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[发明专利]改善SONOS器件失效的方法-CN202210638031.4在审
发明人：曹俊;吴兵;陆涵蔚 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：栅极结构包括由第一氧化层、第二氮化层及第三氧化层叠加而成的ONO层及形成于所述ONO层表面的多晶硅栅；于所述ONO栅极结构的表面及侧壁形成第四氧化层，且所述第四氧化层延伸至所述半导体衬底的表面；于所述第四氧化层的表面形成侧墙介质层；利用第一刻蚀工艺刻蚀所述侧墙介质层以于所述第四氧化层表面形成所述多晶硅栅的侧墙，同时去除所述ONO栅极结构下方以外区域的所述侧墙介质层。
改善 sonos 器件失效方法

[发明专利]一种FinFET侧墙的制作方法-CN201811560774.4有效
发明人：曾绍海;李铭;左青云 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种FinFET侧墙的制作方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成FinFET的鳍部和栅极；步骤S02：在所述半导体衬底上淀积介质层，将所述鳍部和栅极完全覆盖；步骤S03：在所述栅极两侧的所述介质层中形成深槽；步骤S04：在所述深槽中淀积侧墙材料；步骤S05：去除所述深槽之外多余的侧墙材料；步骤S06：去除介质层材料，在所述栅极两侧形成侧墙。
一种 finfet 制作方法

[发明专利]闪存元胞间侧墙制作方法和闪存元胞-CN202310834535.8在审
发明人：孙文建;朱景润 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域具体涉及一种闪存元胞间侧墙制作方法和闪存元胞。方法包括以下步骤：提供基底层上形成有多个闪存元胞的半导体器件，相邻两个闪存元胞之间形成用于制作闪存引出结构的沟槽；在半导体器件上依次沉积介质层；形成带有刻蚀窗口的刻蚀阻挡结构，刻蚀阻挡结构覆盖在介质层，沟槽顶角区域处的介质层从刻蚀窗口中外露；通过干法刻蚀去除沟槽顶角区域处的介质层部分，扩展沟槽顶部的侧壁形成倾角；湿法清洗半导体器件后，刻蚀去除剩余介质层覆盖在闪存元胞顶面和基底层表面的部分，保留剩余介质层覆盖在闪存元胞侧面的部分形成闪存元胞间侧墙，侧墙的顶部倾斜形成倾角。
闪存元胞间侧墙制作方法

[发明专利]闪存存储单元及其形成方法-CN201410425321.6有效
发明人：于涛;肖军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：一种闪存存储单元及其形成方法，闪存存储单元包括衬底，所述衬底表面具有第一介质层；位于所述第一介质层表面的浮栅，所述浮栅内具有第二开口；位于所述第二开口底部的衬底内的源线掺杂区；位于所述浮栅表面和第二开口底部的衬底表面的第二介质层；位于所述第二介质层表面的控制栅；位于所述控制栅侧壁表面的第一侧墙；位于所述浮栅侧壁表面的第三介质层；位于所述第一侧墙、控制栅、浮栅和第三介质层两侧的字线；位于所述第一侧墙、控制栅、浮栅和字线两侧的衬底内的位线掺杂区
闪存存储单元及其形成方法

[实用新型]限流防电墙一体阀-CN202120141068.7有效
发明人：曲胜;朱洲阳 -专利权人：佛山市九龙机器有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： F16K17/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及热水器设备技术领域，尤其是指限流防电墙一体阀，流动介质先通过流管进入到防电墙壳体内部上端的螺旋槽内流动至连接槽孔，通过隔板上所设置有的通孔进入到防电墙壳体内部下端的螺旋槽内流动至连接槽孔，从而进入限流组件中，主要是通过增加螺旋槽，使得流动介质流动时阻值增大，减小电流，在流动介质所产生的的压力过大时，会对限流阀芯产生压力，使得限流阀芯压动调节弹簧、复位弹簧，并在产生限流所需的空隙和限流孔处流出，再回到正常流动介质时，压力过小，限流阀芯会受复位弹簧的反作用力复位，避免流动介质排放过多，并可通过调节限位调节螺母位置，改变流动介质移动限流阀芯所需的压力。
限流防电墙一体

