[发明专利]包含受光PN结和输出三极管的光敏器件及其构成的光电镊在审

申请号：	202311175944.8	申请日：	2023-09-13
公开（公告）号：	CN116936671A	公开（公告）日：	2023-10-24
发明（设计）人：	冯林;王涛;赵嘉伟;张鹏	申请（专利权）人：	微纳动力（北京）科技有限责任公司
主分类号：	H01L31/11	分类号：	H01L31/11;H01L31/08;G21K1/00
代理公司：	北京冠和权律师事务所 11399	代理人：	徐立新
地址：	100000 北京市海淀***	国省代码：	北京;11
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	本发明涉及光电镊器件领域，更具体的说是包含受光PN结和输出三极管的光敏器件及其构成的光电镊，包括器件，器件包括上电极、下电极、中间介质和光敏层，上电极和下电极之间设置有中间介质和光敏层；优选的，所述的上电极和下电极之间施加交流电压；受光PN结包括N区、耦合区域的P区和光吸收层；输出三极管包括耦合区域的集电区、基区、发射区和金属层；本发明的有益效果为这种光敏器件可以在有较大光电流的同时有保持较低的暗态电流；这种光敏器件阵列可以作为光电镊器件的光敏层，这种光敏器件阵列可以保证在光照时有低电阻率的同时保证大的暗态电阻率，这种特性给光电镊器件提供了更好的操纵效果。
搜索关键词：	包含 pn 输出三极管光敏器件及其构成光电
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申请日： 2023-09-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明涉及光电镊器件领域，更具体的说是包含受光PN结和输出三极管的光敏器件及其构成的光电镊，包括器件，器件包括上电极、下电极、中间介质和光敏层，上电极和下电极之间设置有中间介质和光敏层；优选的，所述的上电极和下电极之间施加交流电压；受光PN结包括N区、耦合区域的P区和光吸收层；输出三极管包括耦合区域的集电区、基区、发射区和金属层；本发明的有益效果为这种光敏器件可以在有较大光电流的同时有保持较低的暗态电流；这种光敏器件阵列可以作为光电镊器件的光敏层，这种光敏器件阵列可以保证在光照时有低电阻率的同时保证大的暗态电阻率，这种特性给光电镊器件提供了更好的操纵效果。

双PN结结构的垂直入射光电探测器及半导体设备-202310065550.0
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摘要：本发明提供了一种双PN结结构的垂直入射光电探测器及半导体设备，光电探测器包括：衬底层；吸收层，其形成在所述衬底层上；两个n型掺杂区，通过对所述衬底层进行n掺杂形成，并位于所述吸收层相对的两侧；两个p型掺杂区，通过对所述衬底层进行p掺杂形成，并位于所述吸收层相对的另两侧；其中，相邻的n型掺杂区和p型掺杂区均形成pn结四个电极，分别设置在4个掺杂区上。本发明由于采用四个电极结构，增强了在吸收层上的电场的分布，同等电场下减小了供电电压，同时相邻的n型掺杂区和p型掺杂区均形成pn结，增加了结面积，即增加了吸收层的有效吸收区域的面积。

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摘要：本发明公开了一种表面优化的异质结紫外光电晶体管及其制备方法，紫外光电晶体管包括N型4H‑SiC衬底；依次设置于所述N型4H‑SiC衬底的上表面的P型4H‑SiC缓冲层、N型4H‑SiC发射区、P型4H‑SiC基区和N型4H‑SiC集电区；梯形凹槽，贯穿所述N型4H‑SiC集电区直至所述P型4H‑SiC基区的上表面；CaFCl层，设置于所述梯形凹槽内，且与所述N型4H‑SiC集电区的上表面齐平；漏斗形槽阵列，设置于所述CaFCl层和所述N型4H‑SiC集电区上；集电极欧姆接触层，设置于所述CaFCl层中间位置的上表面，以及所述N型4H‑SiC集电区两端的上表面；发射极欧姆接触层，设置于所述N型4H‑SiC衬底的下表面。本发明可以应用于高速探测上。

