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[发明专利]一种防止含水层污染的可渗透反应墙原位修复方法-CN201710257471.4在审
发明人：钱家忠;刘咏;马雷;王龙平;杨章贤;刘建奎 -专利权人：合肥工业大学;安徽省地质环境监测总站
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： B09C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从源头上防止含水层污染的可渗透反应墙原位修复方法，特征是采取水平设置的可渗透反应墙和抽水井；所述可渗透反应墙包括在污染羽流经的路径挖一沟渠，沟渠内挖一水平场地，铺设反应性介质形成水平的可渗透反应墙体，反应性介质材料根据污染物的修复机理选择并分层设置，反应性渗透墙的上方回填土壤或沙土覆盖至与沟渠底部齐平，墙体两侧紧贴沟渠坝埂建设防渗墙，以确保污染水通过可渗透反应材料墙体下渗进入地下含水层；抽水井是指在水平可渗透反应墙中间打一深达地下含水层的井，井壁以防渗材料制成，井底设置过滤介质层，抽出的水来自地下含水层。
一种防止含水层污染渗透反应原位修复方法

[发明专利]一种制作晶体管和半导体器件的方法-CN201110083546.4有效
发明人：尹海洲;骆志炯;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：制作晶体管的方法可以包括：在半导体衬底上确定有源区，在所述有源区上形成栅叠层或伪栅叠层、源漏延伸区、侧墙和源漏区，所述源漏延伸区嵌于所述有源区中且自对准于所述栅叠层或伪栅叠层两侧，所述侧墙环绕所述栅叠层或伪栅叠层，所述源漏区嵌于所述有源区中且自对准于所述侧墙外；至少去除部分所述侧墙，以暴露部分所述有源区；形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述栅叠层或伪栅叠层、所述侧墙和暴露的所述有源区，所述层间介质层材料的介电常数小于被去除的所述侧墙材料的介电常数
一种制作晶体管半导体器件方法

[发明专利]一种利用选择性渗透反应墙技术防治海水入侵的方法-CN201210064131.7有效
发明人：彭昌盛;刘萍;马蕾 -专利权人：中国海洋大学
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： E03B3/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用选择性渗透反应墙技术防治海水入侵的方法，其目的是为了克服人工抽水过程中将淡水与海水一起抽出后排放，避免造成宝贵淡水资源的浪费。本发明通过在陆地(1)和海洋(2)之间建立抽水井(3)，抽水井(3)的井壁和底板采用选择性渗透反应墙(4)。选择性渗透反应墙(4)由多孔介质(6)和盐敏性材料(7)组成。在淡水环境中，盐敏性材料(7)吸水膨胀，堵塞了多孔介质(6)的孔隙，淡水(5)不能透过选择性渗透反应墙(4)进入抽水井(3)；在海水环境中，盐敏性材料(7)脱水收缩，多孔介质(6)的孔隙连通，海水(8)能够透过选择性渗透反应墙(4)进入抽水井(3)。以这种选择性渗透反应墙为基础建立的抽水井，既能预防海水入侵，也能治理海水入侵。
一种利用选择性渗透反应技术防治海水入侵方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法、晶体管-CN201910697155.8有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法、晶体管，形成方法包括：提供基底，基底上形成有伪栅层，伪栅层侧壁上形成有侧墙，伪栅层和侧墙露出的基底上形成有层间介质层，层间介质层露出伪栅层和侧墙的顶部；去除部分高度的伪栅层，形成剩余伪栅层，且剩余伪栅层和侧墙围成凹槽；沿垂直于凹槽侧壁的方向，对剩余伪栅层露出的侧墙进行减薄处理；在减薄处理后，去除剩余伪栅层，在层间介质层内形成栅极开口；在栅极开口中形成金属栅极结构。通过减薄处理，使侧壁上形成有剩余侧墙的栅极开口呈T字型，即增大了栅极开口的顶部开口尺寸，从而降低了金属栅极结构在栅极开口内的形成难度，即有利于提高金属栅极结构在栅极开口内的形成质量，进而提高晶体管的性能
半导体结构及其形成方法晶体管

[其他]一种半导体器件-CN201190000065.6有效
发明人：尹海洲;骆志炯;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-02-27 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，包括：半导体衬底，其上依次形成有高k介质层和图形化的栅极；侧墙，其形成于所述栅极周围，其中，所述高k介质层具有被氮化的部分，其位于所述半导体衬底上未被所述栅极覆盖的区域，其中所述氮化的高k介质层还存在于所述半导体衬底与所述侧墙之间。本实用新型将半导体衬底上未被其上的栅极或者侧墙覆盖的高k介质层氮化，在所述高k介质层表面形成氧扩散阻挡层，抑制了氧从水平方向扩散进入栅极下方的高k介质层中，使其不受扩散进入的氧的侵蚀，优化了半导体器件的工作性能
一种半导体器件

