[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

第一介质层，位于所述基底上，所述第一介质层包括第一互连孔；

第一阻挡层，覆盖所述第一互连孔的内壁和底部；

第一金属层，位于所述第一互连孔内；

第二阻挡层，覆盖所述第一金属层的顶部表面的边缘区域，且所述第二阻挡层边缘与所述第一阻挡层接触；

第二介质层，位于所述第一介质层上，所述第二介质层包括第二互连孔，所述第二互连孔暴露出所述第一金属层部分顶部表面，且所述第二互连孔底部的尺寸小于所述第一互连孔顶部的尺寸；

第三阻挡层，覆盖所述第二互连孔的侧壁，且所述第三阻挡层与所述第二阻挡层接触；

第二金属层，位于所述第二互连孔内，且所述第二金属层与所述第一金属层直接接触。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属层的顶部表面低于所述第一介质层的顶部表面，所述第二阻挡层的顶部表面与所述第一介质层的顶部表面平齐。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括，位于第二金属层顶部表面的第四阻挡层。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二金属层的顶部表面低于所述第二介质层的顶部表面，所述第四阻挡层的顶部表面与所述第二介质层的顶部表面齐平。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第四阻挡层的边缘与所述第三阻挡层接触。

6.如权利要求1所述的金属互连结构，其特征在于，所述第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层和第四阻挡层为Ti、Ta、TiN、TaN、TiAl、TaC、TaSiN、TiAlN中一种材料所形成的单层结构或者为上述材料所组成群组中的两种以上材料所形成的叠层结构。

7.如权利要求1所述的金属互连结构，其特征在于，所述第一金属层和第二金属层的材料相同，所述第一金属层和第二金属层材料为W、Al、Cu、Ag、Au或Pt中的一种。

8.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一介质层，所述第一介质层包括第一互连孔；

在所述第一互连孔的侧壁和底部表面上形成第一阻挡层；

在所述第一互连孔内形成所述第一金属层；

在所述第一金属层上形成第二阻挡层，所述第二阻挡层的边缘与所述第一阻挡层接触；

在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第二阻挡层；

在所述第二介质层中形成第二互连孔，所述第二互连孔暴露出所述第二阻挡层的部分表面，且所述第二互连孔底部的尺寸小于所述第一互连孔顶部的尺寸；

在所述第二互连孔的侧壁和底部表面上形成第三阻挡层，所述第三阻挡层与所述第二阻挡层接触；

移除所述第二互连孔底部的所述第三阻挡层和部分所述第二阻挡层，以暴露出所述第一金属层的部分顶部表面；

在所述第二互连孔内形成第二金属层，所述第二金属层与所述第一金属层直接接触。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一金属层的顶部表面低于所述第一介质层的顶部表面，所述第二阻挡层的顶部表面与所述第一介质层的顶部表面齐平。