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摘要：本发明公开了一种集成测温单元的SiC顶集电区紫外光电晶体管，包括n型4H‑SiC衬底，n型4H‑SiC衬底的表面向上制作有n+发射区，n+发射区表面中间位置向上制作有p型基区，p型基区表面向上依次为n‑集电区和n+集电区，n+集电区表面向上制作有集电极欧姆接触金属和透明导电薄膜，集电极欧姆接触金属和透明导电薄膜间隔排布于n+集电区表面，且n+集电区表面两侧为集电极欧姆接触金属，集电极欧姆接触金属、n+集电区、n‑集电区和p型基区形成一个整体等，本发明还公开了一种集成测温单元的SiC顶集电区紫外光电晶体管的制备方法，本发明解决了现有技术中存在的SiC紫外光电晶体管响应度低与温度漂移大的问题。

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摘要：本发明为基于极化掺杂的NPN紫外探测器结构。该结构通过在NPN型紫外光电探测器中引入Al组分渐变层替代传统的P型掺杂层，并在或不在AlyGa1‑yN插入层的结构，得到了了三种基于极化掺杂的NPN紫外探测器结构。本发明通过即利用极化效应产生的三维空穴气(3DHG)实现P型掺杂，避免了器件结构内引入的额外的受主杂质，使紫外光电探测器中的电子电流占主导，提高器件的响应速率和响应度。

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摘要：描述了一种用于检测电磁辐射光谱的系统(100)，包括：传感器装置(20，1)，其包括“背靠背”配置的两个光电二极管，并被配置为将入射电磁辐射(EMR)转换为电流，作为依赖于电控制电压的相对光谱响应度的函数；电子控制和处理模块(50)，其被配置为：通过改变所述光谱响应度来选择性地向所述传感器装置(1)提供多个控制电压(VB)值，从而获得与入射电磁辐射相关联的相应的多个检测电流(Iph)；基于控制电压(VB)和所述光谱响应度的值处理所述检测电流(Iph)的值，从而获得与入射电磁辐射的光谱相关的信息(SP‑ANS；IPST‑IM)。

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申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明公开了一种双色异质结光电晶体管，包括：衬底；外延层，设置于衬底上，外延层包括缓冲层、刻蚀终止层、第一接触层、第一异质结结构、第二接触层、第二异质结构和第三接触层，第一接触层上设有第一台阶，第二接触层上设有第二台阶；金属电极，包括第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，第一金属电极设置于第一台阶上，第二金属电极设置于第二台阶上，第三金属电极设置于第三接触层上；以及钝化层，覆盖于部分第一台阶、第二台阶和部分第三接触层，钝化层与金属电极相接。

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摘要：本发明公开了一种双结型Ga2O3器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取柔性衬底；在柔性衬底的上表面覆盖多层BN薄膜，形成第一BN薄膜层；在第一BN薄膜层上设置Ga2O3衬底并加热，以使Ga2O3衬底与第一BN薄膜层紧密贴合；在Ga2O3衬底上进行离子注入，形成P型Ga2O3层；在P型Ga2O3层上进行离子注入，形成N型Ga2O3层；在N型Ga2O3层的上表面生长ZnSe荧光层；在ZnSe荧光层的上表面涂覆可见光反射层；在可见光反射层的上表面两侧分别刻蚀制作源电极和漏电极；在源电极、漏电极及可见光反射层的上表面覆盖多层BN薄膜，形成第二BN薄膜层。该双结型Ga2O3器件具有优秀的芯片性能，能承受更高的温度和电压，能应用在大电压、大功率的设备与场景中。

基于硅基PIN探测器的n-p-i-n光电三极管及其制备方法-202110278241.2
发明人：王宁;赵柏秦;王震 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L31/11
摘要：一种基于硅基PIN探测器的n‑p‑i‑n光电三极管及其制备方法，该n‑p‑i‑n光电三极管包括衬底；本征I层，形成于衬底上；P+层，形成于本征I层上；N+层，形成于P+层上，作为n‑p‑i‑n光电三极管的发射极；钝化减反膜，形成于N+层上，用于保护n‑p‑i‑n光电三极管的正面和对接收的红外脉冲激光信号起到增透的效果；正面电极，形成于N+层上，通过环形刻蚀钝化减反膜得到；以及背面电极，形成于衬底的背面。本发明的n‑p‑i‑n光电三极管，在硅基PIN探测器的基础上，通过在PIN探测器的P+层上进行一次高浓度的离子注入形成N+层，作为n‑p‑i‑n光电三极管的发射极，实现了将PIN探测器转化为n‑p‑i‑n型光电三极管的新型器件结构。

