[发明专利]半导体封装结构及制备方法、待封装芯片的制备方法在审

专利信息
申请号: 202111310201.8 申请日: 2021-11-03
公开(公告)号: CN114093822A 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 李明亮;陈鹏;莫平 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L25/065;H01L21/50
代理公司: 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 代理人: 刘莹;聂国斌
地址: 430000 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 本申请提供了半导体封装结构及制备方法,用于半导体封装结构的待封装芯片的制备方法。半导体封装结构包括:封装基板、多层芯片堆积结构和模制化合物层,多层芯片堆积结构附接至封装基板,并包括依次堆积的多个芯片,模制化合物层形成在封装基板的表面上,并包封多层芯片堆积结构。芯片包括:半导体基底、电路层和加固降翘膜,半导体基底包括相对的第一表面和第二表面,电路层形成在第一表面上,加固降翘膜覆盖第二表面。本申请提供的半导体封装结构及其芯片结构通过改变芯片中局部机械应力的释放方向、增加芯片的机械强度,可有效避免芯片破损或翘曲的风险及封装器件失效的问题。
搜索关键词: 半导体 封装 结构 制备 方法 芯片
【主权项】:
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