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[发明专利]多孔硅基气体传感器及其应用于气体检测的方法-CN201611141046.0在审
发明人：焦继伟;袁素珺 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明提供一种多孔硅基气体传感器及其应用于气体检测的方法，所述多孔硅基气体传感器包括由经同种方法改性的下层多孔硅及上层多孔硅组成的双层改性多孔硅；所述下层多孔硅与所述上层多孔硅连通，且所述下层多孔硅底部封闭；所述上层多孔硅吸附的气体可进入所述下层多孔硅中；所述上层多孔硅的平均孔径大于所述下层多孔硅的平均孔径；所述双层多孔硅的改性方法包括气相法或液相法。本发明的多孔硅基气体传感器可持续地对气体进行检测，且在断电后仍可发挥作用，具有低能耗、无需活化、低成本的优点。同时，多孔硅制备简单成本低廉，无需考虑循环利用等问题，在实际应用中本发明中的多孔硅基传感器可直接抛弃替换。
多孔硅多孔硅基下层气体传感器改性上层平均孔径气体检测应用底部封闭简单成本循环利用传感器低成本低能耗气相法液相法断电活化连通吸附制备替换抛弃检测

[发明专利]绝缘体上的硅(SOI)衬底的制造工艺-CN96121530.5无效
发明人：阿闭忠司 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1996-12-12 - 公布日： 2001-12-26 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种ＳＯＩ衬底的制造工艺有效地除去在多孔硅区上的非多孔硅区，并解决了玻璃衬底刻蚀时不可避免的问题和需要较厚的多孔硅区的问题。该工艺包括使单晶硅衬底的表面层成为多孔以形成多孔单晶硅区；在多孔单晶硅区的表面上形成第二非多孔单晶硅区；将支撑衬底通过绝缘区键合到第二非多孔单晶硅区的表面；除去第一非多孔单晶硅区；以及除去多孔单晶硅区，其中除去第一非多孔单晶硅区包括进行干法刻蚀的步骤，在该干法刻蚀中非多孔单晶硅区的刻蚀速率大于多孔单晶硅区的刻蚀速率。
绝缘体 soi 衬底制造工艺

[发明专利]一种锂离子电池纳米多孔硅负极材料的制备方法-CN201910638199.3有效
发明人：马文会;席风硕;李绍元;张钊;崔洪旗;杨婷婷;魏奎先;陈正杰;谢克强;伍继君;雷云;杨斌;戴永年 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池纳米多孔硅负极材料的制备方法，属于新能源材料和电化学技术领域。本发明在保护气体氛围中，将硅料粉碎细磨至微纳米级硅粉，再进行破碎预处理并洗去硅粉表面的金属纳米颗粒，烘干得到纳米级硅粉；将纳米级硅粉再进行一步法或两步金属纳米颗粒辅助化学刻蚀，固液分离，烘干得到纳米多孔硅/金属复合材料；或者采用洗涤剂去除纳米多孔硅表面的金属纳米粒子，固液分离，烘干得到纳米多孔硅；将纳米多孔硅/金属复合材料或纳米多孔硅进行氧化处理得到氧化纳米多孔硅/金属复合材料或氧化纳米多孔硅，纳米多孔硅/金属复合材料、纳米多孔硅、氧化纳米多孔硅/金属复合材料或氧化纳米多孔硅即为锂离子电池纳米多孔硅负极材料。
一种锂离子电池纳米多孔负极材料制备方法

[发明专利]用于制备多孔硅微粒的电化学和化学蚀刻的组合方法-CN201480004088.2在审
发明人： S·L·比斯瓦尔;M·S·王;M·塔库尔;S·L·辛萨伯格 -专利权人：威廉马歇莱思大学;洛克西德马丁有限公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及通过下述制备多孔硅微粒的方法：(a)电化学蚀刻硅基材,其中电化学蚀刻包括将硅基材暴露于电流密度,和其中电化学蚀刻在硅基材上制备多孔硅膜；(b)从硅基材分离多孔硅膜,其中该分离包括以连续增量逐渐增加电流密度；(c)多次重复步骤(a)和(b)；(d)根据步骤(a)电化学蚀刻硅基材以在硅基材上制备多孔硅膜；(e)化学蚀刻多孔硅膜和硅基材；和(f)裂解多孔硅膜和硅基材以形成多孔硅微粒。本发明的其它实施方式涉及形成的多孔硅微粒和包含它们的阳极材料。
用于制备多孔微粒电化学化学蚀刻组合方法