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摘要：基于金属Al/p‑GaN/AlGaN异质结的紫外双波段探测器，涉及光电技术领域。探测器是基于p‑GaN/AlGaN晶体的台面结构，台面下部,在n+‑AlGaN材料表面沉积多层金属Ti/Al/Ni/Au经550℃、氮气氛下退火形成欧姆接触的下电极（n电极），台面上部，在p‑GaN材料上表面沉积金属Al形成肖特基接触的上电极（P电极），器件形成了肖特基（SB）‑PIN复合异质结结构，具有不同于肖特基结构和PIN结构器件的能带结构和光电特性。探测器制备方法包括p‑GaN/AlGaN台面结构的形成、Ti/Al/Ni/Au多层金属电极的沉积和退火、钝化层的沉积和Al/P‑GaN肖特基上电极沉积步骤。本发明探测器可随施加在探测器上偏置电压改变从高速的日盲紫外光伏探测器切换成高量子效率的日盲和可见盲光导模式的新型紫外波段的光电探测器。

Pt/p-GaN/AlGaN异质结紫外探测器及其制备方法-202210982219.0
发明人：唐利斌;邓功荣;袁绶章;吴刚;郝群;罗磊;王静宇;魏红;严顺英;谭英;孔金丞 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/11
摘要：基于Pt/p‑GaN/AlGaN异质结的高探测率紫外探测器及其制备方法，涉及光电技术领域。该器件是基于p‑GaN/AlGaN晶体的台面结构，下台面采用n+‑AlGaN材料，在其表面生长多层金属Ti/Al/Ni/Au经550℃的N2下退火形成欧姆接触的下电极，上台面，在p‑GaN材料上表面沉积金属Pt形成肖特基接触的上电极，形成了肖特基（SB）‑PIN复合异质结结构，具有不同于传统的肖特基结构和PIN结构器件的能带结构、内建电场、载流子运输和光电特性。探测器制备方法包括p‑GaN/AlGaN台面结构的刻蚀、Ti/Al/Ni/Au多层金属电极的生长和退火、钝化层的制备及Pt/p‑GaN肖特基上电极的生长。本发明探测器实现了在紫外波段高量子效率的光电探测器的制备。

一种范德瓦尔斯异质结光电探测器及其制备方法-202210920365.0
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申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明涉及一种范德瓦尔斯异质结光电探测器及其制备方法，所述光电探测器包括：全耗尽范德华异质结；所述全耗尽范德华异质结包括从下到上依次设置的第一n型二维半导体层、p型二维半导体层和第二n型二维半导体层。本发明通过包括第一n型二维半导体层、p型二维半导体层和第二n型二维半导体层的三明治结构以形成全耗尽内置电场，实现在降低器件暗电流的同时提升光吸收效率，并且加快光生载流子分离速率和收集效率。

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申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明公开了一种基于WSe2/MoS2和MoS2/β‑Ga2O3双异质结的光电探测器及其制备方法，主要解决现有MoS2/β‑Ga2O3异质结光电探测器暗电流过大、响应度较低的问题。其自下而上包括：衬底、β‑Ga2O3层和MoS2层，该MoS2层的上部增设有WSe2层，以在β‑Ga2O3层与MoS2层之间形成Ⅰ型异质结，在MoS2层与WSe2层之间形成Ⅱ型异质结，该WSe2层和MoS2层的两端对称设置阳极和阴极。本发明通过设置Ⅱ型异质结与Ⅰ型异质结组合的双异质结结构，实现对光生载流子的分离、增强电场强度、增加光吸收率，进而降低暗电流、提高器件响应速度，可用于紫外区间光电探测。

一种GaN基紫外光电探测器及其制备方法-202110342382.6
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申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明公开了一种GaN基紫外光电探测器及其制备方法，器件包括：衬底，利用外延生长法在衬底依次生长AlN缓冲层，非故意掺杂AlxGa1‑xN组分渐变层，n型AlyGa1‑yN，轻掺杂Si的n型AlzGa1‑zN插入层，Mg掺杂的p型AlkGa1‑kN，AlN阻挡层，非故意掺杂AlLGa1‑LN层，n型AlmGa1‑mN组分渐变层，Si掺杂n型AlnGa1‑nN作为集电极以及欧姆接触电极的引出层，通过电子束蒸镀设备以及合金热处理工艺形成的n型欧姆接触电极。本发明通过二次干法刻蚀，截断了表面漏电通道，抑制了边缘电场，提高了器件的击穿电压，通过表面湿法处理，使得器件的光电流显著增加，减少了暗电流，提高了器件的光增益。

