴极与屏蔽栅MOSFET的漏电极电连接。所述屏蔽栅型MOSFET器件的制作方法用于制作屏蔽栅型MOSFET器件。本发明提供的屏蔽栅型MOSFET器件用于电子产品中。
一种屏蔽 mosfet 器件及其制作方法电子产品

[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管-CN202310024069.7有效
发明人：钱振华;张艳旺;康子楠;张子敏;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅场效应晶体管，该屏蔽栅场效应晶体管包括：第一预设数目且周期性分布的基本单元，且相邻的各基本单元之间设置有复合耗尽层单元及电流吸收单元，基本单元包括：栅极、屏蔽栅和屏蔽栅接触孔；栅极设置于屏蔽栅四周；屏蔽栅上设有屏蔽栅接触孔。不同于现有的屏蔽栅场效应晶体管将栅极设置在屏蔽栅上方的设置方式，本发明将栅极设置在屏蔽栅四周，因此屏蔽栅上方可单独引出屏蔽栅接触孔，从而可以消除屏蔽栅寄生电阻改善电位均匀性，避免雪崩发生时产生电流集中，
屏蔽场效应晶体管

[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管-CN202211689128.4有效
发明人：钱振华;康子楠;张艳旺;张子敏;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种屏蔽栅场效应晶体管，该屏蔽栅场效应晶体管包括：电极结构和交错鳍式屏蔽栅，各电极结构包括：栅极、氧化层、屏蔽栅；栅极设置于屏蔽栅的上方；栅极和屏蔽栅之间设有氧化层；交错鳍式屏蔽栅设置于相邻的电极结构之间，处于相邻两个电极结构之间的交错鳍式屏蔽栅之间存在预设距离。本发明将交错鳍式屏蔽栅设置于包括栅极、氧化层和屏蔽栅的相邻电极结构之间，处于相邻两个电极结构之间的交错鳍式屏蔽栅之间存在预设距离，从而通过增加交错鳍式屏蔽栅之间的预设距离可以解决现有技术中屏蔽栅场效应晶体管带来的更低电容的同时会伴随着较高的电压震荡的技术问题
屏蔽场效应晶体管

[发明专利]屏蔽栅功率器件及其制备方法-CN202211505618.4在审
发明人：高学;柴展;罗杰馨;栗终盛 -专利权人：上海功成半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种屏蔽栅功率器件及其制备方法。屏蔽栅功率器件的制备方法包括：提供半导体层；于半导体层内形成沟槽；于沟槽内形成屏蔽栅介质层；刻蚀屏蔽栅介质层，以于屏蔽栅介质层内形成屏蔽栅沟槽；于屏蔽栅沟槽内形成屏蔽栅极，屏蔽栅极的上表面不低于屏蔽栅介质层的上表面；至少于屏蔽栅极裸露的表面和沟槽裸露的侧壁形成栅极介质层；于沟槽内形成栅极，栅极位于屏蔽栅极上。本发明可以通过刻蚀工艺控制沟槽底部的屏蔽栅介质层的厚度，可以使得沟槽底部的屏蔽栅介质层的厚度比沟槽侧壁的屏蔽栅介质层的厚度要厚，并且可以消除屏蔽栅极底部的尖端，从而可以降低电场强度，提高耐压，确保器件不会轻易在沟槽的底部被击穿
屏蔽功率器件及其制备方法

[实用新型]一种具有对称性屏蔽栅和控制栅的栅结构-CN202021871049.1有效
发明人：陈利;陈译;陈彬 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有对称性屏蔽栅和控制栅的栅结构，该栅结构包括：在PLD区中间设有贯穿N区的控制区和并延伸至P‑区的屏蔽区，在控制区中的两个控制栅，两个控制栅上表面的栅极，在屏蔽区的一个屏蔽栅，屏蔽栅与控制栅之间有一定间隔，且屏蔽栅的两侧与控制栅两侧对齐，控制区采用高K绝缘材料，屏蔽区采用硅氧化物材料，两个控制栅采用多晶硅材料，一个屏蔽栅采用导电材料。该栅结构通过屏蔽栅的耦合可以提高该栅结构在功率器件中的开关速度。
一种具有对称性屏蔽控制结构

[实用新型]一种新型屏蔽栅MOSFET器件栅结构-CN202220457562.9有效
发明人：王新;周仲建;张帅 -专利权人：成都复锦功率半导体技术发展有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种新型屏蔽栅MOSFET器件栅结构，自下而上依次生长有衬底、半导体漂移区、body区和半导体源区，还包括栅结构，所述栅结构从半导体源区中间部位向下贯穿body区后延伸至半导体漂移区内，由位于中间部位的屏蔽栅和位于屏蔽栅上方的控制栅构成；所述衬底的下方设置有漏电极，半导体源区的上方设置有源电极，所述屏蔽栅和控制栅分别从栅结构中引出，形成屏蔽栅电极和控制栅电极；所述屏蔽栅电极、控制栅电极以及源电极在芯片表面形成互不接触的屏蔽栅电极PAD、控制栅电极PAD以及源电极PAD。通过将屏蔽栅电极从栅结构中单独引出进行控制，能够有效降低器件导通时，屏蔽栅极侧壁区域电阻和调节工艺变化对器件击穿电压性能的影响。
一种新型屏蔽 mosfet 器件结构