[发明专利]自支撑多孔硅薄膜的制备方法-CN202111453773.1在审
发明人：吕长武;马仲伟;陈恒雷 -专利权人：新疆大学
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种自支撑多孔硅薄膜的制备方法，具体地涉及在单晶硅基底上通过电化学脉冲腐蚀一层厚度几微米的纳米多孔硅薄膜后，利用大电流脉冲及滴蜡的方法将多孔硅薄膜完整的从基底剥离，获得自支撑的多孔硅薄膜。本发明提供了从硅基底剥离多孔硅薄膜的方法。即在新制备多孔硅上施加大的脉冲电流使多孔硅的底部产生一层大孔隙率的牺牲层后，用滴蜡的方法把多孔硅薄膜从硅基底完整剥离。这种自支撑多孔硅薄膜的制备方法获得的自支撑多孔硅薄膜具有结构完整，操作简单，成本低廉，薄膜的化学性质得以保持的优点。
支撑多孔薄膜制备方法

[发明专利]一种多孔硅纳米线复合结构及其制备方法-CN201711252700.X在审
发明人：王耀功;周璇;张小宁;王文江 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了种多孔硅纳米线复合结构及其制备方法，属于硅纳米线制备技术领域。采用的技术方案为：一种多孔硅纳米线复合结构，包括硅衬底，在硅衬底上表面设有多孔硅层，在多孔硅层上表面设有硅纳米线层。所述多孔硅纳米线复合结构的制备方法，在硅衬底表面刻蚀得到多孔硅层，在多孔硅层表面进行电催化金属辅助刻蚀制备硅纳米线层。本发明方法刻蚀速率大大提高，缩短了刻蚀时间；能够形成均匀的多孔硅纳米线；能够以通过控制电流大小及刻蚀时间达到控制纳米线形貌的作用；制备工艺简单，成本较低，快速高效。
一种多孔纳米复合结构及其制备方法

[发明专利]一种自支撑多孔硅/ZnO复合材料的制备方法-CN202011204947.6在审
发明人：蒋鹏;范月华;郑菲;印旭超 -专利权人：马鞍山安慧智电子科技有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：发明公开了一种自支撑多孔硅/ZnO复合材料的制备方法，其制备步骤包括如下：自支撑多孔硅的制备，采用p型单晶硅的多步阳极氧化腐蚀为自支撑多孔硅；ZnO籽晶的生长，利用真空抽滤氧化锌溶液分散于多孔硅层之间，在氩气氛围下生长为氧化锌籽晶；复合材料的制备，水热合成法促进多孔硅层之间的氧化锌籽晶生长为纳米氧化锌层，形成一种微纳多孔硅/ZnO复合材料。本发明通过单晶硅多步阳极氧化腐蚀法，来实现多孔硅片层的生长和剥离；通过多孔硅表面的纳米氧化锌层实现了对多孔硅表面的钝化，改善了多孔硅表面高电阻和高反应活性，大大提高了多孔硅的电容特性和电化学稳定性，拓宽了多孔硅在超级电容器领域的应用前景
一种支撑多孔 zno 复合材料制备方法

