[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110296837.5 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN115117014A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 熊鹏;施维;王伟;汤霞梅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/64;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成器件层，器件层包括第一介质层、器件结构以及第一电互连层；在器件层上形成第二介质层，第二介质层内具有电容开口；在电容开口侧壁和底部表面、以及第二介质层的顶部表面形成初始凹形电容结构；对初始凹形电容结构进行回刻蚀处理，直至暴露出第二介质层的顶部表面为止，形成凹形电容结构，凹形电容结构包括第一电极板、位于第一电极板上的绝缘层、以及位于绝缘层上的第二电极板。通过回刻蚀处理形成凹形电容结构，凹形电容结构的第一电极板和第二电极板能够同时暴露出来，省去了图形化工艺的处理过程，能够有效节省光罩数量，进而降低制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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