[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210821570.1 | 申请日： | 2022-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN116247032A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 黄则尧 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H10B80/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。半导体元件包括一第一晶片以及位于该第一晶片上的一第二晶片。该第一晶片包括：一第一基板，包括一中心区域和围绕该中心区域的一周围区域；一第一中心接合垫，位于该第一基板的该中心区域上方；以及一第一周围接合垫，位于该第一基板的该周围区域上方。该第二晶片包括：多个周围较高接合垫，位于该第二晶片的一周围区域，且分别位于该第一中心接合垫和该第一周围接合垫上；多个重分布结构，分别位于多个周围较高接合垫上并朝向该第二晶片的一中心区域延伸；多个中心较低接合垫，位于该第二晶片的该中心区域，且分别位于多个重分布结构上；以及多个储存单元，电性耦合至多个中心较低接合垫。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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