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[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN202210121219.1在审
发明人：李王谷;英简涵;申朱红;易吉寒 -专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置包含衬底，所述衬底具有：衬底第一侧；衬底第二侧，其与所述衬底第一侧相对；及导电结构，其包含在所述衬底第一侧上方的内部端子和在所述衬底第二侧上方且耦合到所述内部端子的外部端子。电子组件包含：电子组件第一侧；电子组件第二侧，其与所述电子组件第一侧相对；及电子组件横向侧，其将所述电子组件第一侧连接到所述电子组件第二侧。所述电子组件第二侧耦合到所述内部端子中的一个或多个。引导结构在所述衬底第一侧上方，并且可包含从所述电子组件横向侧横向向内的内部部分和从所述电子组件横向侧横向向外的外部部分。底部填充物插入于所述电子组件第二侧和所述衬底第一侧之间且在所述引导结构上方。本文中还公开了其它实例和相关方法。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN202210040101.6在审
发明人：朴明文;李泰勇;易吉寒;李喆和 -专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体装置及制造半导体装置的方法。一种电子装置包含衬底，所述衬底包括衬底顶部侧、衬底底部侧和向外端子。电子组件连接到所述向外端子。外部互连件连接到所述向外端子且包含连接到第一向外端子的第一外部互连件。下部屏蔽件邻近于所述衬底底部侧且横向地位于所述外部互连件之间。所述下部屏蔽件通过以下的一或多个与所述第一外部互连件电隔离：1)介电缓冲器，插入于所述下部屏蔽件与所述第一外部互连件之间；或2)所述下部屏蔽件，包含第一部分和第二部分，所述第一部分横向地与所述第二部分分隔第一间隙，其中所述第一部分横向地包围所述第一外部互连件的横向侧；且所述第二部分竖直地插入于所述第一向外端子与所述第一外部互连件之间。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN202111184791.4在审
发明人：周名佳;翰古文;林基泰;朴东久;易吉寒;金进勇 -专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种电子装置包括：第一衬底，其包括第一导电结构；第二衬底，其包括第二导电结构，其中所述第一衬底在所述第二衬底之上；第一电子组件，其在所述第一衬底与所述第二衬底之间；竖直互连件，其在所述第一衬底与所述第二衬底之间，其中所述竖直互连件与所述第一导电结构及所述第二导电结构耦合；以及囊封剂，其在所述第一衬底与所述第二衬底之间且覆盖所述竖直互连件。所述第一电子组件上的竖直端口通过所述第一衬底的孔口暴露。本文中亦公开其它实例及相关方法。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202110258910.X在审
发明人：金进勇;杜旺朱;李相亨;易吉寒;柳智妍 -专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括第一衬底，第一衬底包括：第一传导结构；第一主体，第一主体位于第一传导结构之上并且包括限定第一主体中的腔的内侧壁；第一界面电介质，第一界面电介质位于第一主体之上；以及第一内部互连件，第一内部互连件位于第一主体和第一界面电介质中并且与第一传导结构耦接。半导体装置进一步包括第二衬底，第二衬底位于第一衬底之上并且包括：第二界面电介质；第二主体，第二主体位于第二界面电介质之上；以及第二传导结构，第二传导结构位于第二主体之上并且包括第二主体和第二界面电介质中的第二内部互连件。电子组件位于腔中，并且第二内部互连件与第一内部互连件耦接。
半导体装置制造方法

[实用新型]半导体装置-CN201720530759.X有效
发明人：李文古;杜旺朱;易吉寒 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体装置。本实用新型公开了一种半导体装置包括：第一基板；第一金属柱，其在所述第一基板的第一侧上；第一半导体晶粒，其耦合到所述第一基板的所述第一侧；第二金属柱，其在所述第一金属柱上；第二半导体晶粒，其耦合到所述第一半导体晶粒；第二基板，其在所述第二金属柱上和所述第二半导体晶粒上；以及囊封材料，其在所述第一基板和所述第二基板之间且至少囊封所述第一金属柱、所述第一半导体晶粒、所述第二金属柱和所述第二半导体晶粒中的每一个的一侧。
半导体装置