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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶圆处理设备与制造半导体装置的方法-CN202110042230.4有效
发明人：吴宗晟;吴昇颖;林明贤;侯国隆;张见诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：一种晶圆处理设备与制造半导体装置的方法，制造半导体装置的方法包含在处理设备中形成电浆以处理晶圆。停止形成电浆。在停止形成电浆后，降低承载晶圆的支撑盘至闲置高度，使处理设备的覆盖环的开口与处理设备的遮蔽罩的对准件嵌合。覆盖环的开口具有由上往下渐宽的宽度。
处理设备制造半导体装置方法

[实用新型]散热板和散热器-CN202320714031.8有效
发明人： 林明贤;张建良 -专利权人：全亿大科技（佛山）有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： F28F3/02 文献下载
摘要：本申请涉及散热装置领域，旨在解决散热板存在散热柱设计不合理，导致散热柱散热的效率不高的问题，提供散热板和散热器。其中，散热板包括板件和多个散热组。板件具有第一表面，第一表面包括多个散热区，散热区用于流通冷却液，冷却液沿第一方向自板件的第一端流向板件的第二端。多个散热组连接于板件的第一表面，散热组与散热区对应，并且多个散热组间隔多个空白区域。散热板在板件设置散热组与散热区对应，从而散热组准确带走散热区所在范围内的热量，板件其他的位置留出空白区域从而减少冷却液流动的阻力，通过在板件合理排布散热组和空白区域，使冷却液快速从板件的第一端流向第二端，以达到提升散热板和散热器冷却效率的效果。
散热散热器

[实用新型]散热板及散热装置-CN202320714052.X有效
发明人：林景发;林明贤 -专利权人：全亿大科技（佛山）有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请提供散热板及散热装置。其中，散热板包括板体和多个散热柱，多个所述散热柱间隔设置于所述板体的表面，多个所述散热柱用于与散热介质进行热交换，沿所述散热介质的流动方向，多个所述散热柱中，部分相邻所述散热柱之间的间距小于另一部分相邻所述散热柱之间的间距。如此，通过调整散热柱之间的间距，使得散热介质在流经间距较小的散热柱排布区域时，不仅散热介质的流速可以增加，还可以增大散热介质与散热柱的接触面积，利于散热介质通过热交换带走散热板上的热量，降低热阻，防止热量在流道堆积的问题。
散热装置

[发明专利]旋转轴的几何误差的获取方法与获取设备-CN202111468063.6在审
发明人：谢宗翰;许博尔;林明贤 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G01B11/26 文献下载
摘要：本发明提供一种旋转轴的几何误差的获取方法与获取设备。几何误差的获取方法包括下列步骤。安装环型编码器于旋转轴上，并于环型编码器的周围安装第一光学读取头与第二光学读取头。以旋转轴旋转环型编码器，并根据第一光学读取头读取的角度值而获取旋转轴旋转0度时环型编码器的中心点相对旋转轴的中心轴线的偏差距离与方位角。获取第一光学读取头的第一组装角度偏差与第二光学读取头的第二组装角度偏差。获取旋转轴在旋转至各个角度时的旋转角度误差。获取旋转轴在旋转至各个角度时的旋转偏摆误差。
旋转轴几何误差获取方法设备

[实用新型]散热装置-CN202222470950.3有效
发明人： 林明贤;陈家熙 -专利权人：全亿大科技（佛山）有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及散热技术领域，旨决解决已知散热结构冷却液流动阻力大、压降快，无法高效带走热量的问题，提供散热装置，包括散热鳍片组，散热鳍片组包括多个散热鳍片，多个散热鳍片沿第一方向依次间隔设置，相邻的散热鳍片之间限定支流道；散热装置还包括入口流道和出口流道，入口流道一端连通进液口、另一端沿第一方向延伸经过至少部分散热鳍片并连通对应的支流道的入口端；散热鳍片呈依次间隔设置的波浪形，以使支流道呈波浪形。本实用新型的有益效果是冷却液流动阻力较小、散热效率高。
散热装置

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN202210226125.0在审
发明人：林晨弘;邱雅琴;林明贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：一种半导体元件的制造方法，实施例是针对一种优化沉积在半导体处理腔室中的半导体基板上的目标材料膜的厚度的方法，其中半导体处理腔室包含位于半导体处理腔室上的磁性组件，磁性组件包含在磁性组件内的多个磁柱。方法包含：操作半导体处理腔室以在位于半导体处理腔室内的半导体基板上沉积目标材料膜；量测沉积膜的均匀性；调整一个或多个磁柱在磁性组件中的位置；及在调整一个或多个磁柱的位置之后，操作半导体处理腔室以沉积目标材料的膜。
半导体元件制造方法

[发明专利]互连结构-CN202210884147.6在审
发明人：郑凯方;蔡承孝;李承晋;林明贤;张孝慷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种互连结构，包括第一介电层；第一导电层，设置在第一介电层中；第二介电层，设置在第一介电层上方；第二导电层，设置在第二介电层中，并与第一导电层电性接触；第三介电层，设置在第二介电层上方，其中第三介电层包括基于氮碳化硅(SiCN)的材料；以及电阻装置，设置在第三介电层中。
互连结构

[发明专利]形成半导体元件的方法及执行物理沉积制程的方法-CN202110630316.9在审
发明人：黄凌威;李杰阳;林明贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成半导体元件的方法及执行物理沉积制程的方法，形成半导体元件的方法包括在晶圆上形成介电层。蚀刻介电层，以形成开口。执行电浆沉积制程，以在开口中形成种子层，其中执行电浆沉积制程包括将晶圆设置于磁体模块下方并旋转磁体模块，磁体模块包括载体结构、放置盘与磁体，载体结构的中心、放置盘的中心与磁体的中心形成三角形。在种子层上形成填充层。
形成半导体元件方法执行物理沉积

