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[发明专利]图形化方法及其形成的半导体器件-CN201910172884.1有效
发明人：施维;胡友存;汤霞梅;熊鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种图形化方法及其形成的半导体器件，包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层包括若干分立的第一区和第二区，第一区和第二区沿第一方向相间排布，相邻的第一区和第二区邻接；在待刻蚀层上形成第一掩膜层；在第一区的第一掩膜层中形成若干沿第二方向分布的第一槽，第二方向与第一方向垂直，且相邻第一槽之间具有第一分割掺杂掩膜层，第一分割掺杂掩膜层内具有掺杂离子；在第一槽侧壁形成第一侧墙；在第二区的第一掩膜层中形成若干沿第二方向分布的第二槽，且相邻第二槽之间具有第二分割掺杂掩膜层，第二分割掺杂掩膜层内具有掺杂离子；在第二槽侧壁形成第二侧墙；之后，刻蚀去除第一区和第二区的第一掩膜层。所述图形化方法的应用范围广，可调节度高。
图形方法及其形成半导体器件

[发明专利]图形化方法及其形成的半导体器件-CN201910172885.6有效
发明人：施维;胡友存;汤霞梅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种图形化方法及其形成的半导体器件，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成第一初始掩膜层；在第二区的部分第一初始掩膜层中掺杂离子，形成第二分割掺杂掩膜层，且使得沿第二方向分别位于第二分割掺杂掩膜层两侧的第二区的第一初始掩膜层形成为第二牺牲掩膜层，第二方向垂直于第一方向；在第一区的部分第一初始掩膜层中掺杂离子，形成第一分割掺杂掩膜层，且使得沿第二方向分别位于第一分割掺杂掩膜层两侧的第一区的第一初始掩膜层形成为第一牺牲掩膜层；去除第一区的第一牺牲掩膜层，在第一初始掩膜层第一区内形成若干分立的第一槽；形成第一分割掺杂掩膜层后，刻蚀去除第二牺牲掩膜层。所述图形化方法的可靠性得到提高。
图形方法及其形成半导体器件

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910156235.2有效
发明人：窦涛;汤霞梅;胡友存 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中，半导体器件的形成方法包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层沿第一方向包括若干个相互分立的第一区，所述第一区的待刻蚀层表面具有掩膜层；在各个所述第一区的掩膜层内形成第一开口，所述第一开口在基底表面具有第一投影；在所述第一开口的侧壁形成侧墙；形成所述侧墙之后，在所述第一开口内和掩膜层表面形成图形化结构，所述图形化结构内具有第一光刻开口，所述第一光刻开口在基底表面具有第二投影，所述第二投影与第一投影部分重叠；以所述图形化结构为掩膜，刻蚀第一光刻开口底部的掩膜层，在所述掩膜层内形成第二开口。所形成的半导体器件的性能较好。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910155619.2有效
发明人：窦涛;胡友存;汤霞梅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底表面具有待刻蚀材料层和位于待刻蚀材料层表面的若干相互分立的第一牺牲层，相邻第一牺牲层之间具有第一开口；对部分第一牺牲层注入第一掺杂离子，形成第一分割段；在所述第一开口的底部表面和侧壁表面形成掩膜材料层，且所述掩膜材料层覆盖所述第一牺牲层和第一分割段的顶部表面和侧壁表面；在所述第一开口内的掩膜材料层表面形成第二牺牲层，且所述第二牺牲层顶部表面齐平于掩膜材料层的顶部表面；对部分第二牺牲层注入第二掺杂离子，形成第二分割段。所述方法形成的半导体结构的性能较好。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]图形化方法及其形成的半导体器件-CN201910492728.3有效
发明人：施维;胡友存;汤霞梅;熊鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种图形化方法及其形成的半导体器件，方法包括：在第一区上形成第一槽和位于第一槽内的第一牺牲层，在第二区和周围区上形成初始第二牺牲层，且第一槽位于第一牺牲层沿第二方向的两侧；在第一牺牲层侧壁表面和初始第二牺牲层侧壁表面、以及硬掩膜层侧壁表面形成第一侧墙；形成第一侧墙之后，去除第一牺牲层，在第一槽内形成开口，开口暴露出初始第二牺牲层侧壁表面和第一侧墙侧壁表面；在开口侧壁表面形成第二侧墙，第二侧墙覆盖第一侧墙侧壁表面和第二牺牲层侧壁表面，且第二侧墙的材料和硬掩膜层的材料不同；去除第二牺牲层，在待刻蚀层的第二区表面形成第二槽，且第二槽位于分割段沿第二方向的两侧。所述图形化方法的可靠性较高。
图形方法及其形成半导体器件

