[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一半导体层；

层叠体，其设置在所述第一半导体层上方，并且包括在第一方向上层叠的多个电极层；以及

柱状部，其包括第二半导体层和电荷积蓄膜，

所述第二半导体层在所述第一方向上延伸贯通所述层叠体且到达所述第一半导体层，并且包括与所述第一半导体层相接触的侧壁部，

所述电荷积蓄膜包括位于所述多个电极层与所述第二半导体层之间的第一部分以及位于所述第二半导体层与所述第一半导体层之间的第二部分，

所述第一部分和所述第二部分彼此在所述第一方向上被所述第一半导体层完全分离，

所述第二半导体层的所述侧壁部没有被所述电荷积蓄膜覆盖。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述第一半导体层包含杂质。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

还包括设置在所述第一半导体层与所述层叠体之间的栅层，所述栅层比所述多个电极层的1层的厚度厚。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

所述侧壁部和所述第二半导体层的与所述栅层相对向的部分之间的距离，比所述栅层的厚度小。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述第二半导体层的所述侧壁部的杂质浓度，比所述第二半导体层的与所述层叠体相对向的部分的杂质浓度高。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，

所述第二半导体层的与所述栅层相对向的第一部分的杂质浓度，比所述第二半导体层的与所述层叠体相对向的第二部分的杂质浓度高。

7.根据权利要求3所述的半导体装置，

所述多个电极层具有：

比所述栅层薄的至少1层漏侧选择栅；

设置在所述漏侧选择栅与所述栅层之间且比所述栅层薄的至少1层源侧选择栅；以及

多个单元栅，其设置在所述漏侧选择栅与所述源侧选择栅之间，与所述电荷积蓄膜相对向，该多个单元栅的各单元栅比所述栅层薄。

8.根据权利要求3所述的半导体装置，

所述栅层为包含磷的硅层。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述第一半导体层为包含磷的硅层。

10.根据权利要求3所述的半导体装置，

还包括包含金属的层，所述第一半导体层设置在所述栅层与所述包含金属的层之间。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述电荷积蓄膜在所述层叠体与所述第二半导体层之间在所述第一方向上连续。

12.根据权利要求3所述的半导体装置，

所述电荷积蓄膜设置在所述栅层与所述第二半导体主体之间。

13.根据权利要求3所述的半导体装置，

在擦除工作时，将使在所述第二半导体层中的与所述栅层相对向的部分产生GIDL即栅诱导漏泄漏的电位施加到所述栅层。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，

在所述第一半导体层中形成空腔。