[发明专利]中介层、扇出晶圆级封装体及半导体封装体的制造方法

说明书

一种有机中介层包括：嵌入有重分布内连线结构的内连线级介电材料层；位于内连线级介电材料层的第一侧的封装侧凸块结构；至少一个介电覆盖层，位于内连线级介电材料层的第二侧；接合级介电层，位于至少一个介电覆盖层上；金属垫结构，包括嵌入在至少一个介电覆盖层中的垫通孔部分以及嵌入在接合级介电层中的垫板部分；以及边缘密封环结构，从包括封装侧凸块结构的接合表面的第一水平面垂直延伸到包括金属垫结构的远侧平面的第二水平面。边缘密封环结构可包括不具有铝的金属环结构的垂直堆叠且横向围绕封装侧凸块结构和重分布内连线结构。本公开还涉及扇出晶圆级封装体及半导体封装体的制造方法。

技术领域

本公开实施例是关于一种中介层、扇出晶圆级封装体及半导体封装体的制造方法，特别是关于一种包括基于铜的接续密封结构的中介层、扇出晶圆级封装体及半导体封装体的制造方法。

背景技术

扇出晶圆级封装体(fan-out wafer level package；FOWLP)可使用半导体晶粒和封装基底之间的中介层。可接受的中介层具有足够的机械强度以承受用于附接半导体晶粒和封装基底的接合制程。

发明内容

本公开实施例提供一种中介层，包括：嵌入有重分布内连线结构的内连线级介电材料层；嵌入于封装侧介电材料层中的封装侧凸块结构，其中封装侧介电材料层位于内连线级介电材料层的第一侧；至少一个介电覆盖层，位于内连线级介电材料层的第二侧；接合级介电层，位于至少一个介电覆盖层上；金属垫结构，包括嵌入在至少一个介电覆盖层中的垫通孔部分和嵌入在接合级介电层中的垫板部分；以及边缘密封环结构，从包括封装侧凸块结构的接合表面的第一水平面垂直延伸到包括金属垫结构的远侧平面的第二水平面，且包括不具有铝的金属环结构的垂直堆叠且横向围绕封装侧凸块结构和每个重分布内连线结构。

本公开实施例提供一种扇出晶圆级封装体，包括：中介层和附接到中介层的至少一个半导体晶粒，其中中介层包括：嵌入有重分布内连线结构的内连线级介电材料层；嵌入于封装侧介电材料层中的封装侧凸块结构，其中封装侧介电材料层位于内连线级介电材料层的第一侧；至少一个介电覆盖层，位于内连线级介电材料层的第二侧；接合级介电层，位于至少一个介电覆盖层上；边缘密封环结构，包括金属环结构的垂直堆叠，垂直堆叠不具有铝且包括原子百分比大于95％的铜，边缘密封环结构垂直延伸穿过内连线级介电材料层和至少一个介电覆盖层，横向围绕封装侧凸块结构与重分布内连线结构的每一者，且嵌入于接合级介电层内并由接合级介电层所覆盖；以及接合至至少一个半导体晶粒的晶粒侧凸块结构，其中晶粒侧凸块结构中的每一者包括：凸块柱部分，具有圆柱形状并接触接合级介电层的远侧表面；以及凸块通孔部分，由接合级介电层横向围绕且接触金属垫结构中的相应一者。

本公开实施例提供一种半导体封装体的制造方法，包括：在载体基底上方形成嵌入有重分布内连线结构和内连线级金属环结构的内连线级介电材料层，其中内连线级金属环结构横向围绕重分布内连线结构；在内连线级介电材料层上方形成至少一个介电覆盖层；形成穿过至少一个介电覆盖层且在至少一个介电覆盖层上方的金属垫结构和垫级金属环结构；在金属垫结构上方形成接合级介电层；在金属垫结构上方形成穿过接合级介电层的通孔开口；以及在金属垫结构的相应一者上的接合级介电层上形成晶粒侧凸块结构，其中提供边缘密封环结构，其包括垫级金属环结构和内连线级金属环结构的组件，且横向围绕重分布内连线结构和金属垫结构，且垂直延伸穿过内连线级介电材料层中的每一者和至少一个介电覆盖层。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附图式以更好地了解本公开实施例的概念。应注意的是，根据本产业的标准惯例，图式中的各种特征未必按照比例绘制。事实上，可能任意地放大或缩小各种特征的尺寸，以做清楚的说明。在通篇说明书及图式中以相似的标号标示相似的特征。

图1A是根据本公开实施例的在形成嵌入内连线级介电材料层和内连线级金属环结构中的重分布内连线结构之后的范例性结构的垂直剖视图。

图1B是图1A的范例性结构的单位晶粒区域的俯视图。