[发明专利]一种半导体结构在审
| 申请号： | 202210511132.5 | 申请日： | 2022-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN114975356A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 陈苗苗 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/485;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 陈万青;张颖玲 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开实施例公开了一种半导体结构，用于形成焊盘，包括：衬底、顶层导电线、N层次顶层导电线和若干介质层，N大于等于2。顶层导电线和N层次顶层导电线均设置于衬底的上方，其中，N层次顶层导电线均设置于顶层导电线靠近衬底的一侧；介质层位于沿竖直方向相邻的次顶层导电线之间。N层次顶层导电线中，任意两层次顶层导电线在衬底顶面的投影的重合面积小于第一限定值。本公开能够减小焊盘中的寄生电容，同时满足后续工艺中的平坦化要求，提高芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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