[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110382494.4 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN113178431A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 沈鑫帅;石艳伟;董金文;夏志良;伍术 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11578;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，包括：存储电路结构；存储电路结构包括外围导电柱塞；外围导电柱塞包括第一填充介质层和包围第一填充介质层的第一导电结构；存储电路结构还包括穿过衬底的穿硅导电柱塞，穿硅导电柱塞与外围导电柱塞电连接，穿硅导电柱塞包括第二填充介质层和包围第二填充介质层的第二导电结构；或穿硅导电柱塞为实心导电结构；半导体结构还包括：引出焊垫，引出焊垫位于第一衬底的背面且电连接穿硅导电柱塞；保护层，保护层覆盖引出焊垫及第一衬底；及含氢/氘材料层，含氢/氘材料层覆盖保护层。本发明的半导体结构在晶圆背面具有保护层，形成挡氢膜，阻止氢从晶圆背面向存储电路中扩散，提高了存储电路的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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