[发明专利]一种半导体结构及其制造方法、存储器在审
| 申请号： | 202310775808.6 | 申请日： | 2023-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN116646333A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 吴爱明 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/528;H01L21/768;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王军红;吴素花 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体领域，提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器。半导体结构包括：多条金属连线，沿第一方向延伸，第一方向垂直竖直方向；第一沟槽和第二沟槽，沿第二方向间隔排布，位于相邻的两条金属连线之间，第一沟槽的深宽比小于第二沟槽的深宽比，第二方向垂直第一方向；介质层，位于多条金属连线、第一沟槽和第二沟槽上，并且，介质层延伸至第一沟槽和第二沟槽内，覆盖第一沟槽和第二沟槽的侧壁；第一空气隙，位于介质层和第一沟槽之间，第二空气隙，位于介质层和第二沟槽之间；其中，在垂直第一方向的截面上，第一空气隙和第二空气隙的截面积相等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 存储器 | ||
【主权项】：
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