[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的器件层，所述器件层包括第一介质层、位于所述第一介质层内的器件结构，以及位于所述器件结构上的第一电互连层；

位于所述器件层上的第二介质层，所述第二介质层内具有电容开口；

位于所述电容开口侧壁和底部表面的凹形电容结构，所述凹形电容结构包括第一电极板、位于所述第一电极板上的绝缘层、以及位于所述绝缘层上的第二电极板。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电极板的厚度大于400埃；所述第二电极板的厚度大于400埃。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第二介质层和凹形电容结构上的第三介质层；位于所述第三介质层内的第二电互连层和第三电互连层；位于所述第三介质层内的第一导电插塞和第二导电插塞，所述第一导电插塞连接所述第一电极板和所述第二电互连层，所述第二导电插塞连接所述第二电极板和所述第三电互连层。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第二介质层和所述第三介质层内的第三导电插塞，所述第三导电插塞连接所述第一电互连层和第三电互连层。

5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电插塞的宽度小于所述第一电极板的厚度；所述第二导电插塞的宽度小于所述第二电极板的厚度。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电插塞的宽度为0.2微米～1微米；所述第二导电插塞的宽度为0.2微米～1微米。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述器件层和所述第二介质层之间的刻蚀停止层。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述器件结构包括：晶体管、电阻、电感或电容。

9.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成器件层，所述器件层包括第一介质层、位于所述第一介质层内的器件结构，以及位于所述器件结构上的第一电互连层；

在所述器件层上形成第二介质层，所述第二介质层内具有电容开口；

在所述电容开口侧壁和底部表面、以及所述第二介质层的顶部表面形成初始凹形电容结构，所述初始凹形电容结构包括初始第一电极板、位于所述初始第一电极板上的初始绝缘层、以及位于所述初始绝缘层上的初始第二电极板；

对所述初始凹形电容结构进行回刻蚀处理，直至暴露出所述第二介质层的顶部表面为止，形成凹形电容结构，所述凹形电容结构包括第一电极板、位于所述第一电极板上的绝缘层、以及位于所述绝缘层上的第二电极板。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一电极板的厚度大于400埃；所述第二电极板的厚度大于400埃。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在对所述初始凹形电容结构进行回刻蚀处理之前，还包括：在所述电容开口内形成保护层，所述保护层位于所述初始凹形电容结构上。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的形成方法包括：在所述电容开口内以及所述初始凹形电容结构表面形成初始保护层；回刻蚀所述初始保护层，直至暴露出所述初始凹形电容结构的顶部表面为止，形成所述保护层。

13.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括抗反射层材料。

14.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述凹形电容结构之后，还包括：去除所述保护层。