[发明专利]拼接墙语音控制方法、系统、可读存储介质和设备-CN201810949945.6在审
发明人：蔡美娴 -专利权人：威创集团股份有限公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G10L15/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种拼接墙语音控制方法、系统、可读存储介质和设备，属于拼接墙技术领域，获取拼接墙用户发出的语音信号，对语音信号进行识别，获得语音识别数据，利用语音识别数据对拼接墙进行控制操作，从而使拼接墙用户在使用拼接墙时，可以获取用户的语音信号，对其进行识别之后自动控制拼接墙，用户在使用过程中无需增加拼接墙后台操作人员进行后台控制，实现拼接墙的智能交互，同时保证控制的准确性，提高拼接墙的易控性。
拼接墙语音信号可读存储介质语音控制语音识别后台操作后台控制智能交互易控性保证

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011094542.1在审
发明人：金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底、栅极结构、栅极盖帽层、侧墙、源漏掺杂区、底部介质层、源漏接触层以及源漏盖帽层；在底部介质层上形成顶部介质层，覆盖栅极盖帽层、源漏盖帽层和侧墙；形成贯穿第一区域的顶部介质层和源漏盖帽层的源漏通孔，暴露出源漏接触层的顶面；形成贯穿第二区域的顶部介质层和栅极盖帽层的栅极通孔，暴露出栅极结构的顶面；其中，在形成源漏通孔和栅极通孔中任意一个或两个的步骤中，去除对应区域的部分高度侧墙，形成位于对应通孔侧壁上且覆盖侧墙顶部的刻蚀阻挡层
半导体结构及其形成方法

[发明专利]闪存器件的制造方法-CN202310320106.9在审
发明人：张连宝 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种闪存器件的制造方法，在衬底上依次形成浮栅层、层间介质层、控制栅层和具有开口的硬掩膜层；在开口侧壁上形成第一侧墙并去除开口暴露的控制栅层；在开口侧壁上形成第二侧墙，同时去除开口底部暴露的层间介质层，以使所述开口下方的浮栅层暴露；去除开口底部暴露的浮栅层，并在所述开口内形成字线；以及，去除所述硬掩模层及其下方的控制栅层、层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅。本发明取消了第二侧墙的制备工艺之前进行的层间介质层的湿法刻蚀工艺，使所述层间介质层在所述第二侧墙的制备过程中保护浮栅层不受刻蚀损伤，从而确保后续形成的浮栅及浮栅尖端的形貌稳定，提高了产品性能的稳定性及良率
闪存器件制造方法

[发明专利]一种堆叠纳米片GAA-FET器件及其制作方法-CN202211540309.0在审
发明人：姚佳欣;魏延钊;张青竹;殷华湘 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供一种堆叠纳米片GAA‑FET器件及其制作方法，在衬底上形成第一半导体层和第二半导体层交替层叠的堆叠层；刻蚀堆叠层形成鳍；从外向内刻蚀第一半导体层两端的部分区域，在第一半导体层两端形成第二侧墙；去除第一半导体层释放纳米片沟道，第二半导体层作为沟道；横向刻蚀第二侧墙和沟道的交叠区域形成空隙；在空隙中形成界面氧化层和第一高k介质层；在第一高k介质层和第二侧墙之间，以及环绕沟道形成第二高k介质层，并形成包围沟道的金属栅在沟道和第二侧墙之间形成界面氧化层、第一高k介质层和第二高k介质层，抑制金属栅产生的电场向源漏区和沟道的交叠区域传导，减弱交叠区域的电场强度，抑制带带隧穿漏电，避免器件关态漏电。
一种堆叠纳米 gaa fet 器件及其制作方法

[发明专利]Flash器件源极多晶硅的形成方法-CN201510080812.6有效
发明人：程晓华 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种Flash器件源极多晶硅的形成方法，包括如下步骤在半导体衬底表面依次形成栅介质层、多晶硅栅和第一氮化硅层和第二介质层；进行光刻刻蚀打开源区形成区域；在栅极结构的侧面形成第一和第二侧墙；进行第三多晶硅层生长；以第二介质层为终止层进行化学机械研磨，通过调节第二介质层对第三多晶硅层的选择比以及第二侧墙对第三多晶硅层的选择比来减少对源区形成区域的第二侧墙和第三多晶层的过度研磨；采用各向同性干法刻蚀工艺去除第二介质层本发明能提高器件的擦除性能同时能避免保证源极多晶硅和多晶硅栅之间的顶部侧墙被过度研磨以及改善源极多晶硅的顶部表面形貌，从而防止器件漏电并提高器件性能。
flash 器件极多形成方法

