[发明专利]中介层、扇出晶圆级封装体及半导体封装体的制造方法在审
| 申请号： | 202210919837.0 | 申请日： | 2022-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN115565991A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 许鸿生;郑明达;萧景文;庄曜群;苏昱泽;陈承先 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;H01L23/31 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种有机中介层包括：嵌入有重分布内连线结构的内连线级介电材料层；位于内连线级介电材料层的第一侧的封装侧凸块结构；至少一个介电覆盖层，位于内连线级介电材料层的第二侧；接合级介电层，位于至少一个介电覆盖层上；金属垫结构，包括嵌入在至少一个介电覆盖层中的垫通孔部分以及嵌入在接合级介电层中的垫板部分；以及边缘密封环结构，从包括封装侧凸块结构的接合表面的第一水平面垂直延伸到包括金属垫结构的远侧平面的第二水平面。边缘密封环结构可包括不具有铝的金属环结构的垂直堆叠且横向围绕封装侧凸块结构和重分布内连线结构。本公开还涉及扇出晶圆级封装体及半导体封装体的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 中介 扇出晶圆级 封装 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
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