[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
申请号: | 202210906429.1 | 申请日: | 2022-07-29 |
公开(公告)号: | CN115763466A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 东展弘;吉田大辉;村田悠马;金井直之 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L25/18 | 分类号: | H01L25/18;H01L21/68;H01L21/52;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/04;H01L23/31;H01L23/49;H01L23/16;H10B80/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
本发明涉及一种半导体装置和半导体装置的制造方法,提高线键合的位置精度。半导体装置(1)具备:半导体元件(7);控制端子(19),其经由布线构件来与半导体元件的上表面电极电连接;以及外壳构件(4),其与控制端子一体成型,所述外壳构件(4)划定出收容半导体元件的空间。控制端子具有成为布线构件的连接点的键合焊盘(19a)。外壳构件具有凸状的定位部(41d),该定位部(41d)成为布线构件相对于焊盘的定位的基准点。
技术领域
本发明涉及一种半导体装置和半导体装置的制造方法。
背景技术
半导体装置具有设置有IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属氧化物半导体场效应晶体管)、FWD(Free Wheeling Diode:续流二极管)等半导体元件的基板,被利用于逆变器装置等。
在这种半导体装置中,例如在专利文献1、2中,在散热板的上表面配置有层叠基板,在层叠基板上的电路图案借助焊料配置有半导体元件。作为这样的半导体装置中的电气布线方法,广泛采用线键合。在线键合中,检测连接对象的位置(例如半导体元件和电极端子)来识别准确的键合部位。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-134552号公报
专利文献2:日本特开2002-299551号公报
发明内容
发明要解决的问题
另外,在一般的线键合装置中,为了自动地检测键合位置,例如使用图像识别的技术来识别装置的基准点。在该情况下,存在以下担忧:如果基准点的识别产生误差,则对键合的位置精度造成影响。还存在以下担忧:如果发生线键合的位置偏移,则线的连接强度下降而使线容易剥离。
本发明是鉴于上述方面而完成的,其目的之一在于提供一种能够提高线键合的位置精度的半导体装置和半导体装置的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明的一个方式的半导体装置具备:半导体元件;控制端子,其经由布线构件来与所述半导体元件的上表面电极电连接;以及外壳构件,其与所述控制端子一体成型,所述外壳构件划定出收容所述半导体元件的空间,其中,所述控制端子具有成为所述布线构件的连接点的焊盘,所述外壳构件具有凸状的定位部,该定位部成为所述布线构件相对于所述焊盘的定位的基准点。
另外,关于本发明的一个方式的半导体装置的制造方法,所述半导体装置具备:半导体元件;控制端子,其经由布线构件来与所述半导体元件的上表面电极电连接;以及外壳构件,其与所述控制端子一体成型,划定出收容所述半导体元件的空间,其中,所述控制端子具有成为所述布线构件的连接点的焊盘,所述外壳构件具有凸状的定位部,该定位部成为所述布线构件相对于所述焊盘的定位的基准点,在将所述布线构件连接到所述焊盘的工序中,拍摄所述焊盘周边的平面图像,基于所述平面图像中的所述定位部与所述焊盘之间的相对坐标来将所述布线构件连接到所述焊盘。
发明的效果
根据本发明,能够提高线键合的位置精度。
附图说明
图1是本实施方式所涉及的半导体装置的俯视图。
图2是省略了图1的密封树脂的俯视图。
图3是图2的局部放大图。
图4是沿着图1的A-A线进行切断的截面图。
图5是图4的局部放大图。
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