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[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201810022624.1在审
发明人：夏雪;刘轶群 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成伪栅极结构、以及位于所述伪栅极结构侧壁的第一侧墙；在基底上形成介质层，所述介质层覆盖所述第一侧墙的侧壁；去除部分伪栅极结构形成第一伪栅极结构，在介质层内形成第一开口，所述第一开口底部表面距离介质层顶部表面的距离为第一距离；形成第一开口后，去除第一开口侧壁暴露出的第一侧墙以形成第一修正侧墙，并且在介质层内形成第二开口，第二开口暴露出第一修正侧墙顶部表面；形成第二开口后，去除第一伪栅极结构，在介质层内形成栅开口；形成栅开口后，在所述栅开口内形成栅极结构。
介质层伪栅极结构侧墙开口半导体器件栅开口基底去除顶部表面侧壁修正底部表面开口侧壁栅极结构暴露覆盖

[发明专利]栅极的形成方法-CN201310124027.7有效
发明人：王新鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极的形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅介质材料层，所述栅介质材料层上具有保护材料层，所述保护材料层上具有伪栅材料层；刻蚀所述伪栅材料层，在所述保护材料层上形成伪栅；在所述伪栅的侧壁表面外延形成第一侧墙；以所述伪栅和所述第一侧墙为掩膜刻蚀所述保护材料层，形成保护层，所述保护层的宽度大于所述伪栅的宽度；在所述第一侧墙的侧壁表面外延形成第二侧墙；以所述伪栅和第二侧墙为掩膜刻蚀所述栅介质材料层，形成栅介质层，所述栅介质层的宽度大于所述保护层的宽度。本发明所形成的栅极中栅介质层、保护层和伪栅呈阶梯状结构，性能佳。
栅极形成方法

[发明专利]快闪存储器的制造方法-CN201610307807.9在审
发明人：陈宏;曹子贵;王卉;徐涛 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供一种快闪存储器的制造方法，在层间介质层体积侧墙开口表面沉积侧墙材料之后、进行侧墙刻蚀之前，增加了一步化学机械平坦化工艺来减薄该层间介质层上方的侧墙材料，使所述层间介质层上方的侧墙材料厚度不大于所述侧墙开口中的侧墙材料厚度，因此可以更好地监控侧墙刻蚀工艺的刻蚀停止点，避免侧墙开口底部的浅沟槽隔离结构表面过早暴露而遭到刻蚀，使浅沟槽隔离结构不低于有源区而继续保护有源区，在后续浮栅多晶硅刻蚀过程中不会出现有源区顶角凹陷问题，
闪存制造方法

[发明专利]MOS晶体管的制造方法-CN201310109162.4有效
发明人：张海洋;王冬江 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种MOS晶体管的制造方法，包括提供半导体衬底；在半导体衬底上形成多个栅极结构；在栅极结构的两侧形成第一侧墙；以第一侧墙作为掩膜，对半导体衬底进行离子注入，形成源漏离子注入区；去除第一侧墙；在半导体衬底上和栅极结构的四周以及上表面形成第二侧墙层；进行各向同性刻蚀刻蚀第二侧墙层，在栅极结构的两侧形成为第二侧墙，第二侧墙为上窄下宽的三角形，且第二侧墙的底部宽度大于所述第一侧墙的底部宽度；在所述半导体衬底、第二侧墙和栅极结构上沉积层间介质层，层间介质层的上表面和栅极结构齐平所述第二侧墙使得相邻栅极结构之间的第二侧墙和半导体衬底构成的开口为上宽下窄的敞口状，便于填入介质层。
mos 晶体管制造方法

