[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法

说明书

半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括第一衬底，第一衬底包括：第一传导结构；第一主体，第一主体位于第一传导结构之上并且包括限定第一主体中的腔的内侧壁；第一界面电介质，第一界面电介质位于第一主体之上；以及第一内部互连件，第一内部互连件位于第一主体和第一界面电介质中并且与第一传导结构耦接。半导体装置进一步包括第二衬底，第二衬底位于第一衬底之上并且包括：第二界面电介质；第二主体，第二主体位于第二界面电介质之上；以及第二传导结构，第二传导结构位于第二主体之上并且包括第二主体和第二界面电介质中的第二内部互连件。电子组件位于腔中，并且第二内部互连件与第一内部互连件耦接。

技术领域

本公开总体上涉及电子装置，并且更具体地涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。

相关申请的交叉引用

本申请是于2020年3月17日提交的申请案第16/821,899号的连续申请案。所述申请案第16/821,899号特此通过引用整体并入。

背景技术

现有半导体封装体和用于形成半导体封装体的方法存在不足之处，例如造成成本过高、可靠性降低、性能相对较低或封装体尺寸太大。对于本领域的技术人员来说，通过将常规和传统方法与本公开进行比较并且参照附图，这种方法的另外的局限性和缺点将变得明显。

发明内容

根据本发明的态样，一种半导体装置，其特征在于，包括：第一衬底，所述第一衬底包括：第一传导结构；第一主体，所述第一主体位于所述第一传导结构之上并且包括限定所述第一主体中的腔的内侧壁；第一界面电介质，所述第一界面电介质位于所述第一主体之上；以及第一内部互连件，所述第一内部互连件位于所述第一主体和所述第一界面电介质中并且与所述第一传导结构耦接；第二衬底，所述第二衬底位于所述第一衬底之上并且包括：第二界面电介质；第二主体，所述第二主体位于所述第二界面电介质之上；以及第二传导结构，所述第二传导结构位于所述第二主体之上并且包括所述第二主体和所述第二界面电介质中的第二内部互连件；以及电子组件，所述电子组件位于所述腔中；其中所述第二内部互连件与所述第一内部互连件耦接。在所述半导体装置中，所述第一内部互连件的一个面与所述第一界面电介质的一个面共面。在所述半导体装置中，所述第二内部互连件的一个面与所述第二界面电介质的一个面共面。在所述半导体装置中，所述第一内部互连件的顶面接触所述第二内部互连件的底面。所述半导体装置进一步包括互连材料，所述互连材料位于所述第一内部互连件与所述第二内部互连件之间。在所述半导体装置中，所述第一内部互连件的一个面从所述第一界面电介质的一个面凹入，并且所述互连材料延伸到所述第一界面电介质中并且接触所述第一内部互连件。在所述半导体装置中，所述第二内部互连件的一个面从所述第二界面电介质的一个面凹入，并且所述互连材料延伸到所述第二界面电介质中并且接触所述第二内部互连件。在所述半导体装置中，所述第一内部互连件从所述第一主体凸出到所述第一界面电介质中。在所述半导体装置中，所述第二内部互连件从所述第二主体凸出到所述第二界面电介质中。在所述半导体装置中，所述第一主体包括第一无机材料，并且所述第一界面电介质包括不同于所述第一无机材料的第二无机材料。在所述半导体装置中，所述第一界面电介质接触所述第二界面电介质。在所述半导体装置中，所述第二界面电介质接触所述第一界面电介质和电子装置。在所述半导体装置中，所述第一主体包括硅。在所述半导体装置中，所述第一主体包括玻璃。