[发明专利]半导体测试结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202210547339.8 | 申请日： | 2022-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN114927504A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 胡正乔 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/8249;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 刘馨月 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体测试结构及其制作方法。该半导体测试结构包括：基底，基底包括深阱区以及间隔设置于深阱区内的多个阱区，阱区与深阱区的掺杂类型相同，多个阱区包括第一阱区和第二阱区；测试半导体器件，设置于第一阱区所在区域且包括第一阱区；电荷导出结构，设置于第二阱区所在区域且包括第二阱区。本公开中将测试半导体器件和电荷导出结构同层制作于不同的阱区所在区域，从而在形成测试半导体器件的同时形成了电荷导出结构，电荷可通过深阱区及电荷导出结构导出，既能够很好地解决PID问题，又能够方便对半导体测试结构的版图的设计，提高设计效率，缩短开发周期。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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