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[发明专利]真空腔室及真空腔室加热系统-CN202310970625.X在审
发明人：罗先刚;龙云;汪孟珂;鲜汶秀 -专利权人：天府兴隆湖实验室
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本申请涉及冷原子技术领域，具体涉及一种真空腔室及真空腔室加热系统。真空腔室包括腔室侧壁和由腔室侧壁围成的真空腔，在腔室侧壁的外壁或内壁设有反射层，反射层对第一波段的光具有高反射率、低透过率，在反射层上设有通光区，通光区用于供第一波段的光通过，反射层可将射至反射层的第一波段的光反射回真空腔内。本申请实施例的真空腔室和真空腔室加热系统，通过直接对真空腔室外侧壁照射第一波段的光来加热真空腔，不会引入电流，因此从根本上消除了磁场噪声的干扰，且加热均匀、加热稳定性高。
空腔加热系统

[发明专利]一种单束光激发的可重构多势阱SPPs矢量涡旋光镊产生装置-CN202310934751.X在审
发明人：苗玉;高秀敏;许明珠 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单束光激发的可重构多势阱SPPs矢量涡旋光镊产生装置，包括：源模块、设置于光源模块一侧的扩束准直模块、设置于扩束准直模块一侧的激发光束产生和激发光场调制模块、设置于激发光束产生和激发光场调制模块一侧的运动控制模块、设置于运动控制模块上方的照明模块、设置于照明模块上方的探测模块；运动控制模块的一侧设置有二向色镜，位于二向色镜的一侧设置有反射镜；照明模块包括三维电动移动平台、放置于三维电动移动平台上的金属平面及放置于金属平面上的样本粒子和样本溶液。根据本发明，具有系统简单，低成本，易实现、加工难度小、光镊捕获灵活性强、捕获功能多样。
一种单束光激发可重构多势阱 spps 矢量涡旋产生装置

[发明专利]X射线产生装置和X射线分析装置-CN201910150250.6有效
发明人：表和彦;刑部刚;小泽哲也;姜立才;鲍里斯·韦尔曼 -专利权人：株式会社理学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种X射线产生装置和X射线分析装置，其能够利用简单的结构来实现电子束尺寸小的聚焦X射线电子束。X射线产生装置具备：线状X射线源；多层膜镜；以及并排反射镜，其以2片凹面镜共用接合线的方式彼此接合，所述X射线产生装置的特征在于，多层膜镜的反射面的截面具有抛物线形状，并且该抛物线形状的焦点位于线状X射线源，并排反射镜的2片凹面镜的反射面的截面各自具有抛物线形状，并且该抛物线形状的焦点分别位于多层膜镜的相反侧，在俯视观察下，所述并排反射镜的接合线的延长线贯穿多层膜镜以及线状X射线源。
射线产生装置分析

[发明专利]一种基于冷原子产生暗磁光阱的系统及方法-CN202110664578.7有效
发明人：陈林清;吕庆先;梁家豪;刘鸿志;杜炎雄 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于冷原子产生暗磁光阱的系统及方法，能提高原子团密度，涉及冷原子技术领域，本发明产生暗磁光阱的基本工作原理是：在实现常规的磁光阱后，将两束光作用于原子团上，使得铷87原子的基态能级和激发态能级产生AC—Stark效应，使回泵光与能级之间因光位移而存在失谐，降低回泵光抽运效果，提高冷却光抽运效果，这样经过冷却落入暗态的原子不再与回泵光相互作用，进而抑制光辅助碰撞和自发辐射压力，从而提高原子团密度，起到暗磁光阱的效果。该方法可推广到二维磁光阱，三维磁光阱，并与光阱配合使用。
一种基于原子产生暗磁光阱系统方法

[实用新型]一种正电子捕获系统-CN202320614986.6有效
发明人：胡理想;余同普;曹越 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种正电子捕获系统。该系统包括：捕获光源和磁场偏转装置；捕获光源用于形成捕获电磁场，使得进入捕获电磁场的带电粒子束的径向坐标和径向动量减小并被限制在捕获区域；捕获光源为左旋圆偏振拉盖尔高斯激光或者矢量偏振光束；捕获电磁场中的径向电场和纵向电场存在π/2的相位差；纵向电场中包括多个交替的纵向加速电场和纵向减速电场；磁场偏转装置设置在捕获区域前方，用于对被捕获的带电粒子束中的正电子和电子进行分离以得到正电子束。
一种正电子捕获系统

