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[实用新型]一种适用于省煤器区域新型保温密封结构-CN202020796501.6有效
发明人：赵兵;谷东梅;白正青;应锋;汪会林;杨志君 -专利权人：华西能源工业股份有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： F23L15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种适用于省煤器区域新型保温密封结构，涉及锅炉供热设备技术领域；包括冷却包墙结构和敷设于冷却包墙结构外侧的轻质外保温结构；冷却包墙结构为全膜式壁结构，即在省煤器区域四周形成的汽冷包墙结构或水冷包墙结构，冷却包墙结构吊挂在省煤器区域的顶板梁上，冷却包墙结构配置有冷却介质进口和冷却介质出口，以使通过冷却介质进口和冷却介质出口向冷却包墙结构内通入流动蒸汽或水进行冷却；通过实施本技术方案，可有效解决现有省煤器区域漏风现象的技术问题，并可有效减轻锅炉整体设计重量，在检修及更换省煤器管屏时仅需对汽冷包墙拆除恢复，无需烘炉，可快速完成省煤器区域保温密封结构安装，可达到理想密封效果，实用性好。
一种适用于省煤器区域新型保温密封结构

[实用新型]多孔太阳能集热墙-CN201320362161.6有效
发明人：滕云 -专利权人：长沙图龙设计有限公司
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： E04B2/00 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种多孔太阳能集热墙，包括蓄热墙、多孔介质层及透明玻璃板，所述多孔介质层与透明玻璃板之间设有密封空气层，所述蓄热墙的顶部设有上通风口，所述蓄热墙的底部设有下通风口，所述多孔介质层内设有多个通孔，所述多个通孔的孔径沿所述多孔介质层的顶部朝向底部的方向逐渐增大。本实用新型的多孔太阳能集热墙通过合理改进所述通孔孔径分布，提高了太阳能集热墙的热传导均匀性，同时也节省了大量的热能。
多孔太阳能集热墙

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202211375981.9在审
发明人：王文武;刘昊炎;李永亮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：所述半导体器件包括：半导体基底、第一隔离介质墙、第一晶体管和第二晶体管。第一隔离介质墙形成在半导体基底包括的第一介质层上。第一晶体管形成在第一介质层上、且位于第一隔离介质墙沿宽度方向的一侧。第一晶体管包括的第一沟道区与第一隔离介质墙间隔设置、且具有至少两个第一沟道部。沿平行于第一隔离介质墙的宽度方向，至少两个第一沟道部间隔分布。第二晶体管形成在第一介质层上、且位于第一隔离介质墙背离第一晶体管的一侧。第二晶体管包括的第二沟道区与第一隔离介质墙间隔设置。第二晶体管与第一晶体管的导电类型相反。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]发光模组及其制作方法、以及显示面板和电子设备-CN202210781104.5在审
发明人：张丰广;黄攀 -专利权人：纳欣科技有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：该发光模组包括载体电路板、挡光墙、光转换介质层以及若干发光芯片。若干发光芯片封装于载体电路板上的，每一发光芯片用于发出第一色光。挡光墙设于载体电路板上，并且包围若干发光芯片。光转换介质层覆盖若干发光芯片、以及载体电路板位于挡光墙围拢形成的空间内的部分，光转换介质层用于将发光芯片发出的第一色光转换成第二色光，其中，光转换介质层远离载体电路板的一侧超出挡光墙远离载体电路板的一侧，且光转换介质层超出挡光墙的部分的边缘覆盖挡光墙远离载体电路板的一侧表面。通过将光转换介质层覆盖于挡光墙的表面，可以提高发光模组的发光均匀性，避免出现黑边的问题。
发光模组及其制作方法以及显示面板电子设备

[发明专利]一种双介质层金属墙去耦结构-CN202110643792.4有效
发明人：路鹏程;郭少勇;钟成;阮琳娜;张岩;欧清海;赵劭康;张宁池;张正文;王艳茹;徐思雅 -专利权人：国网河北省电力有限公司雄安新区供电公司;北京邮电大学;国家电网有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01Q1/52 文献下载
摘要：本发明提供一种双介质层金属墙去耦结构，包括：公共接地板上设置有介质基板；两组天线组件对称设置在介质基板上；金属墙垂直贯穿介质基板，并与公共接地板连接，金属墙位于两组天线组件之间；金属墙的两个相对表面对称设置有多个尺寸相同的金属条带；多个金属条带包括：第一金属条带、第二金属条带和第三金属条带，第一金属条带和第三金属条带分别位于金属墙的两端，第二金属条带位于第一金属条带和第三金属条带之间，每个金属条带的长度方向沿金属墙的宽度方向设置，每个金属条带的长度与金属墙的宽度相同；其中，第二金属条带邻近天线组件的微带线设置。本发明提供的双介质层金属墙去耦结构，既达到了较好的去耦效果又修正了H面的辐射方向图。
一种介质金属墙去耦结构

