[发明专利]双色异质结光电晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202111539243.9 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114335232B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 林芳祁;牛智川;徐应强;王国伟;李农;周文广;蒋洞微;蒋俊锴;常发冉;陈伟强;李勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/11 | 分类号： | H01L31/11;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张博 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双色异质结光电晶体管，包括：衬底；外延层，设置于衬底上，外延层包括缓冲层、刻蚀终止层、第一接触层、第一异质结结构、第二接触层、第二异质结构和第三接触层，第一接触层上设有第一台阶，第二接触层上设有第二台阶；金属电极，包括第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，第一金属电极设置于第一台阶上，第二金属电极设置于第二台阶上，第三金属电极设置于第三接触层上；以及钝化层，覆盖于部分第一台阶、第二台阶和部分第三接触层，钝化层与金属电极相接。 | ||
| 搜索关键词： | 双色异质结 光电晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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