[发明专利]一种氧化锌-多孔硅复合材料及其制备方法和应用-CN201910444451.7有效
发明人：葛道晗;卢乐;张立强;杨平;丁建宁 -专利权人：江苏大学
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化锌‑多孔硅复合材料及其制备方法和应用，包括以下步骤：多孔硅的制备：利用电化学阳极刻蚀的方法在单晶硅衬底上制备出多孔硅结构；氧化锌溶胶的制备：配制能够提供锌离子的溶胶；复合材料的制备：利用真空抽滤结合匀胶法在多孔硅表面复合纳米氧化锌材料，经过热处理后形成氧化锌包覆的多孔硅/氧化锌复合材料，即氧化锌‑多孔硅复合材料。利用多孔硅表面的纳米氧化锌层实现了对多孔硅表面的钝化，并且利用氧化锌的赝容特性与多孔硅的双电层特性的协同作用大大提高了多孔硅的电容特性、充放电特性和电化学稳定性，改善了多孔硅表面化学特性活跃的问题，拓宽了多孔硅在发光材料
一种氧化锌多孔复合材料及其制备方法应用

[发明专利]电致发光多孔硅材料及其制备方法-CN200510016317.5无效
发明人：杜希文;鲁颖炜;孙景;李竞强 -专利权人：天津大学
申请日： 2005-11-23 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电致发光多孔硅及其制备方法，属于电致发光多孔硅材料技术。所述的电致发光多孔硅材料由硅基底层，在硅基底层一侧的上方为多孔硅层，多孔硅层之上为平均直径为200－500纳米、长度为2－10微米的硅线层构成。其制备方法过程包括将经过清洗的硅片置入由氢氟酸和硝酸银的水溶液中进行化学刻蚀，刻蚀后的硅片再置于氢氟酸、乙醇的水溶液中进行电化学刻蚀制得电致发光多孔硅材料。本发明的优点在于制备过程简单，所制得的电致发光多孔硅材料在多孔硅层上部形成硅线层，从而具有较现有电致发光多孔硅更高效的发光能力。
电致发光多孔材料及其制备方法

[发明专利]多孔质硅粒子及多孔质硅复合体粒子、以及它们的制造方法-CN201180044169.1有效
发明人：吉田浩一;三好一富;久留须一彦;谷俊夫;幡谷耕二;西村健;加藤秀;和田武 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于，得到适于实现高容量和良好的循环特性的锂离子电池用负极材料等的多孔质硅粒子及多孔质硅复合体粒子。本发明提供一种多孔质硅粒子，其是将多个硅微粒接合而成的多孔质硅粒子，且所述多孔质硅粒子的平均粒径为0.1μm～1000μm，所述多孔质硅粒子具备具有连续的孔隙的三维网眼结构，所述多孔质硅粒子的平均孔隙率为另外，还提供一种多孔质硅复合体粒子，其是将多个硅微粒与多个硅化合物粒子接合而成的多孔质硅复合体粒子，其特征在于，所述硅化合物粒子含有硅与复合体元素的化合物，所述多孔质硅复合体粒子的平均粒径为0.1μm～1000μm，多孔质硅复合体粒子具有由连续的孔隙构成的三维网眼结构。
多孔粒子复合体以及它们制造方法

[发明专利]一种硅碳复合材料及其制备方法、锂离子电池-CN201310244277.4有效
发明人：曾绍忠;赵志刚;陈效华;阴山慧 -专利权人：奇瑞汽车股份有限公司
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅碳复合材料及其制备方法、锂离子电池，该方法包括以下步骤：（1）在多孔二氧化硅上包覆多孔碳；（2）用活泼性大于硅的金属将多孔二氧化硅还原成多孔硅，得到多孔碳-多孔硅-金属氧化物的复合物；（3）用酸将多孔碳-多孔硅-金属氧化物的复合物中的金属氧化物腐蚀掉，得到硅碳复合材料。该硅碳复合材料中的多孔硅通过金属热还原法制备，金属热还原法制备的多孔硅颗粒为微米级，所以几乎不发生团聚；且多孔硅颗粒内部的孔壁和孔径为纳米级，与无孔的微米级硅粉相比，缩短了锂离子在硅基体中扩散路径，有利于大电流充放电；多孔硅颗粒内部的孔隙可以容纳硅嵌锂过程中的体积膨胀，延长材料的充放电循环寿命。
一种复合材料及其制备方法锂离子电池

