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[发明专利]一种内透镜的制作方法-CN201911354107.5有效
发明人： 姚嫦娲;周伟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种内透镜的制作方法，包括以下步骤：在衬底上形成牺牲层和光刻胶图形，采用各向异性刻蚀牺牲层形成第一个凹槽；采用各向同性刻蚀在第一个凹槽下方形成宽度大于第一个凹槽的第二个凹槽；重复前述步骤，在牺牲层中形成多个凹槽，使其中偶数位上的各凹槽的宽度依次递增，形成空腔；采用各向同性刻蚀，对空腔的侧壁进行修剪，形成具有台阶状侧壁的空腔；在空腔中填充底层内透镜材料，然后去除牺牲层，形成具有台阶状表面形貌的底层内透镜材料层；在底层内透镜材料层上覆盖形成顶层内透镜材料层，形成内透镜结构。本发明工艺窗口较大，可采用常规半导体工艺方法实现，易于开发和管控。
一种透镜制作方法

[发明专利]一种CMOS图像传感器中白色像素分布的分析装置及方法-CN202010107642.7有效
发明人：王鹏飞;李琛;孙红霞;余学儒;葛星辰;姚嫦娲;范春晖;顾学强 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器中白色像素分布的分析方法，包括如下步骤：S01：CMOS图像传感器的测量数据经过数据输入模块传输至预处理模块；S02：预处理模块根据白色像素阈值将测量数据转换为二值图；S03：筛选模块去除白色像素分布均匀的二值图；S04：特征提取模块在二值图中提取出白色像素分布特征；S05：分类模块对所述白色像素分布特征进行聚类分组，并定义每个类的白色像素分布模式；S06：分析模块得出关于白色像素分布模式与相关工艺原因之间关系的知识库。本发明提供的一种CMOS图像传感器中白色像素分布的分析装置及方法，可以及时反馈工艺制造信息并调整制造工艺条件，提升CMOS图像传感器像素的制造良率，减小不必要的损失。
一种 cmos 图像传感器白色像素分布分析装置方法

[发明专利]一种内透镜及制作方法-CN201911355336.9在审
发明人： 姚嫦娲 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种内透镜及制作方法，制作方法包括以下步骤：在衬底上形成底层内透镜材料层；在底层内透镜材料层上形成光刻胶图形层；以光刻胶图形层为掩模，对底层内透镜材料层进行部分刻蚀，在底层内透镜材料层上形成第一个台阶层；对光刻胶图形层侧壁进行回刻，使第一个台阶层由光刻胶图形层的两侧部分露出；重复前述刻蚀步骤，在底层内透镜材料层上形成多个台阶层，使底层内透镜材料层具有台阶状的表面形貌；去胶清洗；在底层内透镜材料层上覆盖形成顶层内透镜材料层，形成内透镜结构。本发明工艺窗口较大，可采用常规半导体工艺方法实现，易于开发和管控。
一种透镜制作方法

[发明专利]一种内透镜及制作方法-CN201911354108.X在审
发明人： 姚嫦娲 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种内透镜及制作方法，制作方法包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底上形成底层内透镜材料层；在所述底层内透镜材料层上形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩模，对所述底层内透镜材料层进行刻蚀，使所述底层内透镜材料层在所述光刻胶图形下方形成圆锥体图形；去除剩余的所述光刻胶图形材料，并清洗；在所述圆锥体图形上覆盖形成中间层内透镜材料层；对所述中间层内透镜材料层进行回刻，使所述中间层内透镜材料层形成覆盖在所述圆锥体图形上的侧墙；在覆盖有所述侧墙的所述圆锥体图形上覆盖形成顶层内透镜材料层，形成内透镜结构。本发明工艺窗口较大，可采用常规半导体工艺方法实现，易于开发和管控。
一种透镜制作方法

[发明专利]金属埋层凸起的去除方法以及空气隙的制备方法-CN201611235875.5有效
发明人： 姚嫦娲;肖慧敏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属埋层凸起的去除方法以及空气隙的制备方法，利用了高表面张力的湿法刻蚀将金属埋层凸起刻蚀掉，为了避免刻蚀药液对于空气隙结构中的介质层以及金属埋层的过多刻蚀，采用提高刻蚀药液的表面张力方法，使得刻蚀药液只停留在衬底表面包括金属埋层表面，阻止刻蚀药液进入到待形成空气隙的沟槽中，从而在确保空气隙结构不被破坏的前提下，成功去除金属埋层凸起，实现了降低介质层K值的目的。
金属凸起去除方法以及空气制备

