[发明专利]半导体非易失性存储器器件在审
| 申请号： | 202110572803.4 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113764426A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 孙永顺;卓荣发;陈学深;蔡新树;王蓝翔 | 申请（专利权）人： | 格芯新加坡私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11526 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林莹莹;于静 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体非易失性存储器器件。提供一种存储器器件。该存储器器件包括在衬底中的有源区域、电隔离电极和电介质层。电隔离电极被设置在有源区域之上。电介质层被设置在电隔离电极与有源区域之间，并包括具有第一厚度的第一电介质部分和具有第二厚度的第二电介质部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 非易失性存储器 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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