[发明专利]钢板-砼组合剪力墙预热钢板消除砼收缩裂缝施工方法-CN201210160003.2有效
发明人：张琨 -专利权人：中建三局建设工程股份有限公司
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： E04G21/02 文献下载
摘要：一种钢板-砼组合剪力墙预热钢板消除砼收缩裂缝施工方法，步骤一、在建筑物的钢板-砼组合剪力墙施工前，在剪力墙钢板上敷设导热盘管；步骤二、当剪力墙钢板现场安装完成后，先利用导热介质注入系统向导热盘管中注入带有预设温度的导热介质，同时通过测温系统观察剪力墙钢板的温度变化，使剪力墙钢板达到设定温度并产生一定的预膨胀，然后再进行钢板-砼组合剪力墙中的砼浇筑施工；步骤三、待砼终凝，根据砼的自身收缩率，通过导热介质注入系统调节注入导热盘管的导热介质温度及流量，由此来控制剪力墙钢板的温度。本方法可有效控制剪力墙钢板的温度，避免因剪力墙钢板与砼变形不一致导致的砼收缩裂缝。
钢板组合剪力预热消除收缩裂缝施工方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210405828.X在审
发明人：李凤美;李政宁;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区和第二区；在衬底上形成介质层、第一侧墙、第二侧墙、第一栅介质层及第二栅介质层；在介质层上和第一栅极开口内形成暴露出第二栅极开口的牺牲层；对第二侧墙进行补偿处理，在各个第二侧墙内掺杂补偿离子，使得刻蚀工艺对各个第二侧墙的刻蚀速率差在预设范围内。通过在各个第二侧墙内掺杂补偿离子，以弥补若干第二侧墙因前序制程所带来的材料差异，提高在刻蚀第二栅介质层时，对各个第二侧墙的刻蚀均一性，进而保证被去除的各个第二侧墙的高度保持均衡，使得后续形成的第二栅极层的高度保持均衡
半导体结构形成方法

[发明专利]具有电介质栅极墙和电介质栅极插塞的集成电路结构-CN202211005222.3在审
发明人： M·K·哈兰;M·哈桑;T·加尼;A·S·默西 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述了具有电介质栅极墙和电介质栅极插塞的集成电路结构，以及制造具有电介质栅极墙和电介质栅极插塞的集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括具有突出于浅沟槽隔离(STI)结构上方的部分的子鳍。栅极电介质材料层在子鳍的突出部分之上，在STI结构之上，并围绕水平堆叠的纳米线。导电栅极层在栅极电介质材料层之上。导电栅极填充材料在导电栅极层之上。电介质栅极墙与子鳍和多个水平堆叠的纳米线横向间隔开，电介质栅极墙在STI结构上。电介质栅极插塞在电介质栅极墙上。
具有电介质栅极集成电路结构

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201810662759.4在审
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底上具有伪栅介质膜；在所述伪栅介质膜上形成伪栅极结构，所述伪栅极结构包括伪栅电极层和位于伪栅电极层侧壁的牺牲侧墙；去除所述伪栅极结构两侧的部分伪栅介质膜，直至暴露出衬底表面，在伪栅极结构底部形成伪栅介质层；在形成所述伪栅介质层之后，去除所述牺牲侧墙；在去除所述牺牲侧墙之后，在所述伪栅电极层侧壁和伪栅介质层侧壁形成侧墙结构；在所述伪电极层和侧墙结构两侧的衬底内形成开口
伪栅极结构伪栅电极层伪栅介质层牺牲侧墙介质膜侧壁衬底伪栅去除半导体器件侧墙结构衬底表面伪电极开口暴露

