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- [发明专利]一种采用电压驱动的BJT-CN202010512331.9有效
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唐红祥
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无锡光磊电子科技有限公司
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2020-06-08
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2023-05-23
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H01L29/73
- 本发明涉及功率半导体器件领域,公开了一种采用电压驱动的BJT，包括N型硅片，N型硅片底部设有集电极，N型硅片顶部设有第一P阱，第一P阱内设有第一N扩散区，N型硅片顶部设有第二P阱，第二P阱内设有第二N扩散区，N型硅片顶部连接绝缘层，绝缘层上设有输出电极，输出电极穿过绝缘层分别与第一P阱和第一N扩散区电连接，绝缘层内设有控制电极，控制电极接收驱动集电极和输出电极导通的控制信号A，绝缘层在第二P阱对应处设有发射极和基极，发射极穿过绝缘层与第二N扩散区连接，输出电极与基极电连接，基极穿过绝缘层与第二P阱电连接，本发明将BJT的导通控制从电流驱动变为电压驱动，不用再额外设计大电流驱动电路，减少了BJT的应用成本。
- 一种采用电压驱动bjt
- [发明专利]一种MOS管-CN202010513021.9有效
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唐红祥;何飞
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无锡光磊电子科技有限公司
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2020-06-08
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2023-05-23
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H01L29/78
- 本发明涉及功率半导体器件领域,公开了一种MOS管，包括N型硅片，N型硅片底部设有漏极，N型硅片顶部第一P阱，第一P阱内第一N扩散区，N型硅片顶部还设有第二P阱，第二P阱内设有第二N扩散区，N型硅片顶部连接绝缘层，绝缘层上设有控制源极，控制源极穿过绝缘层分别与第一P阱和第一N扩散区电连接，绝缘层内还设有控制栅极，绝缘层上还设有主源极，主源极和控制源极被绝缘层隔开，主源极穿过绝缘层分别与第二P阱和第二N扩散区电连接，绝缘层内还设有主栅极，主栅极与控制源极电连接，本发明设计新颖，通过驱动小功率MOS管来控制大功率MOS管导通，降低了大功率MOS管对驱动IC的要求，而且更容易控制。
- 一种mos
- [发明专利]一种采用电压驱动的可控硅-CN202010512334.2有效
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唐红祥
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无锡光磊电子科技有限公司
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2020-06-08
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2023-05-23
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H01L29/74
- 本发明涉及功率半导体器件领域,公开了一种采用电压驱动的可控硅，包括N型硅片，N型硅片底部设有P型扩散层，P型扩散层底部电连接阳极电极，N型硅片顶部设有第一P阱，第一P阱内设有第一N扩散区，N型硅片顶部设有第二P阱，第二P阱内设有第二N扩散区，N型硅片顶部连接绝缘层，绝缘层上设有输出电极，输出电极穿过绝缘层分别与第一P阱和第一N扩散区电连接，绝缘层内还设有控制电极，绝缘层在第二P阱的对应处分别设有阴极电极和门极电极，阴极电极穿过绝缘层与第二N扩散区电连接，门极电极穿过绝缘层与第二P阱电连接，本发明将可控硅的导通控制从电流驱动变为电压驱动，降低了对驱动IC的要求，减少了可控硅的应用成本。
- 一种采用电压驱动可控硅
- [实用新型]一种半导体封装基板-CN202222756876.1有效
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李国琪
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无锡光磊电子科技有限公司
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2022-10-19
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2023-03-24
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H01L23/13
- 本实用新型公开了一种半导体封装基板，其技术方案要点是：包括半导体封装基板，所述半导体封装基板的底面设置有绝缘层，所述绝缘层的底面设置有导热板，固定组件，所述固定组件设置在所述半导体封装基板的顶面，对所述半导体封装基板、所述绝缘层和所述导热板进行固定，所述固定组件包括：若干个第一支撑孔，若干个所述第一支撑孔开设在所述半导体封装基板的顶面，所述半导体封装基板的顶面固定安装有若干个连接柱，所述连接柱的外圆壁面开设有第一卡接槽，通过半导体封装基板、绝缘层、导热板、第一支撑孔、弹簧、连接柱和第二卡接槽的相互配合使用，可以在半导体封装基板、绝缘层和导热板粘合处松脱时，也不会因松脱而分离断开。
- 一种半导体封装
- [实用新型]一种载具-CN202222620834.5有效
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李国琪
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无锡光磊电子科技有限公司
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2022-09-30
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2023-01-06
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H01L21/687
- 本实用新型公开了一种载具，其技术方案要点是：包括载物盘，所述载物盘的底面设置有固定管；下料组件，所述下料组件设置在所述载物盘的顶面，用于将所述载物盘上的晶圆取下，通过设置的载物盘和活动块相互配合，使得活动块的顶面与晶圆的底面接触，通过设置的卡接板、旋转块、调节孔、固定块、安装槽、安装柱、第二弹簧、卡接孔和卡接柱相互配合，使得卡接板向上移动同时使得卡接孔与卡接柱分离，通过设置的旋转块、支撑柱和卡接板相互配合，即可将卡接板转动九十度，通过设置的第一弹簧、活动槽、活动块、连接块和连接槽相互配合，使得晶圆与载物盘之间出现间隙，而后工作人员使用镊子将晶圆从载物盘上取下，达到对晶圆的下料效果。
- 一种
- [发明专利]一种芯片制备方法-CN202210339182.X在审
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李国琪
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无锡光磊电子科技有限公司
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2022-04-01
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2022-08-05
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H01L31/11
- 本发明提供的一种芯片制备方法，属于半导体制造技术领域，包括以下步骤：采用N型单晶硅作为制备材料，在N型单晶硅上定义并制备基区、发射区和集电极区；进行沟槽蚀刻与沟槽绝缘材料填充，形成位于发射区和集电极区之间的绝缘沟槽；在发射区上形成第一透明导电电流扩展层。本发明通过增加第一透明导电电流扩展层进行发射区电流扩展，能够降低发射区掺杂浓度，从而降低了芯片制备成本，提高了光电开关芯片耐压与稳定性。此外采用N型单晶硅作为制备材料，无需外延工艺，成本进一步降低。
- 一种芯片制备方法
- [实用新型]一种集成高压电阻的VDMOS器件结构-CN201920869670.5有效
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何飞
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无锡光磊电子科技有限公司
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2019-06-11
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2020-02-18
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H01L29/78
- 本实用新型公开了一种集成高压电阻的VDMOS器件结构，第二漏极和栅极之间、或第二漏极与源极之间通过多晶电阻连接，多晶电阻设置在绝缘层内，多晶电阻两端包覆有铝，本实用新型的优点在于：本实用新型在VDMOS芯片终端的高压区，通过螺旋形的多晶电阻把VDMOS的栅极和漏极连接起来，或将漏极和源极连接起来。多晶电阻通过掺硼或磷的浓度来控制电阻值。多晶电阻和VDMOS的栅区同时生长，多晶电阻采用螺旋形绕着VDMOS器件的表面排布，铝把多晶电阻的两端连接起来形成电极，本实用新型充分利用了芯片终端结构的表面区域，通过氧化层或其它绝缘介质进行隔离，采用螺旋型的多晶电阻来实现外接电阻功能，节省芯片面积，该电阻可以用来实现IC供电、能量泄放等功能。
- 一种集成高压电阻vdmos器件结构
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