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摘要：本发明提供的一种芯片制备方法，属于半导体制造技术领域，包括以下步骤：采用N型单晶硅作为制备材料，在N型单晶硅上定义并制备基区、发射区和集电极区；进行沟槽蚀刻与沟槽绝缘材料填充，形成位于发射区和集电极区之间的绝缘沟槽；在发射区上形成第一透明导电电流扩展层。本发明通过增加第一透明导电电流扩展层进行发射区电流扩展，能够降低发射区掺杂浓度，从而降低了芯片制备成本，提高了光电开关芯片耐压与稳定性。此外采用N型单晶硅作为制备材料，无需外延工艺，成本进一步降低。

一种全光控SiC高压器件及其制造方法-202110686787.1
发明人：王曦;苏乐;胡继超;钟艺文;杨蒲阳;解勇涛 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明公开了一种全光控SiC高压器件，包括采用n型SiC材料制作的衬底；衬底的上表面外延有n型缓冲层；在n型缓冲层上表面外延有n型漂移区；在n型漂移区上表面分别注入有p型结区和p型基区；在p型基区上表面注入有n型发射区；在p型结区与p型基区之间的n型漂移区上表面沉积有介质层；p型结区、p型基区、n型发射区以及介质层上表面共同覆盖有阴极，n型发射区其余上表面还覆盖有光电极，光电极与阴极互联；衬底下表面覆盖有阳极。本发明还公开了一种全光控SiC高压器件的制造方法。本发明的全光控SiC高压器件及其制造方法，解决了现有技术中的SiC电控器件驱动控制电路复杂、极端环境耐受能力弱的问题。

双色红外探测器及其制作方法-201910282216.4
发明人：黄勇;赵宇;吴启花;熊敏 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明公开了一种双色红外探测器，包括n型衬底以及依序层叠设置于所述n型衬底上的第一n型接触层、n型蓝色通道层、p型连接层、n型红色通道层和第二n型接触层，所述第一n型接触层上还设有第一电极，所述第二n型接触层上设有与所述第一电极对应的第二电极。本发明还公开了上述双色红外探测器的制作方法。本发明解决了在双色红外探测器中，当一个通道工作时另一个通道产生的少子容易扩散至工作的通道上，从而产生较大的串音的问题。

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申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本实用新型提供一种光敏三极管，所述光敏三极管的发射极的周长大于相同面积条件下的点状发射极的周长。上述光敏三极管中，通过增加光敏三极管的发射极的周长，可以有效降低光敏三极管大电流情况下的饱和压降，集电极电流的压缩效应也可以得到明显改善，从而提高光敏三极管的性能。

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发明人：谢超;梁毅;杨文华;黄志祥 -专利权人：安徽大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明公开了电场调节的Ge基双异质结深紫外‑近红外双波段光电探测器及其制备方法，是以n‑型Ge为基底，在基底上铺设PdTe2薄膜和Cs3Cu2I5薄膜，且Ge与PdTe2薄膜形成异质结、PdTe2薄膜和Cs3Cu2I5薄膜形成异质结。本发明的光电探测器能实现电场调节的深紫外‑近红外双波段光电探测，且制备工艺简单、成本低廉。

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发明人：谢红云;纪瑞朗;向洋;沙印;朱富;申晓婷 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-02-27 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明提供一种吸收区独立且带有周期性光控单元的双极晶体管型硅基光探测器。该探测器制备于SOI衬底上，刻蚀外延片表面部分n型多晶硅层并沉积二氧化硅形成隔离区，将探测器划分为两个相对独立的区域，分别是异质结双极型晶体管区和独立pn结光吸收区。n型多晶硅层作为晶体管发射区，p型SiGe层作为晶体管基区，n型硅层作为晶体管集电区，SOI衬底顶硅层作为晶体管次集电区。独立pn结吸收区由n型多晶硅层和p型SiGe层构成的SiGe/Si pn结，以及n型多晶硅层表面的光窗口组成。独立pn结光吸收区中制备周期性排列的空气孔，形成光控制单元，控制入射光在吸收区的传输方向由垂直传输转化为水平传输。本器件分离了光探测吸收和光电流放大，分别优化吸收区结构参数和双极型晶体管的结面积，能保证光探测器既具备高速响应又拥有更高效的光吸收效率。

