[发明专利]半导体装置及其制作方法在审
| 申请号： | 202211074228.6 | 申请日： | 2022-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN115472584A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 薛晓晨;周玉 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 张亚静 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及其制作方法。所述半导体装置包括垂向堆叠且电性联通的至少两个TSV导通结构，其中至少一个所述TSV导通结构除了具有衬底以及贯穿所述衬底的TSV导通孔外，还包括设置于相应衬底第一面的衬底接地端、形成于所述衬底第一面的第一介质层以及对应于至少一个所述TSV导通孔设置的接地环，所述接地环至少环绕相应所述TSV导通孔位于所述第一介质层中的一部分，所述接地环通过所述衬底接地端接地，所述接地环具有屏蔽所环绕的TSV导通孔的传输线路对周围的结构及电路造成的电干扰的作用，从而有助于提升半导体装置的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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