[发明专利]金属栅极的制备方法-CN202211268078.2在审
发明人：连庆庆;蒋中伟 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属栅极的制备方法，包括：在硅衬底上形成具有垂直侧壁的垂直伪栅；形成第一介质层，第一介质层覆盖垂直伪栅的侧壁并形成侧墙；形成第二介质层，第二介质层包围侧墙并覆盖侧墙周围暴露的硅衬底表面；在第二介质层和垂直伪栅上形成具有第一开口的第一硬掩膜，第一开口的宽度大于垂直伪栅的宽度；刻蚀垂直伪栅和侧墙，以去除垂直伪栅并在侧墙内侧形成刻蚀沟槽，刻蚀沟槽的侧壁倾斜且刻蚀沟槽顶部的宽度大于刻蚀沟槽底部的宽度；在刻蚀沟槽底部暴露的硅衬底表面形成栅介质层；在栅介质层上方的刻蚀沟槽内填充金属材料层，形成顶部宽度大于底部宽度的金属栅极。
金属栅极制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201810029722.8有效
发明人：张焕云;吴健 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有伪栅介质层，所述伪栅介质层表面具有伪栅极层，所述伪栅极层侧壁具有侧墙，且所述侧墙位于伪栅介质层的表面，所述基底表面具有第一介质层，所述第一介质层覆盖侧墙的侧壁，且暴露出伪栅极层的顶部表面；去除所述伪栅极层，在所述第一介质层内形成伪栅开口；在所述伪栅开口的侧壁形成第一牺牲层；以所述第一牺牲层为掩膜，去除所述伪栅开口底部的伪栅介质层，在所述侧墙和基底之间形成填充结构
半导体结构及其形成方法

[实用新型]分隔型多孔介质太阳能集热组合墙-CN200820057368.1无效
发明人：陈威 -专利权人：上海海事大学
申请日： 2008-04-17 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： E04B1/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分隔型多孔介质太阳能集热组合墙。该分隔型多孔介质太阳能集热组合墙包括由多孔介质为太阳能集热层的采暖组合墙体，组合墙体外侧安置有透明玻璃结构，透明玻璃结构上下分别设有通风口及挡板，多孔介质太阳能集热层外表面对太阳辐射吸收率较大，位于采暖房蓄热南墙与透明玻璃结构之间；多孔介质分别与蓄热南墙和玻璃板之间留有空气夹层。需要指出的是，方案中采用的多孔介质的孔隙率在0.1至0.45之间；粒径在0.1cm至3cm之间。另外，多孔介质的材料采用石英岩，大理石，混凝土板。
分隔多孔介质太阳能组合

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110608509.4在审
发明人：于海龙;荆学珍;张浩;郑春生 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层内形成相互分立的若干栅电极、以及至少位于栅电极顶面的覆盖结构，所述覆盖结构包括主体层、以及位于主体层侧壁面的第一侧墙；在所述第一介质层和覆盖结构上形成第二介质层；在所述第一介质层和第二介质层内形成第一导电开口；在所述第一导电开口内形成第一导电结构，所述第一导电结构上具有第二侧墙开口，所述第二侧墙开口的底部暴露出第一侧墙的至少部分顶面和第一导电结构顶面；在第二侧墙开口内的侧壁面形成第二侧墙。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310678208.8在审
发明人：张加亮;郭少辉 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：半导体结构包括：衬底；栅极结构位于衬底上；栅极结构包括：栅极、绝缘隔离侧墙及导电侧墙；栅极包括栅介质层和栅极导电层；栅介质层位于衬底的上表面；栅极导电层位于栅介质层的上表面；绝缘隔离侧墙位于栅极相对两侧的侧壁表面；导电侧墙位于绝缘隔离侧墙远离栅极的表面；源区位于衬底内，且位于栅极的一侧，并与导电侧墙相接触；漏区位于衬底内，且位于栅极远离源区的一侧，并与导电侧墙相接触。可以将导电侧墙直接与源区、漏区与导电侧墙的接触，利用导电侧墙的导电性能，实现底层器件与上层金属的互联，因此，在保证器件集成度的情况下，降低接触孔光刻带来的对准误差，提高了半导体结构的精度。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种双带双极化滤波天线-CN202110787913.2有效
发明人：任建;侯荣旭;尹应增 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01Q9/04 文献下载
摘要：发明属于无线通信领域，特别涉及该领域中的一种双带双极化滤波天线，可用于5G基站应用，其特征是：包括第一介质板、第二介质板、第三介质板、第四介质板、第五介质板、辐射贴片、第一短路墙、第二短路墙、第三短路墙、第四短路墙、寄生金属环、E型交叉寄生枝节、U型寄生枝节、反射板和微带功分器；第一介质板水平放置在整个天线的最上层；反射板水平放置在整个天线的最下层，反射板中心刻蚀十字交叉缝隙；在第一介质板和反射板中间有四个中心对称放置的短路墙；第一介质板和反射板分别与短路墙上下垂直。
一种双带双极化滤波天线