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201310697888.4在审
发明人：刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面具有若干栅极结构，所述栅极结构包括：位于衬底表面的栅介质层、位于栅介质层表面的栅电极层、以及位于栅介质层和栅电极层两侧的侧壁和衬底表面的第一侧墙，所述第一侧墙表面具有第二侧墙；去除所述第二侧墙，暴露出所述第一侧墙；在去除所述第二侧墙之后，在所述第一侧墙表面形成第三侧墙；以第三侧墙和栅极结构为掩膜，在第三侧墙和栅极结构两侧的衬底表面形成导电层；在形成导电层之后，去除第三侧墙，所述去除第三侧墙的工艺不在衬底、导电层和栅极结构表面附着副产物。
半导体器件形成方法

[发明专利]一种宽带双极化滤波天线-CN202110787919.X有效
发明人：任建;侯荣旭;尹应增 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01Q9/04 文献下载
摘要：其特征是：包括第一介质板、第二介质板、第三介质板、第四介质板、第五介质板、辐射贴片、寄生金属环、第一短路墙、第二短路墙、第三短路墙、第四短路墙、反射板和微带功分器；第一介质板水平放置在天线本体的最上层；反射板水平放置在天线本体的最下层，反射板中心刻蚀十字交叉缝隙；在第一介质板和反射板中间有四个中心对称放置的短路墙；第一介质板和反射板分别与短路墙上下垂直；辐射贴片和寄生金属环印刷在第一介质板的下表面，辐射贴片与四个短路墙的一端相连接；短路墙的另一端与反射板的对应位置相连接；反射板的下面印刷微带功分器。
一种宽带极化滤波天线

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202080103614.6在审
发明人：苏博;吴汉洙;郑春生;郑二虎;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构侧壁形成有伪侧墙，伪侧墙侧壁形成有接触孔刻蚀停止层，栅极结构两侧基底内形成有源漏掺杂区；在源漏掺杂区和栅极结构的顶部上方形成牺牲介质层；形成源漏插塞，贯穿源漏掺杂区顶部上方的牺牲介质层并与源漏掺杂区相接触；刻蚀牺牲介质层直至露出伪侧墙的顶部；露出伪侧墙的顶部后，去除伪侧墙，在接触孔刻蚀停止层和栅极结构的侧壁之间形成间隙；形成填充于源漏插塞之间的顶部介质层，顶部介质层还填充于间隙中，或者，顶部介质层密封间隙的顶部，顶部介质层的材料介电常数小于伪侧墙的材料介电常数。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]晶体管的制作方法-CN201010548113.7无效
发明人：何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提出一种晶体管的制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底表面和栅极结构的侧壁和顶部形成氧化层，所述氧化层利用沉积工艺制作；在所述氧化层上形成侧墙介质层；去除位于所述半导体衬底上的侧墙介质层和氧化层，保留位于栅极结构的侧壁和顶部的侧墙介质层和氧化层，所述侧墙介质层和氧化层形成侧墙结构；以所述栅极结构和侧墙结构为掩膜，进行离子注入，在栅极结构和侧墙结构两侧的半导体衬底内形成源区和漏区
晶体管制作方法

[实用新型]可渗透反应墙污水处理试验装置-CN201921690555.8有效
发明人：王瑞;郑刘根;姜春露 -专利权人：安徽大学
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： C02F1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可渗透反应墙污水处理试验装置，包括可渗透反应墙、介质槽、进水箱和出水箱，所述进水箱和出水箱分别设置在介质槽槽长方向上的两侧与介质槽通过水管连通，所述可渗透反应墙平行间隔布置在介质槽内且临近出水箱所在侧布置，所述介质槽内临近进水箱所在侧布置有污料投放管。本实用新型能够适用多种地下水污染情况，判断不同情况下，可渗透反应墙处理污水的能力。
渗透反应污水处理试验装置

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201410196545.4在审
发明人：毛刚;俞少峰;陈林林;杨正睿;虞肖鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成鳍部；在半导体衬底表面形成隔离层；在所述鳍部表面和隔离层表面形成栅介质层；在部分栅介质层表面形成横跨所述鳍部的栅极；在栅介质层和栅极表面形成侧墙材料层；对侧墙材料层进行第一角度等离子体刻蚀，去除鳍部一侧的侧壁上的侧墙材料层；对侧墙材料层进行第二角度等离子体刻蚀，去除鳍部另一侧的侧壁上的侧墙材料层和栅介质层上剩余的侧墙材料层，形成位于栅极侧壁表面的侧墙上述方法可以在形成栅极侧壁上的侧墙的同时，去除位于鳍部侧壁表面的侧墙材料层，提高最终形成的鳍式场效应晶体管的性能。
半导体结构形成方法