[发明专利]半导体组件及其制备方法、半导体装置有效
| 申请号： | 202211590512.9 | 申请日： | 2022-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN115602656B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 朱益峰;曹凯 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/367;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体组件及其制备方法、半导体装置，半导体组件包括：第一电气载板和第二电气载板；半导体器件，半导体器件的第一电极与第一电气载板电气连接，半导体器件的第二电极与第二电气载板电气连接；封装体，封装体包裹半导体器件、第一电极与第一电气载板的连接处以及第二电极与第二电气载板的连接处；第一电气载板具有第一散热部，第二电气载板具有第二散热部，电连接部的至少一部分、第一散热部和第二散热部露出封装体。根据本发明实施例的半导体组件，可以形成两个散热路径，增加了半导体器件的导热面积，进一步提高半导体器件的散热效率，从而可以限制半导体器件的内部温度不超过一定值，提高半导体组件的使用可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 及其 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
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