[发明专利]半导体存储装置在审
申请号: | 202110590859.2 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN114078826A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 柴田润一 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/482;H01L23/49;H01L21/60;H01L27/11556 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 实施方式提供高速动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备:第1芯片,具备半导体基板、多个晶体管、第1布线及多个第1贴合电极;以及第2芯片,具备存储单元阵列及多个第2贴合电极。第1芯片或第2芯片具备多个接合焊盘电极。多个第2贴合电极包括:多个第3贴合电极,从第1方向观察时与存储单元阵列重叠,设在存储单元阵列与多个晶体管之间的电流路径中;以及多个第4贴合电极,不设在这样的电流路径中。第1布线不经由任何的晶体管而与多个接合焊盘电极的任一个接合焊盘电极电连接,并且不经由任何的晶体管而与多个第4贴合电极中的至少一个电连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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