[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202111239904.6 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN114121893A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 刘洋 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高德志 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底；第一介质层，位于所述基底上，所述第一介质层包括第一互连孔；第一阻挡层，覆盖所述第一互连孔的内壁和底部；第一金属层，位于所述第一互连孔内；第二阻挡层，覆盖第一金属层的顶部表面的边缘区域；第二介质层，位于所述第一介质层上，所述第二介质层包括第二互连孔，第二互连孔暴露出所述第一金属层部分顶部表面，且所述第二互连孔底部的尺寸小于所述第一互连孔顶部的尺寸；第三阻挡层，覆盖所述第二互连孔的侧壁，且所述第三阻挡层与所述第二阻挡层接触；第二金属层，位于所述第二互连孔内，且所述第二金属层与所述第一金属层直接接触。所述半导体结构的金属层之间的接触电阻减小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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