[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基底，所述基底包括第一区域以及与所述第一区域连接的第二区域，位于所述第一区域内的所述基底内具有间隔设置的多个有源柱；

在所述基底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖多个所述有源柱；

在所述第一介质层上形成具有第一掩膜图案的第一掩膜层，所述第一掩膜图案用于暴露出位于同一第二方向上的全部所述有源柱；

在所述第一掩膜层上形成具有第二掩膜图案的第二掩膜层，所述第二掩膜图案用于暴露出位于同一第一方向上的全部所述有源柱；

形成具有第三掩膜开口的第三掩膜层，所述第三掩膜开口用于暴露出所述第一区域；

以所述第一掩膜层、所述第二掩膜层以及所述第三掩膜层作为掩膜，去除部分所述第一介质层，以在所述第一介质层内形成呈阵列分布的多个接触孔，每个所述接触孔暴露出一个所述有源柱的顶面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，以所述第一掩膜层、所述第二掩膜层以及所述第三掩膜层作为掩膜的步骤之后，所述制备方法还包括：

在所述接触孔内形成牺牲层，所述牺牲层延伸至所述接触孔外并覆盖在所述第一介质层的顶面上；

去除位于所述第二区域上的部分所述牺牲层和部分所述第一介质层，以在所述第一介质层内形成连接孔，所述连接孔暴露出位于所述第二区域内的有源区；

去除所述牺牲层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，去除牺牲层的步骤之后，所述制备方法包括：

在所述接触孔内形成电容接触结构，以及在所述连接孔内形成导电结构，所述电容接触结构和所述导电结构均包括硅化物层以及设置在所述硅化物层上的导电插塞。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述接触孔内形成电容接触结构的步骤包括：

在所述接触孔和连接孔内形成硅化物层，所述硅化物层的顶面低于所述第一介质层的顶面；

在所述硅化物层上形成阻挡层，所述阻挡层延伸至所述接触孔和所述连接孔外，并覆盖在所述第一介质层的顶面；

在所述阻挡层上形成导电层，所述导电层填充满所述阻挡层围成的区域；

去除部分所述导电层和所述阻挡层，保留在所述接触孔内的所述阻挡层和所述导电层构成所述电容接触结构的导电插塞，保留在所述连接孔内的所述阻挡层和所述导电层构成所述导电结构的导电插塞。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述接触孔和连接孔内形成硅化物层，所述硅化物层的顶面低于所述第一介质层的顶面的步骤中，包括：

在所述接触孔和所述连接孔内沉积金属材料；

对所述金属材料进行处理，使得所述金属材料与分别暴露在所述接触孔和所述连接孔内的基底反应，以形成硅化物层。

6.根据权利要求2-5任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述接触孔的孔底位于所述有源柱内，所述连接孔的孔底位于所述有源区内。

7.根据权利要求2-5任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，去除位于所述第二区域上的部分所述牺牲层和部分所述第一介质层的步骤包括：

在所述牺牲层上形成第四掩膜层；

图形化所述第四掩膜层，以在所述第四掩膜层内形成刻蚀孔，所述刻蚀孔在所述基底上的投影位于所述有源区上；

刻蚀暴露在所述刻蚀孔内的所述牺牲层和所述第一介质层。