[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110651130.1 | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113380815A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 荒井伸也 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582;H01L29/06;H01L29/167;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘瑞东;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法。本发明的实施方式提供能够缩短从半导体主体中的与源层相接触的侧壁部到源层之上的栅层的距离的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置的栅层(80)被设置在源层(SL)与层叠体(100)之间，比电极层(70)1层的厚度厚。半导体主体(20)具有在层叠体(100)内、栅层(80)内以及半导体层(13)内在层叠体(100)的层叠方向上延伸且与半导体层(13)相接触的侧壁部(20a)。半导体主体(20)不与电极层(70)以及栅层(80)相接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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