[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210756154.8 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115148663A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 蒋懿;肖德元;白卫平;邱云松;邵光速 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8242;H01L23/538;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 孟秀娟;刘芳 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括提供具有第一区域和第二区域的基底，位于第一区域内的基底内具有间隔设置的多个有源柱；在基底上形成第一介质层，第一介质层覆盖多个有源柱；在第一介质层上形成具有第一掩膜图案的第一掩膜层；在第一掩膜层上形成具有第二掩膜图案的第二掩膜层，形成具有第三掩膜开口的第三掩膜层，第三掩膜开口用于暴露出第一区域；以第一掩膜层、第二掩膜层以及第三掩膜层作为掩膜，去除部分第一介质层，以在第一介质层内形成多个接触孔，每个接触孔暴露出一个有源柱的顶面。本公开可以减少掩膜的次数，简化了接触孔的制备工艺，从而降低了半导体结构的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