[发明专利]一种气溶胶带电粒子的转化与衰减过程-CN202310878009.1在审
发明人：刘宝山 -专利权人：青岛岩旭生物科技有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种气溶胶带电粒子的转化与衰减过程，由于带电粒子占比例最大的是正离子和电子，所以带电粒子的电荷转移主要是正离子的电荷转移，其特征在于，离子的电荷转移主要包括平衡谐振电荷转移和非平衡谐振电荷转移两种，带电粒子的转化过程后，带电粒子发生衰减，带电粒子的衰减过程主要有带电粒子的空间复合和带电粒子在电极或器壁上的消失。本发明通过对带电粒子的转化和衰减进行研究，证明了除电场加速的快电子碰撞中性粒子会产生电子和正离子，而这些带电粒子经过电场加速获取能量，继续与中性粒子碰撞又产生电子和正离子，这样会导致带电粒子浓度越来越大之外，还有另一种过程使带电粒子减少，为后续气压放电提供研究方向。
一种气溶胶带电粒子转化衰减过程

[实用新型]用于中子散射谱仪的旋转切换机构-CN202321189469.5有效
发明人：张俊嵩;程贺;王广源;肖松文;康玲;左太森;林雄;何永成 -专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及散裂中子源技术领域，公开了一种用于中子散射谱仪的旋转切换机构，包括主体座、旋转筒体和驱动组件，旋转筒体可转动地设置于主体座的安装腔内，旋转筒体上开设有三个沿其轴向完全贯穿的通孔，三个通孔分别能使中子束具有不同的特征，其中一个通孔能使中子束正常通过，第二个通孔能使中子束极化，第三个通孔内设有多狭缝光阑板，以使中子束发生衍射。驱动组件用于驱动旋转筒体转动，以使其中一个通孔转动至预设位置，当该通孔转动至预设位置时，中子束能够从该通孔内通过并具有特定的特征。该旋转切换机构通过旋转动作，即可实现不同工作模式的切换，相对于现有技术中的水平移动切换，该方式减小了设备的整体体积和重量，节省成本。
用于中子散射旋转切换机构

[实用新型]辐射能谱整形装置-CN202320380382.X有效
发明人：陈栩涵;程叶;黄瑞铭;奚昂涛 -专利权人：广东中科揽胜辐射防护科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及辐射能谱整形的技术领域，尤其涉及辐射能谱整形装置，在屏蔽体的整形腔室内设置可伸缩的防倾定位器，防倾定位器设在部分整形芯体的侧方，并与该整形芯体的侧面相抵以定位该整形芯体并防止该整形芯体倾倒，防倾定位器伸展以抵紧整形腔室的内壁而与屏蔽体固定，防倾定位器收缩以脱离接触整形腔室的内壁而解除与屏蔽体的固定。尤其是对于容易倾倒的薄型整形芯体，防倾定位器可使薄型整形芯体在整形腔室内防止倾倒；对于厚型整形芯体，也可以用防倾定位器定位在整形腔室内。
辐射能整形装置

[实用新型]辐射源能谱整形装置-CN202320380393.8有效
发明人：陈栩涵;陈敏婷;吴小红;陈东宏 -专利权人：广东中科揽胜辐射防护科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：辐射源能谱整形装置，涉及辐射源能谱整形技术领域，其包括屏蔽体和用于辐射源能谱整形的整形芯体，屏蔽体内设有整形腔室，屏蔽体前端设有辐射入口，后端设有辐射出口，辐射入口和辐射出口均连通整形腔室，整形芯体设在整形腔室内，整形芯体侧壁与整形腔室侧壁匹配贴合，整形腔室侧壁从前往后是曲折的，以避免整形腔室侧壁与整形芯体侧壁之间形成从整形腔室前端至后端的直通缝。如此一来，进入整形腔室的辐射就不存在未途经整形芯体而辐射出去的情况，既保证了辐射能谱的整形效果，也保证了屏蔽体外的人员的安全。
辐射源整形装置

[发明专利]一种可调式束流整形装置、装配方法及应用-CN202310805940.7在审
发明人：王盛;乔朝蓬;胡耀程 -专利权人：华硼中子科技（杭州）有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种可调式束流整形装置、装配方法及应用，该可调式束流整形装置包括：具有容置腔的反射体，轴向部分贯穿所述反射体的质子束通道，所述质子束通道内设有靶材，以及内设于所述容置腔的慢化芯体；所述反射体远离所述质子束通道一端轴向内嵌准直器；所述慢化芯体位于所述质子束通道延伸入所述反射体的一端；所述慢化芯体由若干基底芯体与若干调整芯体构成，以将高能中子束流慢化为较低能量的中子束能量范围，或者所述慢化芯体由若干基底芯体构成，以将高能中子束流慢化为超热中子能量范围。通过本申请，实现了针对不同的肿瘤病例，能够提供更精准的中子治疗，提高了对不同肿瘤细胞的适用性。
一种调式整形装置装配方法应用

