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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202211499517.0在审
发明人：金阳瑞;杜旺朱;李吉弘;张民华;金东和;李旺求;黄金良;崔美京 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：半导体装置及其制造方法。一种半导体封装及一种其制造方法，所述半导体封装及其制造方法能够减小所述半导体封装的大小并且提高产品可靠性。在非限制性实例实施例中，所述方法可以包括在晶片上形成插入件，在所述插入件上形成至少一个加固部件，将至少一个半导体裸片耦合且电连接到所述插入件，用底胶填充所述半导体裸片与所述插入件之间的区域，并且使用包封物包封所述插入件上的所述加固部件、所述半导体裸片和所述底胶。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610494987.6有效
发明人：金阳瑞;杜旺朱;李吉弘;张民华;金东和;李旺求;黄金良;崔美京 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：半导体装置及其制造方法。一种半导体封装及一种其制造方法，所述半导体封装及其制造方法能够减小所述半导体封装的大小并且提高产品可靠性。在非限制性实例实施例中，所述方法可以包括在晶片上形成插入件，在所述插入件上形成至少一个加固部件，将至少一个半导体裸片耦合且电连接到所述插入件，用底胶填充所述半导体裸片与所述插入件之间的区域，并且使用包封物包封所述插入件上的所述加固部件、所述半导体裸片和所述底胶。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体封装以及其制造方法-CN202111037391.0在审
发明人：大卫·锡纳乐;麦克·凯利;拉诺德·胡莫勒;莫印苏;李相亨;杜旺朱;金进勇 -专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：半导体封装以及其制造方法。一种电子装置包括：信号重布结构(SRS)，其包括SRS顶侧、SRS底侧和多个SRS横向侧，其中信号重布结构是无芯的；下部电子组件(LEC)，其包括LEC顶侧、LEC底侧和多个LEC横向侧，其中LEC顶侧耦合到SRS底侧；竖直互连结构，其在从下部电子组件横向偏移的位置处耦合到SRS底侧；LEC互连结构，其耦合到LEC顶侧和SRS底侧，使得下部电子组件通过至少LEC互连结构电耦合到信号重布结构；半导体裸片，其包括裸片顶侧、裸片底侧和多个裸片横向侧；第一裸片互连结构，其耦合到SRS顶侧和裸片底侧，使得半导体裸片电耦合到竖直互连结构；及第二裸片互连结构，其耦合到SRS顶侧和裸片底侧，使得半导体裸片电耦合到下部电子组件。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202110258910.X在审
发明人：金进勇;杜旺朱;李相亨;易吉寒;柳智妍 -专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括第一衬底，第一衬底包括：第一传导结构；第一主体，第一主体位于第一传导结构之上并且包括限定第一主体中的腔的内侧壁；第一界面电介质，第一界面电介质位于第一主体之上；以及第一内部互连件，第一内部互连件位于第一主体和第一界面电介质中并且与第一传导结构耦接。半导体装置进一步包括第二衬底，第二衬底位于第一衬底之上并且包括：第二界面电介质；第二主体，第二主体位于第二界面电介质之上；以及第二传导结构，第二传导结构位于第二主体之上并且包括第二主体和第二界面电介质中的第二内部互连件。电子组件位于腔中，并且第二内部互连件与第一内部互连件耦接。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法-CN202011533314.X在审
发明人：金杰云;苏雷什·贾亚拉曼;杜旺朱;申朱红;李吉弘;大卫·锡纳乐;金进勇;金凯领 -专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：半导体装置以及制造半导体装置的方法。该方法包括：在子面板底座上提供子面板衬底，子面板衬底包括介电结构和导电结构，其中子面板衬底包括面板衬底的切单部分；提供：第一电子组件，第一电子组件在子面板衬底的第一侧上并且电耦合到导电结构的第一部分，以及第二电子组件，第二电子组件在子面板衬底的第一侧上并且电耦合到导电结构的第二部分；移除子面板底座；提供：第一外部互连件，第一外部互连件在子面板衬底的第二侧上并且电耦合到导电结构的第一部分，以及第二外部互连件，第二外部互连件在子面板衬底的第二侧上并且电耦合到导电结构的第二部分；以及将子面板衬底切单以提供个别单元衬底。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN202010297973.1在审
发明人：金泰基;新及補;孙山南;杜旺朱 -专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：在一个实例中，一种半导体装置包括：重新分布层(RDL)衬底，所述RDL衬底具有顶表面和底表面，其中所述RDL衬底包括不含填料的介电材料；电子装置，所述电子装置位于所述RDL衬底的所述顶表面上；电互连件，所述电互连件位于所述RDL衬底的所述底表面上并且电耦接到所述电子装置；第一保护材料，所述第一保护材料接触所述电子装置的侧表面和所述RDL衬底的所述顶表面；以及第二保护材料，所述第二保护材料接触所述电互连件的侧表面和所述RDL衬底的所述底表面。本文还公开了其它实例和相关方法。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810057093.X在审
发明人：贝杰翰;杜旺朱;姚民;金阳瑞;张民华;金东和;乔阿拉;安韶珍 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括低密度基板、位于所述低密度基板的空腔内的高密度嵌体、第一半导体晶粒和第二半导体晶粒。所述第一半导体晶粒包括高密度凸块和低密度凸块。所述第二半导体晶粒包括高密度凸块和低密度凸块。所述第一半导体晶粒的高密度凸块和第二半导体晶粒的高密度凸块电连接到所述高密度嵌体。所述第一半导体晶粒的低密度凸块和所述第二半导体晶粒的低密度凸块电连接到所述低密度基板。
半导体晶粒凸块半导体装置密度基板电连接嵌体空腔制造

[实用新型]半导体装置-CN201720530759.X有效
发明人：李文古;杜旺朱;易吉寒 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体装置。本实用新型公开了一种半导体装置包括：第一基板；第一金属柱，其在所述第一基板的第一侧上；第一半导体晶粒，其耦合到所述第一基板的所述第一侧；第二金属柱，其在所述第一金属柱上；第二半导体晶粒，其耦合到所述第一半导体晶粒；第二基板，其在所述第二金属柱上和所述第二半导体晶粒上；以及囊封材料，其在所述第一基板和所述第二基板之间且至少囊封所述第一金属柱、所述第一半导体晶粒、所述第二金属柱和所述第二半导体晶粒中的每一个的一侧。
半导体装置

[实用新型]半导体装置-CN201620669878.9有效
发明人：金阳瑞;杜旺朱;李吉弘;张民华;金东和;李旺求;黄金良;崔美京 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：半导体装置。一种半导体封装，所述半导体封装能够减小所述半导体封装的大小并且提高产品可靠性。在非限制性实例实施例中，提供一种半导体封装，所述半导体封装包含插入件；在插入件上形成的至少一个加固部件；在插入件上形成的待电连接到插入件的至少一个半导体裸片；填充半导体裸片与插入件之间的区域的底胶；以及包封插入件上的加固部件、半导体裸片和底胶的包封物。
半导体装置

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