[实用新型]一种水流量实验室水池-CN202320680461.2有效
发明人：杨可可;刘彬;付超斌;卢阳;张子康;王开宇 -专利权人：陕西建工集团股份有限公司;陕西建工第五建设集团有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： E03C1/18 文献下载
摘要：包括由前至后依次设置且相互连通的进水仓、初级缓冲仓和终级缓冲仓，进水仓和初级缓冲仓通过第一分隔墙分隔，初级缓冲仓和终级缓冲仓通过第二分隔墙分隔，进水仓的前壁上设置有进水管，终级缓冲仓的后壁上设置有出水管，终级缓冲仓包括终缓仓第一侧墙和终缓仓第二侧墙，终缓仓第一侧墙包括终缓仓起始侧墙、凸扩侧墙和终缓仓终止侧墙，终缓仓终止侧墙和终缓仓第二侧墙之间的宽度大于终缓仓起始侧墙和终缓仓第二侧墙之间的宽度，终缓仓终止侧墙与终缓仓起始侧墙的长度之和小于终缓仓第二侧墙的长度本实用新型通过进水仓、初级缓冲仓和终级缓冲仓连续对水介质进行干预，实现终级缓冲仓流出的水介质稳定。
一种水流实验室水池

[发明专利]自对准双极晶体管及其制作方法-CN201010027294.9有效
发明人：陈帆;张海芳;徐炯;范永洁 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准双极晶体管及其制作方法，包括：低阻集电极区，低阻集电极区上方有本征集电极区，本征集电极区上方有本征基区和位于本征集区两侧的基区连接区，基区连接区外侧为重掺外基区，基区连接区上方有内侧墙，内侧墙外侧有介质膜隔离层，内侧墙包围发射极；在外基区的多晶硅层、多晶硅发射极和集电极引出区上有金属硅化物，在硅表面淀积有介质层，在介质中有接触孔；所述外基区硅化物区离本征基区的尺寸为介质隔离区的宽度和内侧墙宽度之和；发射极上表面平整；介质膜隔离层同时作为器件发射极与外基区之间的侧墙隔离。
对准双极晶体管及其制作方法

[发明专利]一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法-CN201010571163.7有效
发明人：蒋莉;黎铭琦 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有牺牲氧化层、多晶硅栅极、氧化硅层和阻挡层，所述位于多晶硅栅极两侧氧化硅层侧面的阻挡层与氧化硅层构成侧墙；形成第一层间介质层；研磨第一层间介质层至露出阻挡层；去除侧墙及多晶硅栅极顶部的阻挡层，并去除预定厚度的侧墙中阻挡层；形成第二层间介质层；研磨第二层间介质层至露出多晶硅栅极；去除所述多晶硅栅极和牺牲氧化层，且使层间介质层和侧墙中氧化硅层表面与侧墙中阻挡层表面齐平
一种金属栅极 mos 晶体管形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710363126.9有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括，去除伪栅极，在伪栅结构之间的基底上形成介质层；在所述介质层中形成开口，所述开口底部露出伪栅介质层；在所述开口内壁形成阻挡层；去除所述阻挡层和伪栅介质层，露出所述开口底部的基底及开口内壁的所述侧墙由于所述侧墙内壁受到了阻挡层的保护，因此避免了去除过程中对所述侧墙的损伤，为后续形成栅极结构提供了良好的工艺基础，从而提高了所形成半导体的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种用于卫星通信的宽带低仰角高增益圆极化微带天线-CN201810538797.9在审
发明人：唐璞;周晓雨;冯梅;陈波;何子远;田径;潘春洋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于卫星通信的宽带低仰角高增益圆极化微带天线，所述微带天线包括：在竖直方向从上到下依次排列的：第一层介质基板、第二层介质基板、金属地板；第一层介质基板与第二层介质基板之间、第二层介质基板与金属地板之间均通过介质等高柱连接固定；辐射贴片固定在第一层介质基板的上表面，金属底板固定在第二层介质基板的上表面，威尔金森功分器固定在第二层介质基板的下表面，折叠导电墙与金属地板接触，折叠导电墙套设在第一层介质基板和第二层介质基板的外侧，并向第一层介质基板和第二层介质基板内侧折叠，并且折叠导电墙对辐射贴片进行部分封闭；实现了结构简单，宽带低仰角高增益的技术效果。
介质基板第一层折叠金属地板微带天线导电墙低仰角高增益宽带辐射贴片卫星通信上表面圆极化威尔金森功分器从上到下技术效果金属底板连接固定依次排列等高柱下表面竖直封闭

