[发明专利]半导体结构及其制备方法

说明书

本公开提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括提供具有第一区域和第二区域的基底，位于第一区域内的基底内具有间隔设置的多个有源柱；在基底上形成第一介质层，第一介质层覆盖多个有源柱；在第一介质层上形成具有第一掩膜图案的第一掩膜层；在第一掩膜层上形成具有第二掩膜图案的第二掩膜层，形成具有第三掩膜开口的第三掩膜层，第三掩膜开口用于暴露出第一区域；以第一掩膜层、第二掩膜层以及第三掩膜层作为掩膜，去除部分第一介质层，以在第一介质层内形成多个接触孔，每个接触孔暴露出一个有源柱的顶面。本公开可以减少掩膜的次数，简化了接触孔的制备工艺，从而降低了半导体结构的制作成本。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。

背景技术

随着半导体技术和存储技术不断发展，电子设备不断向小型化、集成化方向发展，动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)因其具有较高的存储密度以及较快的读写速度被广泛地应用在各种电子设备中。动态随机存储器通常包括许多重复的存储单元，每个存储单元包括电容器和晶体管，电容器通过电容接触结构与晶体管的源极或者漏极连接。

相关技术中，通常需要在基底上形成介质层，并形成贯穿介质层的接触孔，接触孔的孔底延伸至基底内，以暴露出晶体管的源极或者漏极。之后，通过在接触孔内沉积导电材料以形成电容接触结构。

但是，形成接触孔的工艺比较繁琐，增加半导体结构的制作成本。

发明内容

鉴于上述问题，本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法，用于简化接触孔的制备工艺，降低半导体结构的制作成本。

本公开实施例的第一方面提供一种半导体结构的制备方法，其包括：

提供基底，所述基底包括第一区域以及与所述第一区域连接的第二区域，位于所述第一区域内的所述基底内具有间隔设置的多个有源柱；

在所述基底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖多个所述有源柱；

在所述第一介质层上形成具有第一掩膜图案的第一掩膜层，所述第一掩膜图案用于暴露出位于同一第二方向上的全部所述有源柱；

在所述第一掩膜层上形成具有第二掩膜图案的第二掩膜层，所述第二掩膜图案用于暴露出位于同一第一方向上的全部所述有源柱；

形成具有第三掩膜开口的第三掩膜层，所述第三掩膜开口用于暴露出所述第一区域；

以所述第一掩膜层、所述第二掩膜层以及所述第三掩膜层作为掩膜，去除部分所述第一介质层，以在所述第一介质层内形成呈阵列分布的多个接触孔，每个所述接触孔暴露出一个所述有源柱的顶面。

在一些实施例中，以所述第一掩膜层、所述第二掩膜层以及所述第三掩膜层作为掩膜的步骤之后，所述制备方法还包括：

在所述接触孔内形成牺牲层，所述牺牲层延伸至所述接触孔外并覆盖在所述第一介质层的顶面上；

去除位于所述第二区域上的部分所述牺牲层和部分所述第一介质层，以在所述第一介质层内形成连接孔，所述连接孔暴露出位于所述第二区域内的有源区

去除所述牺牲层。

在一些实施例中，去除牺牲层的步骤之后，所述制备方法包括：

在所述接触孔内形成电容接触结构，以及在所述连接孔内形成导电结构，所述电容接触结构和所述导电结构均包括硅化物层以及设置在所述硅化物层上的导电插塞。

在一些实施例中，在所述接触孔内形成电容接触结构的步骤包括：

在所述接触孔和连接孔内形成硅化物层，所述硅化物层的顶面低于所述第一介质层的顶面；