[发明专利]中介层、扇出晶圆级封装体及半导体封装体的制造方法

权利要求书

1.一种中介层，包括：

多个内连线级介电材料层，嵌入有多个重分布内连线结构；

多个封装侧凸块结构，嵌入于一封装侧介电材料层中，其中该封装侧介电材料层位于所述内连线级介电材料层的一第一侧；

至少一个介电覆盖层，位于所述内连线级介电材料层的一第二侧；

一接合级介电层，位于该至少一个介电覆盖层上；

多个金属垫结构，包括嵌入在该至少一个介电覆盖层中的多个垫通孔部分和嵌入在该接合级介电层中的多个垫板部分；以及

一边缘密封环结构，从包括所述封装侧凸块结构的多个接合表面的一第一水平面垂直延伸到包括所述金属垫结构的多个远侧平面的一第二水平面，该边缘密封环结构包括不具有铝的多个金属环结构的一垂直堆叠，且横向围绕所述封装侧凸块结构和所述重分布内连线结构的每一者。

2.如权利要求1所述的中介层，其中该边缘密封环结构包括一垫级金属环结构，该垫级金属环结构具有在该第二水平面内的一远侧表面。

3.如权利要求2所述的中介层，其中该垫级金属环结构具有位于一水平面内的一平坦表面，该水平面包括该至少一个介电覆盖层和所述内连线级介电材料层之间的一界面。

4.如权利要求2所述的中介层，其中该垫级金属环结构包括至少95％的原子百分比的铜。

5.如权利要求2所述的中介层，其中该垫级金属环结构包括：

一线级部分，具有与所述垫板部分相同的高度；以及

一通孔级部分，具有与所述垫通孔部分相同的高度。

6.如权利要求1所述的中介层，其中：

该至少一个介电覆盖层包括无机介电材料；以及

所述内连线级介电材料层中的至少一者包括有机聚合物材料。

7.如权利要求1所述的中介层，其中该接合级介电层包括一介电钝化层和一接合级聚合物层。

8.如权利要求7所述的中介层，其中该介电钝化层包括氮化硅层。

9.一种扇出晶圆级封装体，包括：一中介层和附接到该中介层的至少一个半导体晶粒，其中该中介层包括：

多个内连线级介电材料层，嵌入有多个重分布内连线结构；

多个封装侧凸块结构，嵌入于一封装侧介电材料层中，其中该封装侧介电材料层位于所述内连线级介电材料层的一第一侧；

至少一个介电覆盖层，位于所述内连线级介电材料层的一第二侧；

一接合级介电层，位于该至少一个介电覆盖层上；

一边缘密封环结构，包括多个金属环结构的一垂直堆叠，该垂直堆叠不具有铝且包括原子百分比大于95％的铜，该边缘密封环结构垂直延伸穿过所述内连线级介电材料层和该至少一个介电覆盖层，横向围绕所述封装侧凸块结构与所述重分布内连线结构的每一者，且嵌入于该接合级介电层内并由该接合级介电层所覆盖；以及

多个晶粒侧凸块结构，接合至该至少一个半导体晶粒，其中所述晶粒侧凸块结构中的每一者包括：

一凸块柱部分，具有圆柱形状并接触该接合级介电层的一远侧表面；以及

一凸块通孔部分，被该接合级介电层横向围绕且接触所述金属垫结构中的相应一者。

10.一种半导体封装体的制造方法，包括：

在一载体基底上方形成嵌入有多个重分布内连线结构和多个内连线级金属环结构的多个内连线级介电材料层，其中所述内连线级金属环结构横向围绕所述重分布内连线结构；

在所述内连线级介电材料层上方形成至少一个介电覆盖层；

形成穿过该至少一个介电覆盖层且在该至少一个介电覆盖层上方的多个金属垫结构和一垫级金属环结构；

在所述金属垫结构上方形成一接合级介电层；

在所述金属垫结构上方形成穿过该接合级介电层的多个通孔开口；以及

在所述金属垫结构的相应一者上的该接合级介电层上形成多个晶粒侧凸块结构，其中提供一边缘密封环结构，该边缘密封环结构包括该垫级金属环结构和所述内连线级金属环结构的一组件，且横向围绕所述重分布内连线结构和所述金属垫结构，且垂直延伸穿过所述内连线级介电材料层中的每一者和该至少一个介电覆盖层。