[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210906429.1 | 申请日： | 2022-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN115763466A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 东展弘;吉田大辉;村田悠马;金井直之 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L21/68;H01L21/52;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/04;H01L23/31;H01L23/49;H01L23/16;H10B80/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置和半导体装置的制造方法，提高线键合的位置精度。半导体装置(1)具备：半导体元件(7)；控制端子(19)，其经由布线构件来与半导体元件的上表面电极电连接；以及外壳构件(4)，其与控制端子一体成型，所述外壳构件(4)划定出收容半导体元件的空间。控制端子具有成为布线构件的连接点的键合焊盘(19a)。外壳构件具有凸状的定位部(41d)，该定位部(41d)成为布线构件相对于焊盘的定位的基准点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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