[发明专利]一种在后道互连中刻蚀埋层的方法-CN201611245057.3有效
发明人： 姚嫦娲 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种在后道互连中刻蚀埋层的方法。通过在埋层金属刻蚀过程中引入氧化膜掩膜阻止了刻蚀气体对通孔或沟槽内的位于金属铜与低k介质层之间的埋层金属的进一步刻蚀，从而既能确保低k介质钝化层表面的埋层金属被刻蚀干净，又能够避免金属铜与介质间的空洞的形成。
一种在后互连刻蚀方法

[发明专利]一种在后道互连中生成空气隙结构的方法-CN201611245938.5有效
发明人： 姚嫦娲 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出了一种在后道互连中形成空气隙结构的方法，通过XeF₂干法刻蚀工艺刻蚀掉位于通孔或沟槽侧壁的埋层金属高出金属铜的上表面的部分，即埋层耳朵部分，在接下来介质膜淀积的过程中，可以有效避免空气隙结构的塌陷和空气隙结构的物理强度变低的问题，从而减小器件失效的几率。
一种在后互连生成空气结构方法

[发明专利]硅片清洗方法-CN201310753951.1有效
发明人：胡正军;姚嫦娲;周炜捷 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片清洗方法包括：提供待清洗硅片，对该硅片采用多重频率的超声波进行清洗。在不同的清洗时间段中对不同的超声波频率采用不同的功率，从而能够有效的增强湿法清洗工艺窗口。
硅片清洗方法

[发明专利]一种后道互连工艺中空气隙的形成方法-CN201410428612.0有效
发明人： 姚嫦娲;胡正军;林宏;王伟军;黄仁东 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种后道互连工艺中空气隙的形成方法，其包括：提供一个具有后道互连膜层结构的半导体衬底；后道互连膜层结构从下向上依次为低K介质层和硬掩膜层；经光刻和刻蚀工艺，在低K介质层和硬掩膜层中刻蚀出通孔结构；经刻蚀，将低K介质层中的通孔结构的侧壁进行改性，使其形成类氧化膜材料；在通孔结构中淀积籽晶层，并填充金属铜；平坦化处理填充金属铜顶部；向下减薄硬掩膜层；去除位于类氧化膜材料顶部的硬掩膜层，暴露出类氧化膜材料的顶部；去除类氧化膜材料；去除减薄后的硬掩膜层。从而在去除类氧化膜的过程中，低K介质层不会受到损坏，避免了对通孔结构的损坏，并进一步降低了后续制备的器件的K值。
一种互连工艺空气形成方法

[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制备方法-CN201410215749.8有效
发明人： 姚嫦娲 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其包括：在半导体衬底上依次形成底部介质层‑氮化层‑顶部氧化层，构成硬掩膜层；经光刻和刻蚀工艺，在硬掩膜层中形成开口；以硬掩膜层为掩膜，在半导体衬底中形成浅沟槽结构；对氮化层的开口的内侧壁进行轻刻蚀；进行清洗与回刻工艺；通过采用对氮化层具有高刻蚀选择比的清洗药液，不仅可以对氮化层进行回刻，还可以进行清洗工艺，从而在一步工艺中完成清洗工艺和氮化层的回刻，避免了采用传统的磷酸进行氮化层回刻造成半导体衬底产生大量缺陷，提高了所制备的浅沟槽隔离结构的质量；并且，与现有的方法相比，简化了工艺步骤，提高了生产效率。
氮化层回刻浅沟槽隔离结构硬掩膜层衬底制备半导体清洗工艺开口顶部氧化层刻蚀选择比浅沟槽结构工艺步骤刻蚀工艺清洗药液生产效率一步工艺传统的介质层内侧壁磷酸光刻刻蚀掩膜清洗