[发明专利]一种基于内嵌波导光栅的布鲁斯特角原子传送装置-CN202310719588.5在审
发明人：刘爱萍;刘加伟;邹长铃;王同;张春辉;王琴;任希锋 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于内嵌波导光栅的布鲁斯特角原子传送装置，包括基底、光栅和宽波导；光栅内嵌于基底中，光栅衍射角为布鲁斯特角，宽波导设置在基底的顶部并且与衍射光交汇；自由空间加载有与衍射光相向传输且同频率的高斯光，衍射光和高斯光均为TM模式光，衍射光和高斯光干涉叠加形成光晶格阵列束缚冷原子，衍射光束和高斯光束的相位差可调节使得光晶格阵列发生移动而带着其中的冷原子运动到宽波导上；宽波导上加载有单向蓝失谐光和双向红失谐光，红蓝失谐光和范德瓦尔斯势形成光学捕获阱阵列束缚冷原子，双向红失谐光的相位差可调节使得光学捕获阱阵列发生移动而带着其中的冷原子运动。本发明可为集成光子原子芯片提供一个稳定的冷原子源。
一种基于波导光栅布鲁斯特角原子传送装置

[发明专利]一种用于蒸发冷却的电场辅助调节磁阱深度的方法-CN202310423014.3在审
发明人：杨晓华;邵旭萍;王得富;包正斌 -专利权人：南通大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种用于蒸发冷却的电场辅助调节磁阱深度的方法，包括以下步骤：步骤一：分子态的制备，将分子制备在IBr分子超精细能级X1Σ态(J＝0，G＝2.5，F＝4)|4,–4态上；步骤二：磁阱的制备，利用一组反亥姆霍次线圈，通上大小相等，方向相反的电流，则在两个线圈中轴线的中点位置处，磁场等于零，而在中点位置两侧，沿着中轴线方向产生近似线性变化的磁场，此时，沿着中轴线方向上磁场分布类似一个磁阱；步骤三：阱深的调节，在两线圈侧面放置两个电极，通上直流电，通过调节电场强度改变阱深。本发明方法在分子蒸发冷却的过程中，利用电磁结合方式，通过调节电场强度，快速改变磁阱的深度，以达到蒸发冷却的目的，同时获得浓度较高的冷分子。
一种用于蒸发冷却电场辅助调节深度方法

[发明专利]束流整形装置及加速器硼中子俘获治疗设备-CN202310574501.X在审
发明人：李开健;张巍;夏兆东;程凡杰;潘翠杰;马骁笛;朱庆福 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种束流整形装置及加速器硼中子俘获治疗设备。束流整形装置包括慢化体，用于对入射的快中子束流进行慢化，以向外出射热中子束流或超热中子束流；准直体，用于对热中子束流或超热中子束流进行准直，其中准直体限定形成准直腔；能谱调节体，设置于准直腔内，用于对热中子束流或超热中子束流的能谱进行调节。本申请实施例通过在准直体的准直腔内设置能谱调节体，能够对慢化后的中子束流的能谱进行调节，从而使得具有本申请实施例的束流整形装置的加速器硼中子俘获治疗设备能够输出更大范围的中子能谱。
整形装置加速器中子俘获治疗设备

[发明专利]一种利用光镊控制玻璃态胶体系统中微粒运动的方法-CN202310353318.7在审
发明人：王一迪;叶佐东;肖楚;陈文辉 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）（哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院）
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种利用光镊控制玻璃态胶体系统中微粒运动的方法，涉及玻璃态技术领域。一种利用光镊控制玻璃态胶体系统中微粒运动的方法，包括以下步骤：采用聚甲基丙烯酸甲酯颗粒制备胶体悬浮液，然后将胶体悬浮液制作成胶体系统；采用激光束照射到胶体系统中的胶体粒子上，且让激光束的焦平面略高于胶体粒子中心，使用共聚焦显微镜系统对胶体粒子进行图像记录，通过数据处理软件对共聚焦显微镜系统的图像数据进行图像识别。本发明的方法可以将胶体玻璃中的微粒移走，并且对于胶体玻璃结构的影响很小，为进一步研究玻璃态奠定基础。同时在微粒移走的过程中使用红外波段的激光，在操作过程中不会影响观察，可以持续使用显微观测系统进行观测。
一种利用控制玻璃胶体系统微粒运动方法

[发明专利]一种原子磁光阱芯片及加工方法-CN202110943466.5有效
发明人：李德钊;史胜南;王子轩;王肖隆;王煜猛;祁云峰;林强 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G21K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子磁光阱芯片及加工方法。本发明包括硅晶片和三维磁场线圈，硅晶片顶面中心向下开设的球缺形凹槽，形成反射腔。三维磁场线圈包括嵌在硅晶片顶面的上磁场线圈组和嵌在硅晶片底面的下磁场线圈组；上磁场线圈组包括四个均布在反射腔周围的椭圆形金属环，椭圆形金属环相对反射腔的远端具有开口，形成四个对称布置的开放式椭圆形金属线圈；下磁场线圈组包括两个与反射腔同心的金属圆环，其中内环的投影在四个椭圆形金属环的最小围合空间范围内，内、外金属圆环在同一角度具有开口，形成两个同心布置的开放式圆形金属线圈。本发明在结构上具有光学反射效率高，集成度好，加工简单及使用方便稳定性好的特点。
一种原子磁光阱芯片加工方法

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