[发明专利]半导体器件中金属栅的形成方法-CN200710094378.2有效
发明人：钱文生;吕赵鸿 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-12-06 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件中金属栅的形成方法，通过在栅介质层上先淀积一层金属薄层，然后在栅极两侧分别形成内侧墙，最后再进行物理淀积形成金属栅，由于在金属栅两侧形成有内侧墙，从而增大了栅极到源漏间的电介质厚度，补偿了由于侧墙尺寸的减小而引起的寄生电容的增加，减小了栅极到源漏间的寄生电容。
半导体器件金属形成方法

[发明专利]板状热交换器-CN88106855.1无效
发明人：斯格佛莱德 -专利权人：里恩公司
申请日： 1988-09-23 - 公布日： 1989-07-26 - 主分类号： F28F3/04 文献下载
摘要：板状热交换器具有贯通的上密闭墙和下密闭墙以及在密闭墙之间被整块纵向伸展的隔板分开而成的多个热传递介质的流通管道，在其自由端区设置组成横向管道的集流管，每条流通管道注入到对外封闭的集流管中，集流管带有热传递介质的入流总管和出流总管
热交换器

[发明专利]金属栅极的制造方法-CN201810486044.8有效
发明人：李镇全 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属栅极的制造方法，包括步骤：步骤一、形成多个伪栅结构，由第一侧墙和第二侧墙叠加组成侧墙，接触孔刻蚀停止层和层间膜；第二侧墙的材料的刻蚀速率和两侧的第一侧墙和接触孔刻蚀停止层的刻蚀速率不同步骤二、自对准刻蚀去除第二侧墙并形成第一间隙。步骤三、淀积第三介质层填充第一间隙，利用第一间隙的顶部和底部的填充速率差异使第三介质层在第一间隙的顶部产生封口并在第一间隙的底部保留空隙从而形成间隙侧墙。本发明能形成间隙侧墙，能通过间隙侧墙降低侧墙的介电常数，从而能降低栅极寄生电容并提高器件的频率特性。
金属栅极制造方法

[发明专利]闪存器件的制造方法-CN202310626327.9在审
发明人：张连宝 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B41/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种闪存器件的制造方法，在衬底上依次形成浮栅层、层间介质层、控制栅层和具有开口的硬掩膜层；在所述开口的侧壁上形成第一侧墙，去除所述开口暴露的控制栅层及其下方的层间介质层；在所述开口的侧壁上形成第二侧墙，去除所述开口底部的浮栅层，以暴露所述开口下方的衬底；在所述开口内形成字线；去除所述硬掩模层，回刻所述第一侧墙，以减小所述第一侧墙的宽度；去除暴露的控制栅层及其下方的层间介质层和浮栅层，以形成控制栅和浮栅本发明通过减小第一侧墙的宽度增大了浮栅和控制栅与后续形成的电连接件之间的距离，从而减小或避免浮栅和控制栅与电连接件之间发生击穿，提高了闪存器件的耐压性能。
闪存器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910097625.7有效
发明人：宋春;裴明俊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：所述第一阱区和第二阱区的导电类型相反；在所述基底上形成第一栅极结构和第二栅极结构，所述栅极结构位于部分第二阱区表面和部分第一阱区表面，所述第二栅极结构位于第一阱区表面，所述第二栅极结构与栅极结构之间具有第一开口；在所述第一开口内形成侧墙层，所述侧墙层覆盖第一开口底部和侧墙；在所述基底上形成介质层，所述介质层覆盖第一栅极结构、第二栅极结构和侧墙层；在所述介质层内形成悬浮插塞，所述悬浮插塞位于侧墙层和第二栅极结构上。
半导体器件及其形成方法