[实用新型]一种宽带低仰角高增益圆极化微带天线-CN201820820527.2有效
发明人：唐璞;周晓雨;冯梅;陈波;何子远;田径;潘春洋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种宽带低仰角高增益圆极化微带天线，所述微带天线包括：在竖直方向从上到下依次排列的：第一层介质基板、第二层介质基板、金属地板；第一层介质基板与第二层介质基板之间、第二层介质基板与金属地板之间均通过介质等高柱连接固定；辐射贴片固定在第一层介质基板的上表面，金属底板固定在第二层介质基板的上表面，威尔金森功分器固定在第二层介质基板的下表面，折叠导电墙与金属地板接触，折叠导电墙套设在第一层介质基板和第二层介质基板的外侧，并向第一层介质基板和第二层介质基板内侧折叠，并且折叠导电墙对辐射贴片进行部分封闭；实现了结构简单，宽带低仰角高增益的技术效果。
介质基板第一层折叠金属地板微带天线导电墙低仰角高增益宽带辐射贴片上表面圆极化威尔金森功分器本实用新型从上到下技术效果金属底板连接固定依次排列等高柱下表面竖直封闭

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201010142037.X无效
发明人：骆志炯;朱慧珑;尹海洲 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-04-07 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，所述方法在形成栅堆叠后，在NMOS区域的第一栅堆叠上形成第一侧墙缓冲层；然后在PMOS区域的第二栅堆叠上形成第二侧墙；其中第一侧墙缓冲层由氮化物或氧化物材料形成，第二侧墙由低k介质材料形成；然后在氧环境中进行高温退火，以使氧气环境中的氧原子通过所述第二侧墙扩散到所述第二栅堆叠的高k栅介质层中，而第一侧墙缓冲层阻挡氧原子扩散至第一栅堆叠中。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]FinFET器件及其制作方法-CN201310754231.7在审
发明人：隋运奇;韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：器件及其制作方法，包括：提供衬底，在衬底上形成鳍部；在衬底以及鳍部上覆盖牺牲层；图形化牺牲层以形成空隙，空隙用于暴露出用作沟道区的部分鳍部；去除暴露出的鳍部的材料，使暴露出的鳍部的截面呈上小下大的形状；在空隙中填充介质层材料；去除部分介质层材料，保留空隙的侧壁上的部分介质层材料以形成侧墙；在空隙中的侧墙之间填充并形成栅极。本发明具有以下优点：使鳍部的侧壁倾斜以便于在覆盖介质材料层后去除位于鳍部侧壁的介质材料层，仅保留位于牺牲层的空隙侧壁的部分作为栅极的侧墙；用牺牲层遮挡住部分鳍部，而仅露出需要与形成的栅极相接触的部分鳍部，使得剩余的被遮挡的鳍部尽量不受形成侧墙等步骤的影响。
finfet 器件及其制作方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201510355042.1在审
发明人：黄敬勇;何其暘 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；形成位于半导体衬底表面的栅介质层和覆盖栅介质层的第一栅电极层；形成覆盖所述栅介质层和第一栅电极层侧壁的侧墙；形成位于侧墙两侧的半导体衬底内的源极和漏极；形成牺牲层，所述牺牲层覆盖部分侧墙、半导体衬底表面、源极和漏极，但暴露出第一栅电极层表面；去除部分厚度的第一栅电极层，形成第二栅电极层；形成第二栅电极层后，去除所述牺牲层；形成覆盖第二栅电极层、侧墙、半导体衬底表面、源极和漏极的层间介质层；形成贯穿层间介质层的多个开口和位于所述开口内，与第二栅电极层、源极和漏极相接触的导电插塞。
半导体器件形成方法

[发明专利]一种表面增强拉曼散射基底-CN202111640957.9在审
发明人：田毅;褚卫国;陈佩佩;胡海峰 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明涉及一种表面增强拉曼散射基底，所述表面增强拉曼散射基底包括衬底，设置于衬底一侧表面的墙阵列，以及设置于墙阵列表面的等离子体共振纳米结构层；所述墙阵列包括平面介质格栅，以及覆盖所述平面介质格栅与衬底表面的金属膜层本发明通过在SERS基底设置墙阵列结构以及覆盖墙阵列结构的等离子体共振纳米结构层，使表面等离激元波对表面等离子体共振的激发最大化，从而得到具有高灵敏度以及高均一性的表面增强拉曼散射基底。
一种表面增强散射基底