[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其中，

具备：

第1芯片，具备半导体基板、多个晶体管、第1布线及多个第1贴合电极；以及

第2芯片，具备存储单元阵列及被贴合于上述多个第1贴合电极的多个第2贴合电极，

上述第1芯片及上述第2芯片中的一个芯片具备能够与接合线连接的多个接合焊盘电极，

上述多个第2贴合电极包括：

多个第3贴合电极，设置在从与上述半导体基板的表面交叉的第1方向观察时与上述存储单元阵列重叠的位置，并且设置在上述存储单元阵列与上述多个晶体管之间的电流路径中；以及

多个第4贴合电极，设置在从上述第1方向观察时与上述存储单元阵列重叠的位置，并且没有设置在上述存储单元阵列与上述多个晶体管之间的电流路径中，

上述第1布线不经由上述多个晶体管的任一个晶体管而与上述多个接合焊盘电极的任一个接合焊盘电极电连接，并且不经由上述多个晶体管的任一个晶体管而与上述多个第4贴合电极中的至少一个第4贴合电极电连接。

2.一种半导体存储装置，其中，

具备：

第1芯片，具备半导体基板、多个晶体管、第1布线及多个第1贴合电极；以及

第2芯片，具备存储单元阵列及被贴合于上述多个第1贴合电极的多个第2贴合电极，

上述第1芯片及上述第2芯片中的一个芯片具备能够与接合线连接的多个接合焊盘电极，

上述多个第2贴合电极包括：

多个第3贴合电极，设置在从与上述半导体基板的表面交叉的第1方向观察时不与上述存储单元阵列重叠且与上述多个接合焊盘电极中的某个接合焊盘电极重叠的位置；以及

多个第4贴合电极，设置在从上述第1方向观察时不与上述存储单元阵列重叠且与上述多个接合焊盘电极中的任一个接合焊盘电极都不重叠的位置，

上述第1布线不经由上述多个晶体管的任一个晶体管而与上述多个接合焊盘电极的任一个接合焊盘电极电连接，并且不经由上述多个晶体管的任一个晶体管而与上述多个第4贴合电极中的至少一个第4贴合电极电连接。

3.一种半导体存储装置，其中，

具备：

第1芯片，具备半导体基板、多个晶体管、第1布线及多个第1贴合电极；以及

第2芯片，具备存储单元阵列及被贴合于上述多个第1贴合电极的多个第2贴合电极，

上述第1芯片及上述第2芯片中的一个芯片具备能够与接合线连接的多个接合焊盘电极，

上述第1布线不经由上述多个晶体管的任一个晶体管而与上述多个接合焊盘电极的任一个接合焊盘电极电连接，并且不经由上述多个晶体管的任一个晶体管而与上述多个第1贴合电极及上述多个第2贴合电极中不位于上述第1布线与上述接合焊盘电极之间的电流路径中的贴合电极电连接。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体存储装置，其中，

上述多个接合焊盘电极具备：

第1接合焊盘电极，被供给接地电压；

第2接合焊盘电极，被供给比上述接地电压大的驱动电压；以及

第3接合焊盘电极，被供给信号，

上述第1布线不经由上述多个晶体管的任一个晶体管而与上述第1接合焊盘电极电连接。

5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体存储装置，其中，

上述第1芯片具备多个布线层，

上述第1布线包含于上述多个布线层中的距上述半导体基板最近的布线层。

6.如权利要求5所述的半导体存储装置，其中，

具备第1接触部电极，该第1接触部电极设在上述第1布线与上述半导体基板之间，与上述第1布线及上述半导体基板连接。

7.如权利要求5所述的半导体存储装置，其中，

具备：

第1电极，设在上述第1布线与上述半导体基板之间，与上述半导体基板对置；以及

第2接触部电极，设在上述第1布线与上述第1电极之间，与上述第1布线及上述第1电极连接。