[发明专利]基于屏蔽栅结构的沟槽栅MOSFET-CN201410397204.3在审
发明人：陈正嵘;陈晨;陈菊英 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于屏蔽栅结构的沟槽型MOSFET，控制栅形成在第一沟槽中并带有底部厚氧化膜，屏蔽栅形成在第二沟槽中，屏蔽栅与控制栅依次间隔排列。屏蔽栅依次穿过源区和阱区所以在横向上和沟槽栅相隔一段距离；屏蔽栅第二沟槽的顶部与源极接触孔连通。在源极接触孔中填充有金属层并用于同时引出源极，源极也同时作为阱区和屏蔽栅的引出电极。本发明的屏蔽栅和控制栅并不形成在同一沟槽中，简化了用于隔离屏蔽栅与控制栅的相关工艺流程；同时，本发明中通过源极接触孔引出的源极和阱区的同时作为屏蔽栅的引出电极，所以不需要占用额外的面积来引出屏蔽栅的电极
基于屏蔽结构沟槽 mosfet

[发明专利]屏蔽栅功率器件及其制备方法-CN202211505585.3有效
发明人：高学;柴展;罗杰馨;栗终盛 -专利权人：上海功成半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种屏蔽栅功率器件及其制备方法。屏蔽栅功率器件的制备方法包括：提供半导体层；于半导体层内形成沟槽；于沟槽内形成屏蔽栅介质材料层，屏蔽栅介质材料层的上表面低于沟槽的顶面；至少于沟槽裸露的侧壁形成栅极介质层；于沟槽内形成栅极材料层；刻蚀栅极材料层和屏蔽栅介质材料层，以形成栅极、屏蔽栅介质层和屏蔽栅沟槽；于栅极裸露的侧壁形成栅源介质层；于屏蔽栅沟槽内形成屏蔽栅极。本发明通过上述制备方法，形成的栅极与屏蔽栅极临近的底角不会呈尖角，且栅极与屏蔽栅极之间的栅源介质层的厚度均匀性较好，可以提高栅源介质层的耐压，有效改善栅极漏电。
屏蔽功率器件及其制备方法

[实用新型]一种新型屏蔽栅功率MOS的器件-CN201821774123.0有效
发明人：李泽宏;吴玉舟;王为;谢驰 -专利权人：贵州恒芯微电子科技有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提出的一种新型屏蔽栅功率MOS器件，采用不掺杂多晶硅屏蔽栅，该屏蔽栅电位浮空不与源极相连，且栅极与屏蔽栅间无层间氧化层。本实用新型提出的浮空不掺杂多晶硅屏蔽栅结构，在保持与传统屏蔽栅结构相似的低的密勒电容的同时，显著提高器件的击穿电压，降低正向导通电阻，显著降低了栅源电容，即减小了器件的输入电容。此外由于重掺杂多晶硅栅极和不掺杂多晶硅屏蔽栅之间无层间氧化层，提高了栅氧可靠性，同时使得本实用新型的屏蔽栅功率MOS器件制造完沟槽后可直接热生长栅氧化层，省去了原有传统屏蔽栅功率MOS制造屏蔽栅和形成栅极结构的工艺流程
屏蔽栅本实用新型掺杂多晶硅功率MOS器件传统屏蔽新型屏蔽功率MOS 氧化层层间正向导通电阻重掺杂多晶硅栅氧可靠性电位浮空击穿电压密勒电容输入电容栅极结构栅氧化层栅源电容工艺流程热生长栅结构浮空减小源极制造

[发明专利]双向功率器件-CN202210661192.5在审
发明人：杨彦涛;张邵华 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请公开了一种双向功率器件，该双向功率器件包括：半导体层；第一掺杂区，位于半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；位于多个沟槽中的栅介质层、控制栅、第一屏蔽介质层、第一屏蔽栅、第二屏蔽介质层、第二屏蔽栅，其中，第一屏蔽介质层将控制栅和第一屏蔽栅分隔，第二屏蔽介质层将第二屏蔽栅和第一屏蔽栅分隔，第二屏蔽介质层和栅介质层的厚度均小于第一屏蔽介质层的厚度该双向功率器件通过设置第二屏蔽介质层和栅介质层的厚度均小于第一屏蔽介质层的厚度，从而可以通过栅电极施加不同电压达到形成不同电场的效果。
双向功率器件

[发明专利]双向功率器件及其制造方法-CN202011163950.8有效
发明人：杨彦涛;张邵华 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/8232 文献下载
摘要：本申请公开了一种双向功率器件及其制造方法，该双向功率器件包括：半导体层；第一掺杂区，位于半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；位于多个沟槽中的栅介质层、控制栅、第一屏蔽介质层、第一屏蔽栅、第二屏蔽介质层、第二屏蔽栅，其中，第一屏蔽介质层将控制栅和第一屏蔽栅分隔，第二屏蔽介质层将第二屏蔽栅和第一屏蔽栅分隔，第二屏蔽介质层和栅介质层的厚度均小于第一屏蔽介质层的厚度该双向功率器件通过设置第二屏蔽介质层和栅介质层的厚度均小于第一屏蔽介质层的厚度，从而可以通过栅电极施加不同电压达到形成不同电场的效果。
双向功率器件及其制造方法

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