[发明专利]后道互连中实现空气隙的方法-CN201510656788.6有效
发明人： 姚嫦娲 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种后道互连中实现空气隙的方法，包括：设定待形成的通孔、填充金属的目标尺寸值；在一半导体衬底上依次形成低K介质层和硬掩膜层；在硬掩膜层中刻蚀出通孔图形；以硬掩膜层为掩膜，在硬掩膜层的通孔图形下方的低K介质层中形成通孔结构；在通孔结构的底部、侧壁以及非通孔区域的硬掩膜层表面沉积氮化硅薄膜；通孔图形的尺寸和通孔的目标尺寸值之差的一半等于氮化硅薄膜的厚度；经刻蚀去除通孔底部和非通孔区域的硬掩膜层表面的氮化硅薄膜，保留通孔侧壁的氮化硅薄膜；在通孔内填充金属，并平坦化处理填充金属顶部直至与硬掩膜层表面齐平；采用湿法刻蚀去除通孔侧壁的氮化硅薄膜，从而在通孔侧壁和通孔中的填充金属之间形成空气隙。
硬掩膜层氮化硅薄膜通孔填充金属通孔侧壁通孔图形空气隙低K介质层通孔结构非通孔互连刻蚀去除平坦化处理表面沉积表面齐平湿法刻蚀侧壁衬底掩膜半导体保留

[发明专利]单片式湿法清洗方法-CN201510455538.6有效
发明人： 姚嫦娲 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种单片式湿法清洗方法，包括将整个晶圆固定置于旋转平台上，使晶圆的中心偏离旋转平台的中心；旋转平台和晶圆均以旋转平台的中心为旋转中心且以第一转速进行旋转；进行药液喷淋过程，机械手臂摆动，并且带动喷淋头摆动，使喷淋头以旋转平台的中心为摆动中心进行摆动，形成摆动轨迹，使药液喷淋到晶圆的整个上表面；提高旋转平台的转速到第二转速，然后，进行去离子水喷淋过程，其中，机械手臂将喷淋头置于晶圆中心上方，使喷淋头以晶圆的中心为定点进行去离子水的定点喷淋；完成去离子水喷淋过程之后，调整旋转平台的转速到第三转速，对晶圆进行干燥过程；将晶圆取出旋转平台。本发明克服了旋转的晶圆中心受力为零的缺陷。
单片湿法清洗方法

[发明专利]一种双大马士革结构的制作方法-CN201210405324.4有效
发明人： 姚嫦娲 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种双大马士革结构的制作方法，包括在衬底上依次淀积介质阻挡层氮化膜和介质层；在介质层上涂布第一光刻胶，经光刻，形成通孔刻蚀图形；经刻蚀和去胶，在介质层上形成通孔；在介质层上淀积沟槽介质膜，并平坦化沟槽介质膜；在沟槽介质膜上涂布第二光刻胶，经光刻，形成沟槽刻蚀图形；经刻蚀和去胶，形成沟槽；刻蚀暴露的中间停止层氮化膜和介质阻挡层氮化膜；金属填充通孔和沟槽。因此，通过本发明的方法，简化了制备工艺，使刻蚀工艺更加稳定和易于控制，提高了生产效率。
一种大马士革结构制作方法

[发明专利]湿法刻蚀系统、湿法刻蚀方法-CN201410238536.7有效
发明人： 姚嫦娲 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种湿法刻蚀系统，包括晶圆卡槽、药液槽、机械手、控制装置、位置传感器、以及转动装置。其中，当位置传感器检测到晶圆完全浸没于药液中和/或检测晶圆与转动装置相接触时，向控制装置发送信号，控制装置接收到位置传感器发送的信号后，控制转动装置进行转动，转动装置带动晶圆边缘沿顺时针或逆时针旋转；当晶圆边缘沿顺时针或逆时针旋转180度之后，控制装置控制转动装置停止转动；本发明能够使晶圆表面各个位置浸没于药液中的时间保持一致，从而克服了现有的湿法刻蚀方法中，晶圆顶部和底部由于浸没于药液中的时间不一致而导致的刻蚀差异较大的问题，减小了晶圆表面的湿法刻蚀差异，提高了刻蚀质量和器件的质量。
湿法刻蚀系统方法

[发明专利]一种大马士革结构的制作方法-CN201210404970.9有效
发明人： 姚嫦娲 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种大马士革结构的制作方法，包括在衬底上依次淀积介质阻挡层氮化膜和介质层；在介质层上涂布第一光刻胶，经光刻，形成通孔刻蚀图形；经刻蚀和去胶，在介质层上形成通孔；在通孔中淀积氮化膜；在介质层上涂布第二光刻胶，经光刻，形成沟槽刻蚀图形；经刻蚀和去胶，形成沟槽；刻蚀通孔氮化膜、暴露的中间停止层氮化膜和介质阻挡层氮化膜；金属填充通孔和沟槽。因此，通过本发明的方法，简化了制备工艺，使刻蚀工艺更加稳定和易于控制，提高了生产效率。
一种大马士革结构制作方法

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