[发明专利]半导体非易失性存储器器件

说明书

本公开涉及半导体非易失性存储器器件。提供一种存储器器件。该存储器器件包括在衬底中的有源区域、电隔离电极和电介质层。电隔离电极被设置在有源区域之上。电介质层被设置在电隔离电极与有源区域之间，并包括具有第一厚度的第一电介质部分和具有第二厚度的第二电介质部分。

技术领域

所公开的主题总体上涉及半导体器件，并且更具体地，涉及半导体非易失性存储器器件及其形成方法。

背景技术

存储器器件广泛地用于半导体器件中，并且通常可以被划分为易失性存储器器件和非易失性存储器(NVM)器件。易失性存储器器件需要电力供应以保留所存储的信息，但在电力供应中断时丢失信息。另一方面，NVM器件即使在没有电力供应的情况下也保留所存储的信息。

NVM器件可以通过采用用于存储信息的电荷保留机制来操作，该电荷保留机制诸如但不限于电荷存储机制或电荷捕获机制。例如，电荷可以在编程操作期间被存储在浮置栅极结构中，并且电荷可以在NVM器件的擦除操作期间从浮置栅极结构中被逐出(expel)。

随着半导体工业继续发展时，期望提供具有优化性能的NVM器件及其形成方法。

发明内容

为了实现本公开的前述和其他方面，提出了非易失性存储器(NVM)器件及其形成方法。

根据本公开的一方面，提供了一种存储器器件。该存储器器件包括：具有有源区域的衬底；在所述有源区域之上的电隔离电极；以及在所述电隔离电极与所述有源区域之间的电介质层，其中，所述电介质层包括具有第一厚度的第一电介质部分和具有第二厚度的第二电介质部分。

根据本公开的另一方面，提供了一种存储器器件。该存储器器件包括：具有第一有源区域和第二有源区域的衬底；在所述第一有源区域与所述第二有源区域之间的隔离区域；在所述第一有源区域之上的第一电隔离电极；在所述第二有源区域之上的第二电隔离电极；以及在所述第一电隔离电极与所述第一有源区域之间的电介质层，其中，所述电介质层包括具有第一厚度的第一电介质部分和具有第二厚度的第二电介质部分。

根据本公开的又一方面，提供了一种制造存储器器件的方法。该方法包括：提供衬底；形成第一有源区域；形成第二有源区域；在所述第一有源区域和所述第二有源区域之上形成电介质层，其中，所述电介质层包括具有第一厚度的第一电介质部分和具有第二厚度的第二电介质部分；以及分别在所述第一有源区域和所述第二有源区域之上形成第一电隔离电极和第二电隔离电极，其中，所述第一电隔离电极和所述第二电隔离电极被电耦合以限定用于所述存储器器件的浮置栅极。

附图说明

结合附图通过阅读以下的详细描述，将更好地理解本公开的实施例：

图1是根据本公开的实施例的非易失性存储器(NVM)器件的截面图。

图2是根据本公开的另一实施例的非易失性存储器(NVM)器件的截面图。

图3A至图3D是根据本公开的实施例的非易失性存储器(NVM)器件的截面图，其示出了形成NVM器件的各个阶段。

为了说明的简洁和清楚，附图示出了构造的一般方式，并且可以省略对公知的特征和技术的某些描述和细节以避免不必要地模糊对本器件的所描述的实施例的讨论。另外，附图中的元件不一定按比例绘制。例如，附图中的一些元件的尺寸可以相对于其他元件被夸大以帮助改善对本器件的实施例的理解。在不同附图中的相同的附图标记表示相同的元件，而类似的附图标记可以但不一定表示类似的元件。

具体实施方式

本公开涉及具有优化性能的半导体非易失性存储器(NVM)器件及其形成方法。现在将借助附图详细描述本公开的各种实施例。应当注意，相似的和对应的元件通过使用相同的参考标记来指代。本文公开的实施例是示例性的，并且不旨在穷举或限制本公开。