[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202210055855.9 | 申请日： | 2022-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN116504746A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体结构及其制作方法。其中，半导体机构包括：基底，包括相邻的第一区域和第二区域；阵列结构，位于所述基底的表面，且位于所述第一区域；导电层，位于所述阵列结构远离所述基底的一侧，并与所述阵列结构电连接；布线结构，位于所述导电层远离所述阵列结构的一侧，所述布线结构包括重布线通孔，所述重布线通孔与所述导电层电连接；第一介质层，覆盖所述基底第二区域的表面，所述第一介质层远离所述基底的一面相对于所述导电层远离所述基底的一面靠近所述基底。该半导体结构在沿晶圆的划线槽切割的过程中不会产生金属残留物，从而防止发生短路和放电的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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