专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]高频下大电感值高Q值且在同一频率下Q峰值可独立调节的有源电感-CN202010695354.8有效
  • 张万荣;李祎康;谢红云;金冬月;那伟聪 - 北京工业大学
  • 2020-07-20 - 2022-12-23 - H03H11/36
  • 高频下大电感值高Q值且在同一频率下Q峰值可独立调节的有源电感涉及射频集成电路领域,包括:第一跨导单元(1),带有电阻和电阻‑电容双重反馈的第二跨导单元(2),带有一个偏压可调节端的电阻损耗抵消单元(3),以及带有二个偏压可调节端的偏置单元(4)组成。其中,第一跨导单元(1),一方面,与第二跨导单元一起构成第一阻抗转换回路,另一方面,与偏置单元(4)一起构成第二阻抗转换回路,且第一阻抗转换回路与第二阻抗转换回路并联,增大了电感值;电阻损耗抵消单元提高了Q值;通过联合协同调谐偏置单元中的两个偏压可调节端和电阻损耗抵消单元中的一个偏压可调节端的偏压,可实现对有源电感在同一高频下Q峰值的独立调谐。
  • 高频电感同一频率峰值独立调节有源
  • [发明专利]一种射频压控有源电感-CN202010309140.2有效
  • 张万荣;张昭;谢红云;金冬月;张思佳;万禾湛;王飞虎 - 北京工业大学
  • 2020-04-19 - 2022-12-23 - H03H11/02
  • 一种射频压控有源电感涉及集成电路领域,包括:第一跨导单元(1),第二跨导单元(2),第三跨导单元(3),第四跨导单元(4),有源反馈电阻单元(5),第一偏置单元(6),第二偏置单元(7)。第一跨导单元(1)与第二跨导单元(2)构成主回路。第三跨导单元(3)、第四跨导单元(4)与有源反馈电阻单元(5)构成补偿回路。调节补偿回路的不同电压调制端,可补偿因调节主回路不同电压调制端引起的电感值和Q值的变化,进而实现高频下的Q值相对于电感值可独立调节和在调节电感值时Q值保持恒定的性能。补偿回路,一方面,增大了有源电感在高频下的Q值,另一方面与主回路配合,使得有源电感具有宽的工作频带,且在高频下具有高的电感值。
  • 一种射频有源电感
  • [发明专利]一种宽频带工作的差分有源电感-CN202010639282.5有效
  • 张万荣;万禾湛;谢红云;金冬月;那伟聪;张思佳;张昭 - 北京工业大学
  • 2020-07-06 - 2022-12-23 - H03H11/02
  • 一种宽频带工作的差分有源电感涉及射频集成电路领域,包括:第一N型MOS晶体管(M1),第二N型MOS晶体管(M2),第三N型MOS晶体管(M3),第四N型MOS晶体管(M4),第五P型MOS晶体管(M5),第六P型MOS晶体管(M6),第七N型MOS晶体管(M7),第八N型MOS晶体管(M8)以及由无源电感L和MOS变容管并联构成的LC谐振电路。其中,晶体管M1、M3和M2、M4构成差分有源电感架构,M5、M6、M7和M8构成有源电感偏置电流源,LC谐振电路加在晶体管M3与M4漏极之间、晶体管M1与M2栅极之间,实现了有源电感宽的工作频带、在宽频带及高频下具有高的Q值和大的电感值,并实现电感值和Q值可调谐。
  • 一种宽频工作有源电感
  • [发明专利]一种射频电感电路-CN202010296951.3有效
  • 张万荣;张思佳;谢红云;金冬月;万禾湛;张昭 - 北京工业大学
  • 2020-04-15 - 2022-12-16 - H03F3/195
  • 一种射频电感电路,由第一跨导单元(1),第二跨导单元(2),第三跨导单元(3),频带拓展单元(4)以及第一可调偏置单元(5),第二可调偏置单元(6)组成。其中,第一跨导单元(1)和第二跨导单元(2)构成第一回路,第一跨导单元(1)和第三跨导单元(3)构成第二回路。第一回路和第二回路并联,提高了总转换电容,增大了有源电感的等效电感值。第二回路中晶体管分别构成了负阻网络结构和负反馈网络,增大了有源电感的Q值和线性度。频带扩展单元(4)与电感电路的输入端连接,拓展了电感的工作带宽。本发明射频电感电路,不但具有宽频带与高线性,而且在高频区和高频区的任一频率下可同时具有高Q值和大电感值,且Q峰值可调谐。
  • 一种射频电感电路
  • [发明专利]一种硅基脊波导光电晶体管探测器-CN202011120442.1有效
  • 谢红云;向洋;沙印;朱富;纪瑞朗;张万荣 - 北京工业大学
  • 2020-10-20 - 2022-09-09 - H01L31/0232
  • 本发明公开了一种硅基脊波导光电晶体管探测器。该晶体管包括Si衬底、在Si衬底上制备的SiO2 BOX层、在BOX层上依次制备的Si次集电区、Si集电区、Si0.8Ge0.2基区和多晶Si发射区,其中由n型Si次集电区、n型Si集电区、p型Si0.8Ge0.2基区和n型多晶硅发射区构成渐变耦合脊波导结构。一种硅基脊波导光电晶体管探测器的入射光,代替传统HPT光从顶端垂直入射的方式,由Si次集电区、Si集电区、Si0.8Ge0.2基区和多晶Si发射区构成的波导的端面侧向入射,光传输方向与载流子运动方向垂直,实现被探测光由侧边探测吸收,缓解光响应度和光电响应速度之间的矛盾,为提高光吸收效率和提高载流子传输速度提供了机会。
  • 一种硅基脊波导光电晶体管探测器
  • [发明专利]一种可工作在Ku波段的有源电感-CN201811219238.8有效
  • 张万荣;徐曙;谢红云;金冬月;张崟;杨鑫 - 北京工业大学
  • 2018-10-19 - 2022-08-02 - H03H11/48
  • 一种可工作在Ku波段的有源电感,包括第一Q‑增强型跨导器单元(1),第二Q‑增强型跨导器单元(2),第一可调输入单元(3),第二可调输入单元(4)。其中,第一Q‑增强型跨导器单元(1)与第一可调输入单元(3)串联构成第一级阻抗变换电路,第二Q‑增强型跨导器单元(2)与第二可调输入单元(4)串联构成第二级阻抗变换电路,且第一级阻抗变换电路与第二级阻抗变换电路级联,使得有源电感的总等效电容减小,阻抗变换次数增加,最终获得了高Q值,大电感值,可工作在Ku波段的有源电感。
  • 一种工作ku波段有源电感

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