[发明专利]碲硒化合物薄膜、红外光电二极管及红外光电探测器在审
| 申请号： | 202310932889.6 | 申请日： | 2023-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN116936352A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 林乾乾;李睿明 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/10;H10K30/40;H10K30/60;H10K71/00;H10K99/00 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 陈桂扬 |
| 地址： | 430000*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及一种碲硒化合物薄膜、红外光电二极管及红外光电探测器，该碲硒化合物薄膜用于红外光电二极管，制备方法包括如下步骤：对硒单质和碲单质加热，以得到碲硒化合物晶体，并研磨成碲硒化合物粉末；对所述碲硒化合物粉末进行蒸发，以得到碲硒化合物薄膜半成品；对所述碲硒化合物薄膜半成品进行退火处理，以得到碲硒化合物薄膜，所述退火处理包括：将所述碲硒化合物薄膜半成品从室温升温到50℃～225℃并保持1～10min。本申请可以解决相关技术中碲硒化合物薄膜的光电探测器暗电流高，严重影响器件的光性能的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 薄膜 红外 光电二极管 光电 探测器 | ||
【主权项】：
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- 蒋建 - 新磊半导体科技（苏州）有限公司
- 2018-04-10 - 2019-01-04 - H01L21/203
- 本实用新型公开了一种分子束外延中带安全抽气装置的可快速换源的磷炉，磷炉主体通过一根金属管路与分子束外延生长室相连，用于把磷炉主体内的磷束源引入分子束外延生长室，金属管路中装有针阀用以调节磷束流的大小。磷炉主体上串接有第一真空角阀和第二真空角阀。当磷炉主体需要重新装载红磷束源材料时，同时打开第一真空角阀和第二真空角阀给磷炉放气，使磷炉暴露大气。装载束源材料之后，磷炉抽气完毕同时关闭两个角阀，确保阀门关闭后没有泄漏，同时保证磷炉长期使用不产生泄漏。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
