[发明专利]半导体非易失性存储器器件

权利要求书

1.一种存储器器件，包括：

具有有源区域的衬底；

在所述有源区域之上的电隔离电极；以及

在所述电隔离电极与所述有源区域之间的电介质层，其中，所述电介质层包括具有第一厚度的第一电介质部分和具有第二厚度的第二电介质部分。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述电隔离电极被电容性地耦合到控制栅极。

3.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述电介质层的所述第一厚度大于所述第二厚度。

4.根据权利要求3所述的存储器器件，其中，所述第一电介质部分具有不超过所述第二电介质部分的厚度的三倍的厚度。

5.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述电介质层还包括具有第三厚度的第三电介质部分。

6.根据权利要求5所述的存储器器件，其中，所述第二电介质部分被设置在所述电介质层的所述第一电介质部分与所述第三电介质部分之间。

7.根据权利要求5所述的存储器器件，其中，所述第三厚度大体上等于所述第一厚度。

8.根据权利要求5所述的存储器器件，其中，所述第一电介质部分、所述第二电介质部分和所述第三电介质部分具有不同的厚度。

9.一种存储器器件，包括：

具有第一有源区域和第二有源区域的衬底；

在所述第一有源区域与所述第二有源区域之间的隔离区域；

在所述第一有源区域之上的第一电隔离电极；

在所述第二有源区域之上的第二电隔离电极；以及

在所述第一电隔离电极与所述第一有源区域之间的电介质层，其中，所述电介质层包括具有第一厚度的第一电介质部分和具有第二厚度的第二电介质部分。

10.根据权利要求9所述的存储器器件，其中，所述第二电隔离电极通过所述电介质层的所述第二电介质部分与所述第二有源区域间隔开。

11.根据权利要求10所述的存储器器件，其中，所述第二有源区域、所述电介质层的所述第二电介质部分、以及所述第二电隔离电极形成用于所述存储器器件的电容器。

12.根据权利要求9所述的存储器器件，还包括：

多个掺杂区域，所述多个掺杂区域包括在所述第一有源区域中的第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域位于所述第一电隔离电极的相对侧，以形成用于所述存储器器件的场效应晶体管。

13.根据权利要求12所述的存储器器件，其中，所述多个掺杂区域还包括与所述第二电极邻近的在所述第二有源区域中的第三掺杂区域，其中，所述第三掺杂区域电容性地偏置所述第二电隔离电极。

14.根据权利要求13所述的存储器器件，其中，所述第二电隔离电极与所述第一电隔离电极处于相同电位。

15.根据权利要求9所述的存储器器件，其中，所述第二电隔离电极被电耦合到所述第一电隔离电极以限定用于所述存储器器件的浮置栅极。

16.根据权利要求9所述的存储器器件，其中，所述第二有源区域电容性地耦合所述第二电隔离电极。

17.根据权利要求9所述的存储器器件，其中，所述第二有源区域具有N型导电性。

18.根据权利要求9所述的存储器器件，其中，所述存储器器件是非易失性存储器器件。