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摘要：一种六方氮化硼紫外光探测器及制备方法，该六方氮化硼紫外光探测器包括：衬底；绝缘层，形成于衬底的一表面上，并在绝缘层的中间区域设置有延伸至衬底的窗口，露出衬底；第一石墨烯层，形成于绝缘层上，且覆盖绝缘层上窗口的内表面以及窗口的外周区域；六方氮化硼层，原位形成于第一石墨烯层上；第二石墨烯层，原位形成于六方氮化硼层上；正面电极，形成于窗口之外的第二石墨烯层上；以及背面电极，形成于衬底的另一表面上。本发明采用离子束辅助设备原位生长石墨烯/六方氮化硼/石墨烯异质结，可减小异质结界面污染和缺陷，可保证器件具有高的响应速度及响应度，同时采用纵向器件结构，提高器件的集成度。

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摘要：本申请提供一种光敏三极管及其制备方法，管芯，管芯包括：N型轻掺杂外延层；P型轻掺杂区，位于N型轻掺杂外延层内；P型重掺杂区，位于P型轻掺杂区的外围；N型重掺杂区，位于P型轻掺杂区内，N型重掺杂区为光敏三极管的发射区。上述光敏三极管中，在P型轻掺杂区外围形成有P型重掺杂区，可以大大降低表面态对光敏三极管的影响，可以显著降低集电极与发射区之间的漏电流。

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申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明涉及一种硅锗异质结光电晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在N型Si衬底上进行热氧化处理形成二氧化硅作为埋氧层；通过离子注入形成N+亚集电区和N‑集电区；通过氮化形成四氮化三硅牺牲保护层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速热退火操作以消除晶格损伤；在N‑集电区边缘通过离子注入形成N+区域连接N+亚集电区；在硅锗基区的Ge组分采用阶梯型分布；在单晶Si包层上淀积N+多晶硅作为发射极；在集电区刻蚀Si并淀积Ge组分为20％的SiGe材料作为SiGe应力源。本发明中在集电区引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性。

自制冷型锑化物超晶格红外探测器及其制备方法-202010341299.2
发明人：聂碧颖;马文全;黄建亮;张艳华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L31/11
摘要：一种自制冷型锑化物超晶格红外探测器及其制备方法，自制冷型锑化物超晶格红外探测器包括：衬底；缓冲欧姆接触层，形成于所述衬底上；发射极层，形成于所述缓冲欧姆接触层上；所述发射极层包括n型重掺杂InAs/GaSb二类超晶格；微制冷区，形成于所述发射极层上；所述微制冷区由下到上依次包括AlxGa1‑xSb势垒、InAs量子阱和GaSb势垒，其中，0.5＜x＜1；超晶格制冷区，形成于所述微制冷区上；所述超晶格制冷区包括InAs/GaSb本征二类超晶格；集电极层，形成于所述超晶格制冷区上。本发明使得锑化物超晶格红外探测器能在更高的温度下工作，提高锑化物超晶格红外探测器的工作性能。

显示面板-202010271183.6
发明人：杜建华;罗超;关峰;袁广才;徐国良;王忠国;王政焱;陈明;杨春雷;强朝辉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本申请提供一种光电探测器及其制备方法、显示面板，以通过压电效应使光电探测器的探测性能可在一定范围内调节。所述光电探测器包括沿厚度方向依次层叠设置的背电极层、吸收层、缓冲层、复合膜、透明电极层和顶电极；其中，复合膜包括混合均匀的PVDF和ZnO，PVDF与ZnO的摩尔比为1:1～2:1。所述制备方法用于制备所述光电探测器。所述显示面板包括上述的光电探测器、以及沿厚度方向依次叠设于基底上的像素控制电路层、平坦层和发光结构层；光电探测器位于平坦层的开口内，且位于像素控制电路层上，光电探测器的背电极层与像素控制电路层的源极电连接。