[发明专利]PVD设备的腔体与腔体板，具有PVD腔体的PVD设备的操作方法-CN202210186102.1在审
发明人：侯国隆;廖维贞;林明贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种PVD设备的腔体与腔体板，具有PVD腔体的PVD设备的操作方法，PVD(物理气相沉积)设备包括配置以窄化过滤溅镀粒子为粒子束的准直器、配置以支撑腔体内的基材的静电吸盘、屏蔽遮罩及腔体板。腔体板包括具有多个螺帽片的螺帽片部分与在腔体板中的多个孔洞，此些孔洞是配置以允许气体进入及排出，其中孔洞与螺帽片以相同数量提供。腔体是配置成在目标气压操作，且螺帽片的数量与对应的孔洞数量是取决于目标气压。
pvd 设备腔体板具有操作方法

[实用新型]水冷散热结构-CN202123424248.5有效
发明人：戴丽和;林明贤;梁家健 -专利权人：全亿大科技（佛山）有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： F28D1/03 文献下载
摘要：本申请提供一种水冷散热结构，包括底板、围板和多个导热体，所述围板与所述底板合围成容纳腔，所述围板设有连通所述容纳腔内外的进水通道和出水通道，所述底板位于所述容纳腔一侧表面设有多个凹槽，所述导热体连接于所述凹槽的槽底面，所述导热体的外周面与所述凹槽的槽侧面之间相互间隔以限定空腔。通过导热体与凹槽之间形成空腔，会在冷却液流经空腔时产生与尾流相互抵消的攀登流，从而减少了或尽量避免了尾流，降低冷却液对导热体的压力，进而使得压降下降；同时通过设置凹槽，使冷却液与底板的接触面积加大，从而增大了有效的传热面。
水冷散热结构

[发明专利]沉积室的清洁方法-CN202110372167.0在审
发明人：吴宗晟;吴昇颖;林明贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：一种沉积室的清洁方法，包含将基板移动至半导体处理腔室的基板支撑件上；执行沉积制程，以在基板上沉积材料层；将基板移出半导体处理腔室；执行第一清洁制程，其中执行第一清洁制程包括经由基板支撑件内的第一导管提供第一气体至半导体处理腔室内，以及开启射频源以产生第一气体的电浆以清洁基板支撑件的表面；以及执行第二清洁制程，其中执行第二清洁制程包括经由配置于半导体处理腔室的侧壁的第二导管提供第二气体至半导体处理腔室内，以及开启射频源以产生第二气体的电浆以清洁基板支撑件的表面。
沉积清洁方法

[发明专利]物理气相沉积反应室及其使用方法-CN202110301292.2在审
发明人：范致中;吴昇颖;林明贤;叶书佑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本揭露的实施例为一种物理气相沉积反应室及其使用方法。物理气相沉积反应室的使用方法包含将基板移动至半导体处理腔室的基板支撑件上方，其中基板支撑件被沉积环环绕；执行沉积制程，沉积制程通过轰击半导体处理腔室内的靶材，使靶材的材料沉积至基板上方，其中在沉积制程期间，靶材的材料沉积至沉积环的沉积槽内，其中沉积材料与沉积环的底表面的最小垂直距离为约1.78mm至约1.82mm；以及停止沉积制程以及将基板移出半导体处理腔室。
物理沉积反应及其使用方法

[发明专利]设备校准方法、设备维护方法及半导体处理方法-CN202110294505.3在审
发明人：范致中;吴昇颖;林明贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：一种设备校准方法、设备维护方法及半导体处理方法。设备校准方法包含：将校准零件的本体抵靠设置于静电卡盘上的遮护板的顶面。校准零件进一步包含连接本体且相对于本体弯折的第一延伸部，以及连接第一延伸部且相对于第一延伸部弯折的第二延伸部。本体与第二延伸部位于第一延伸部的同一侧。设备校准方法进一步包含：调整遮护板相对于静电卡盘的相对位置，致使沿着第一轴向朝向遮护板延伸的第二延伸部在第一延伸部分别抵靠遮护板的侧面的第一位置与第二位置时不接触环绕静电卡盘的沉积环，其中第一位置、第二位置与遮护板的中央在第一轴向上排列。
设备校准方法维护半导体处理

[发明专利]形成半导体结构的方法和物理气相沉积装置及方法-CN202110263026.5在审
发明人：侯国隆;林明贤;张见诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种形成半导体结构的方法和物理气相沉积装置及方法，物理气相沉积装置包含腔室、基座、盖环以及屏障。基座设置于腔室的底部。盖环环绕基座并与基座电性绝缘。屏障环绕物理气相沉积装置的腔室壁。屏障包含第一垂直部分、第二垂直部分以及水平部分。第一垂直部分与物理气相沉积装置的腔室壁平行，盖环位于第一垂直部分与基座之间，其中第一垂直部分与盖环的外侧壁间隔约2.3毫米至约2.7毫米之间。第二垂直部分位于盖环下方，其中第二垂直部分的顶端实质上接触盖环。水平部分位于该盖环下方并连接第一垂直部分的第一底端和第二垂直部分的第二底端。
形成半导体结构方法物理沉积装置

[发明专利]再生靶材的方法及形成材料薄膜的方法-CN202110244712.8在审
发明人：王柏伟;邱雅琴;林庭甫;林明贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种再生靶材的方法及形成材料薄膜的方法，再生靶材的方法包括提供靶材。靶材具有一表面，且此表面具有再沉积薄膜。使用第一激光光束照射靶材的表面的整体。使用第二激光光束照射靶材的表面的一部分，以清除再沉积薄膜。
再生方法形成材料薄膜

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