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202111520633.1在审
发明人：薛立平;段松汉;齐翔羽;佟宇鑫;顾林;王虎 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：在所述第一栅极、所述若干第二栅极和所述若干第三栅极的侧壁和顶部表面以及衬底上形成第一介质材料层以及位于所述第一介质材料层上的第一侧墙材料层；回刻蚀所述第一侧墙材料层直至暴露出所述第一介质材料层表面，在所述第一开口侧壁以及所述第三栅极侧壁形成第一侧墙；以所述第一侧墙为掩膜，在所述第一开口下方的存储区内形成存储漏区；在形成所述存储漏区后，去除所述第一开口内的所述第一侧墙；去除所述第一开口内的所述第一侧墙后，在所述第一开口侧壁、所述第三栅极侧壁形成第二侧墙，所述第二侧墙的厚度小于所述第一侧墙的厚度，利于层间介质层在第一栅极和第二栅极之间的填充，从而提高器件的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]图像传感器及其制作方法-CN202211059920.1有效
发明人：陈维邦 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像传感器及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，衬底内形成有光电二极管，相邻光电二极管通过隔离结构隔离；形成位于隔离结构上方的芯轴；在芯轴的侧壁形成侧墙，侧墙的材料包含高k材料；去除芯轴；形成高k介质层覆盖侧墙的侧壁及顶部以及衬底的表面；形成金属格栅在部分相邻侧墙之间，金属格栅位于隔离结构的上方。本发明在衬底上形成高k介质层以及包含有高k材料的侧墙，能够防止暗电流的产生，并且高k介质层位于金属格栅的底部以及侧墙的侧壁及顶部，具有不同的高度，形成高低不同的起伏状态，能够更好的防止暗电流的产生，并且高k介质层包围金属格栅与侧墙，能够有效抑制相邻光电二极管区域之间的干扰效应。
图像传感器及其制作方法

[发明专利]栅极侧墙的制造方法-CN200610119167.5有效
发明人：杜珊珊;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种栅极侧墙的制造方法，包括：提供一具有栅极的半导体基底，在所述半导体基底上沿所述栅极表面形成有介质层；测量所述栅极侧壁的介质层的厚度，并计算所述厚度与侧墙目标厚度的差值；根据所述差值和对所述介质层的刻蚀速率计算刻蚀时间T；对所述介质层进行T时间刻蚀。该方法能够弥补沉积的介质层的厚度的变化，克服由于介质层厚度不同引起的刻蚀后侧墙厚度一致性不好问题。
栅极制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201310315010.X有效
发明人：林益梅 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；在半导体衬底表面形成第一介质层和浮栅层；在浮栅层表面形成具有若干开口的第二介质层；在所述第二介质层和开口的内壁表面形成第一侧墙材料层，第一区域上的第一侧墙材料层的厚度大于第二区域上侧墙材料层的厚度；对第一侧墙材料层进行化学机械研磨处理，使第一区域上的第一侧墙材料层的顶部表面低于或等于第二区域上的第一侧墙材料层的顶部表面；刻蚀所述第一侧墙材料层，在所述第二介质层的侧壁表面形成第一侧墙，位于第一区域上的第一侧墙厚度与第二区域上的第一侧墙的厚度相同。
半导体结构形成方法

[发明专利]浮栅的形成方法-CN201310754027.5有效
发明人：张庆勇;周儒领 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种浮栅的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成图案化的掩膜层，以所述图案化的掩膜层为掩膜刻蚀所述衬底，在所述衬底上形成多个沟槽；在所述沟槽内填充介质层，所述介质层与所述掩膜层相平；去除所述掩膜层，在所述高于衬底的介质层周围形成侧墙；形成浮栅介质层，覆盖衬底表面；在所述浮栅介质层上形成浮栅。在所述高于衬底的介质层周围形成侧墙，侧墙的厚度弥补了介质层在宽度方向上损失的尺寸，侧墙与介质层共同作为后续的两个相邻的浮栅之间的隔离，从而防止后续形成的两个浮栅之间的距离太近，避免了浮栅与浮栅之间的相互干扰
形成方法