一种PNP型光电晶体管结构-202120581581.8
发明人：伍建国 -专利权人：深圳市德明新微电子有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本实用新型提供了一种PNP型光电晶体管结构，包括：第一P型区外包于N型区、N型区外包于第二P型区，第一P型区、N型区、第二P型区的上端面构成位于同一平面的接触面；感光区位于接触面上层；第一P型区下端还设有与集电极引脚连接的衬底；第二P型区上端面，设有第一导体，且所述第一导体正投影面小于第二P型区上端面；N型区上端面，设有第二导体，第二导体正投影面小于N型区上端面。不仅可以通过感光区控制其集电极和发射极之间的导通和截止，还能通过基极引脚进行控制，以及实现感光区与基极引脚配合控制；通过结构上的改进，进一步降低晶体管的导通阻值，在工作时，可有效降低晶体上损耗和发热，延缓老化和延长使用寿命。

一种NPN型光电晶体管结构-202120582463.9
发明人：伍建国 -专利权人：深圳市德明新微电子有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本实用新型提供了一种NPN型光电晶体管结构，包括：第一N型区外包于P型区、P型区外包于第二N型区，第一N型区、P型区、第二N型区的上端面构成位于同一平面的接触面；感光区位于接触面上层；第一N型区下端还设有与集电极引脚连接的衬底；第二N型区上端面，设有第一导体，且所述第一导体正投影面小于第二N型区上端面；P型区上端面，设有第二导体，第二导体正投影面小于P型区上端面。不仅可以通过感光区控制其集电极和发射极之间的导通和截止，还能通过基极引脚进行控制，以及实现感光区与基极引脚配合控制；通过结构上的改进，进一步降低晶体管的导通阻值，在工作时，可有效降低晶体上损耗和发热，延缓老化和延长使用寿命。

一种光电三极管抗饱和电路-202010266479.9
发明人：徐鹤川;向军 -专利权人：上海权策微电子技术有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明公开了一种光电三极管抗饱和电路，其结构包括光电三极管、输入引脚、输出引脚，光电三极管由管体、管帽、凸片、散光机构、防尘罩、管芯组成，光电三极管利用散光机构将强光的波长进行吸收散射在底端，避免光电三极管强光环境下无法使用，再通过凸透镜将光线重新聚集投射在发射极上，当外界出现电磁干扰时，屏蔽层与管芯电位一致，起到防干扰的作用，实现了在保证透光的前提下可以屏蔽电磁干扰信号，将多个发射层植入在集电层上，使得集电层可以充分的将红外光转换，增加了管芯对红外光的吸收，让光电三极管对于红外光的转换效率提升。

一种1T相硫化钨双极性异质结窄带近红外光电探测器及其制备方法-202010289646.1
发明人：于永强;毕然;程旭;徐艳;何圣楠;卢志坚;许高斌 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明公开了一种1T相硫化钨双极性异质结窄带近红外光电探测器及其制备方法，该探测器的结构为：在单晶硅衬底的上、下表面皆设置有SiO2绝缘层；在各层SiO2绝缘层的中心皆形成有一盲孔；在两盲孔内皆沉积二维1T‑WS2材料，两层二维1T‑WS2材料与单晶硅衬底形成1T‑WS2/Si/1T‑WS2双极性异质结；上、下两层二维1T‑WS2材料外表面分别设置有顶电极和底电极。本发明所制备的探测器具有近红外窄带响应、响应速度快、易集成等优势，同时还具有制备方法简单、成本低、稳定性高、兼容性强等优点，将在研发低成本、高速、稳定、高集成度的窄带近红外探测器中具有广阔的应用前景。

一种具有低暗电流的自驱动型光电探测器及其制备方法-202010360185.2
发明人：周长见;张首勇;吕喆 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明公开了一种具有低暗电流的自驱动型光电探测器及其制备方法，属于半导体器件及其制造领域。通过确定性干法转移的方法制备的Graphene‑WSe2‑Au结构器件具有良好的光伏特性，避免了传统方法直接在二维材料上蒸镀电极容易引起的费米能级钉扎效应，器件具有良好的光响应。由于器件的两个异质结WSe2‑Graphene结和WSe2‑Au结具有不对称性，器件具有自驱动特性，可以在零偏压下工作，此时的暗电流几乎可以忽略；此外，由于隧穿层和俘获层的引入，使得即使器件在外部偏压下工作的时候，也能将暗电流控制在很低的数量级。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]包含受光PN结和输出三极管的光敏器件及其构成的光电镊在审

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