[发明专利]图形化方法及其形成的半导体器件-CN201910172860.6有效
发明人：施维;胡友存;汤霞梅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种图形化方法及其形成的半导体器件，方法包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层包括若干分立沿第一方向排布的第一区，相邻第一区之间具有第二区，相邻第一区和第二区之间具有第三区；在待刻蚀层上形成第一掩膜层；在第一掩膜层表面形成第二掩膜层；去除第一区的第二掩膜层；去除第三区的第二掩膜层和第一掩膜层，在第一掩膜层内形成第一凹槽；在第一凹槽内形成隔离层；去除第二区的第二掩膜层；在第一区的第一掩膜层上形成沿第二方向贯穿第一区第一分割掩膜层，第二方向垂直于第一方向；在第二区的第一掩膜层上形成沿第二方向贯穿第二区的第二分割掩膜层；以第一分割掩膜层和第二分割掩膜层为掩膜，刻蚀第一掩膜层。所述图形化方法的可靠性得到提高。
图形方法及其形成半导体器件

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110413916.X在审
发明人： 汤霞梅;倪百兵 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本申请提供半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底表面依次形成有第一硬掩膜层和第二硬掩膜层以及图案化的心轴层，所述图案化的心轴层包括若干暴露所述第二硬掩膜层的第一沟槽；在所述第一沟槽之间的心轴层中形成若干第一隔断开口；在所述第一沟槽暴露的第二硬掩膜层中形成若干第二隔断开口；在所述第一沟槽两侧形成侧墙，所述侧墙不填满所述第一沟槽，所述侧墙还填满所述第一隔断开口、第二隔断开口；在未填满的第一沟槽中形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层以及部分心轴层形成若干第二沟槽；继续刻蚀剩余心轴层形成若干第三沟槽；沿所述第二沟槽和所述第三沟槽刻蚀至所述基底中；去除所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110296837.5在审
发明人：熊鹏;施维;王伟;汤霞梅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成器件层，器件层包括第一介质层、器件结构以及第一电互连层；在器件层上形成第二介质层，第二介质层内具有电容开口；在电容开口侧壁和底部表面、以及第二介质层的顶部表面形成初始凹形电容结构；对初始凹形电容结构进行回刻蚀处理，直至暴露出第二介质层的顶部表面为止，形成凹形电容结构，凹形电容结构包括第一电极板、位于第一电极板上的绝缘层、以及位于绝缘层上的第二电极板。通过回刻蚀处理形成凹形电容结构，凹形电容结构的第一电极板和第二电极板能够同时暴露出来，省去了图形化工艺的处理过程，能够有效节省光罩数量，进而降低制作成本。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110156078.2在审
发明人： 汤霞梅;倪百兵 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底表面依次形成有第一硬掩膜层、第二硬掩膜层以及图案化的心轴层，所述图案化的心轴层包括若干暴露所述第二硬掩膜层的第一沟槽；在所述图案化的心轴层中形成若干暴露所述第二硬掩膜层的第一隔断开口；在所述第一沟槽暴露的第二硬掩膜层中形成若干暴露所述第一硬掩膜层的第二隔断开口；在所述第一沟槽两侧形成侧墙，所述侧墙不填满所述第一沟槽，所述侧墙还填满所述第一隔断开口、第二隔断开口；去除所述图案化的心轴层；刻蚀所述第一硬掩膜层和第二硬掩膜层形成若干第二沟槽；沿所述第二沟槽刻蚀至所述基底中；去除所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910641876.7在审
发明人： 汤霞梅;施维;窦涛;苏波;胡友存 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，包括：待刻蚀层；位于所述待刻蚀层上的芯层，所述芯层内具有第一沟槽，所述第一沟槽沿第一方向延伸；位于所述第一沟槽内的分割段结构，所述分割段结构沿第二方向贯穿所述第一沟槽，所述第二方向与所述第一方向不同，所述分割段结构包括第二分割层以及位于所述第二分割层的侧壁和底部表面的第一分割层；位于所述第一沟槽的侧壁表面的侧墙。通过所述第一分割层对所述第二分割层进行保护，防止了在后续的刻蚀工艺对所述第二分割段造成缺失，提高了半导体结构中形成图形的精准性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910579468.3在审
发明人：施维;胡友存;汤霞梅 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有核心层，核心层上形成有硬掩膜层，硬掩膜层内形成有第一掩膜开口；在第一掩膜开口露出的核心层内形成第一掩膜沟槽，第一掩膜沟槽沿延伸方向包括多个子掩膜沟槽，子掩膜沟槽通过第一掩膜开口露出的核心层相隔离；在子掩膜沟槽侧壁上形成第一侧墙；去除第一掩膜开口所在区域的核心层，在核心层对应位置处形成由第一侧墙和基底围成的第二掩膜沟槽，第二掩膜沟槽和第一掩膜沟槽通过第一侧墙相隔离；在第二掩膜沟槽的侧壁上形成第二侧墙，第一侧墙和基底、以及第二侧墙和基底围成第一目标沟槽。侧壁相接触的第一侧墙和第二侧墙作为剪切部件，改善了第一目标沟槽端部的圆角问题。
半导体结构及其形成方法

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