[发明专利]半导体衬底及其制造方法-CN96121054.0无效
发明人：佐藤信彦;米原隆夫;坂口清文 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1996-10-04 - 公布日： 2003-12-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：生产平整、质量好SOI衬底的方法，同时包括多孔形成步骤，在硅衬底的至少一个表面上形成多孔硅层；及大孔隙率层形成步骤，在多孔硅层中形成大孔隙率层。把离子注入多孔硅层并伸入到给定区域，或者在多孔形成步骤中改变阳极氧化的电流密度，进行大孔隙率层形成步骤。在多孔硅层上面外延生长非多孔单晶硅层。把多孔硅层表面和支撑衬底连接在一起，在具有大孔隙率的多孔硅层处进行分离。接着进行选择刻蚀，以便除掉多孔硅层。通过重复利用衬底能节省资源和降低成本。
半导体衬底及其制造方法

[发明专利]提高纳米多孔硅物理微结构和光学特性稳定性的新方法-CN201610889553.6有效
发明人：龙永福 -专利权人：湖南文理学院
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高多孔硅物理微结构和光学特性稳定性的新方法，是在多孔硅膜制备完成后，就立即对多孔硅材料的内表面使用过氧乙酸并加方波信号源进行氧化处理，使多孔硅内表面的硅悬空键和硅‑氢键与过氧乙酸中的氧原子结合或置换形成稳定的硅本发明可提高多孔硅薄膜的物理强度、物理微结构和光学特性的稳定性；有利于制备物理微结构和光学特性稳定的多孔硅厚膜；有利于探索使用多孔硅多层膜用于光子器件中，有可能制备出稳定性较强和均匀性较高的多孔硅多层器件‑‑多孔硅微腔。
光学特性多孔硅微结构制备过氧乙酸多孔硅内表面多孔硅薄膜多孔硅材料多孔硅微腔方波信号源纳米多孔硅多层器件多孔硅膜光子器件硅悬空键氧化处理多层膜均匀性内表面氧原子厚膜氢键氧键置换探索

[发明专利]一种基于倏逝波谐振的多孔硅‑硅‑多孔硅气体传感器-CN201610527961.7在审
发明人：陈颖;罗佩;朱奇光;田亚宁;赵志勇;刘晓飞 -专利权人：燕山大学
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明公开一种基于倏逝波谐振的多孔硅‑硅‑多孔硅气体传感器，包括由多孔硅‑硅‑多孔硅组成的结构，以及在该结构两端进行耦合的硅棱镜，所述多孔硅‑硅‑多孔硅组成的结构通过脉冲电化学腐蚀方法制备，其中硅的折射率nSi＝3.5，光源以一定入射角度θ从硅棱镜工作表面入射，在硅棱镜与多孔硅层界面处发生全反射并产生倏逝波，若倏逝波的穿透深度大于多孔硅层厚度，则倏逝波在中间硅层内发生全反射形成谐振腔并产生谐振峰，当气体进入多孔硅中
一种基于倏逝波谐振多孔气体传感器

[发明专利]一种能稳定多孔硅膜物理微结构的方法-CN201510208176.0有效
发明人：龙永福;王先春;胡惟文;曹斌芳;张爱龙;王津 -专利权人：湖南文理学院
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种能稳定多孔硅膜物理微结构的方法，属半导体材料技术领域。该方法是在多孔硅膜的形成过程中，就对多孔硅膜的内表面使用过氧化氢（H2O2）并使用短波射线照射同时进行氧化处理，边对体硅进行阳极腐蚀，边对其内表面进行氧化处理，使多孔硅膜内表面的硅悬空键与过氧化氢中的氧原子结合形成稳定的硅‑氧键，增强多孔硅膜表面的稳定性和均匀性、光滑度和机械强度，保证多孔硅膜的物理微结构的稳定和均匀。本发明可提高多孔硅膜的物理强度、物理微结构、光学特性的稳定性和均匀性；有利于制备物理微结构稳定的多孔硅膜；有利于探索使用多层多孔硅膜用于光子器件中，有可能制备出稳定性很强和均匀性很高的多层多孔硅膜器件即多孔硅微腔
一种稳定多孔物理微结构新方法

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