[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法在审

专利信息
申请号: 202110258910.X 申请日: 2021-03-10
公开(公告)号: CN113410206A 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 金进勇;杜旺朱;李相亨;易吉寒;柳智妍 申请(专利权)人: 安靠科技新加坡控股私人有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/13;H01L21/52;H01L21/60
代理公司: 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 代理人: 何尤玉;郭仁建
地址: 新加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括第一衬底,第一衬底包括:第一传导结构;第一主体,第一主体位于第一传导结构之上并且包括限定第一主体中的腔的内侧壁;第一界面电介质,第一界面电介质位于第一主体之上;以及第一内部互连件,第一内部互连件位于第一主体和第一界面电介质中并且与第一传导结构耦接。半导体装置进一步包括第二衬底,第二衬底位于第一衬底之上并且包括:第二界面电介质;第二主体,第二主体位于第二界面电介质之上;以及第二传导结构,第二传导结构位于第二主体之上并且包括第二主体和第二界面电介质中的第二内部互连件。电子组件位于腔中,并且第二内部互连件与第一内部互连件耦接。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
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