[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202310661104.6 | 申请日： | 2023-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN116390485B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 蒋懿;邱云松;肖德元;胡敏锐;廖昱程;冯道欢 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底，基底包括沿第一方向排布的多个半导体柱，每一半导体柱包括第一源漏区、沟道区以及第二源漏区；沿第一方向延伸的位线，位线位于基底内，位线与每一半导体柱的第一源漏区电接触，位线内具有N型掺杂离子或者P型掺杂离子；位线包括沿第一方向依次交替排布的多个外延层和多个连接层，每一连接层位于每两个相邻的外延层之间且与外延层电接触，每一连接层与每一第一源漏区电接触；沿第二方向延伸的字线，字线位于基底内，字线与沟道区正对。本申请提供的半导体结构及其制备方法至少有利于提高所制备的半导体结构的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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